【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体或光伏材料加工，具体涉及一种反应炉。
技术介绍
1、在半导体或光伏材料的加工中，pecvd、lpcvd、apcvd、扩散炉等是常见的加工设备。这些设备根据具体的工艺需求，通过调整反应条件、气体种类和流量等参数，实现对材料性能的精准调控。
2、然而，在传统的加工设备中，工艺进气孔较为集中，容易产生相互干扰，导致腔体内的气场分布不均匀。这种不均匀的气场分布会直接影响待加工材料上的镀膜均匀性，进而影响材料的性能和使用效果。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种反应炉，解决了传统的加工设备中，工艺进气孔较为集中，相互容易产生干扰，导致腔体内的气场分布不均匀的问题。
2、本公开的实施例提供了一种反应炉，包括：炉体，具有沿反应腔；至少两个进气气路，伸入反应腔，每个进气气路设置有至少一个出气口，一个进气气路的出气口与另一个进气气路的出气口的间距大于100mm。
3、在一些实施例中，反应腔沿第一方向延伸，至少两个进气气路包括：至少一个第一进气气路，第一进气气路具有沿第一方向间隔设置的多个出气结构，每个出气结构包括至少一个出气口。
4、在一些实施例中，第一进气气路的数量为多个，一个第一进气气路的出气口与另一个第一进气气路的出气口的间距大于100mm。
5、在一些实施例中，反应腔为对称结构；其中，第一进气气路的数量为两个，两个第一进气气路设置于反应腔的相对的内壁，且关于反应腔的对称面对称设置；或，第一进气气路的数
6、在一些实施例中，出气结构包括多个出气口，多个出气口包括第一出气口和第二出气口，第一出气口的朝向与第二出气口的朝向交叉。
7、在一些实施例中，第一出气口的朝向和第二出气口的朝向之间的夹角介于120°至180°之间。
8、在一些实施例中，反应腔沿第一方向延伸，至少两个进气气路包括：第二进气气路，第二进气气路设置于炉体在第一方向上的第一端，第二进气气路设置有至少一个第三出气口，第三出气口与出气结构的间距大于100mm。
9、在一些实施例中，第三出气口与出气结构的间距介于200mm至300mm之间。
10、在一些实施例中，还包括：排气气路，设置于炉体在第一方向上的第二端；其中，反应腔具有靠近第二进气气路的第一区域、靠近排气气路的第二区域，以及位于第一区域与第二区域之间的中部区域；其中，位于第一区域或第二区域的相邻的出气结构的间距大于位于中部区域的相邻的出气结构的间距。
11、在一些实施例中，位于第一区域的相邻的出气结构的间距小于位于第二区域的相邻的出气结构的间距。
12、在一些实施例中，反应腔被配置为容纳舟结构，舟结构被配置为承载片状材料，在舟结构被放置于反应腔的情况下，片状材料被放置于反应腔内的第一预设位置；其中，至少一个出气结构设置于第二预设位置，在垂直于第一方向的垂直方向上，第一预设位置在第一进气气路上的投影与第二预设位置交叠。
13、在一些实施例中，反应炉包括第一炉门，第一炉门设置于炉体的一端。
14、本公开的实施例提供的一种反应炉，其进气气路之间的出气口的间距大于100mm，能够有效避免不同进气气路的出气口供应的气体相互干扰，有效提高了反应腔内气场的均匀性，有利于提高待加工材料上镀膜的质量。
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1.一种反应炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反应炉，其特征在于，所述反应腔沿第一方向延伸，所述至少两个进气气路包括：
3.根据权利要求2所述的反应炉，其特征在于，所述第一进气气路的数量为多个，一个所述第一进气气路的所述出气口与另一个所述第一进气气路的所述出气口的间距大于100mm。
4.根据权利要求3所述的反应炉，其特征在于，所述反应腔为对称结构；
5.根据权利要求2至4任一项所述的反应炉，其特征在于，所述出气结构包括多个所述出气口，多个所述出气口包括第一出气口和第二出气口，所述第一出气口的朝向与所述第二出气口的朝向交叉。
6.根据权利要求5所述的反应炉，其特征在于，所述第一出气口的朝向和所述第二出气口的朝向之间的夹角介于120°至180°之间。
7.根据权利要求2至4任一项所述的反应炉，其特征在于，所述至少两个进气气路包括：
8.根据权利要求7所述的反应炉，其特征在于，所述第三出气口与相邻的所述出气结构的间距介于200mm至300mm之间。
9.根据权利要求7所述的反
10.根据权利要求9所述的反应炉，其特征在于，位于所述第一区域的相邻的所述出气结构的间距小于位于所述第二区域的相邻的所述出气结构的间距。
11.根据权利要求2至4任一项所述的反应炉，其特征在于，所述反应腔被配置为容纳舟结构，所述舟结构被配置为承载片状材料，在所述舟结构被放置于所述反应腔的情况下，所述片状材料被放置于所述反应腔内的第一预设位置；
12.根据权利要求1所述的反应炉，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种反应炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反应炉，其特征在于，所述反应腔沿第一方向延伸，所述至少两个进气气路包括：
3.根据权利要求2所述的反应炉，其特征在于，所述第一进气气路的数量为多个，一个所述第一进气气路的所述出气口与另一个所述第一进气气路的所述出气口的间距大于100mm。
4.根据权利要求3所述的反应炉，其特征在于，所述反应腔为对称结构；
5.根据权利要求2至4任一项所述的反应炉，其特征在于，所述出气结构包括多个所述出气口，多个所述出气口包括第一出气口和第二出气口，所述第一出气口的朝向与所述第二出气口的朝向交叉。
6.根据权利要求5所述的反应炉，其特征在于，所述第一出气口的朝向和所述第二出气口的朝向之间的夹角介于120°至180°之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：祁文杰，卢秋霞，林佳继，
申请(专利权)人：拉普拉斯西安科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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