【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电力电子，特别是涉及一种多相交流供电控制电路及固态继电器。
技术介绍
1、在电力电子领域，大功率设备的通电控制一般采用接触器，具有成本低、技术成熟、控制方法简单的优点，但是在一些细分领域，接触器的缺点导致应用受阻，比如体积大、噪声大、启停冲击电流大、自身功耗大等。随着mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）从硅（si）材料发展到碳化硅（sic）材料，mosfet器件具有的高热导率、高临界击穿电场和高载流子迁移率、低功耗和高效率的优势使其得到广泛应用。目前mosfet器件主要用于直流领域，比如基于mosfet的直流固态继电器，以及基于sic的mosfet在电动汽车上的应用等。而对于两相及三相交流供电电路，由于电路导通瞬间的电压和电流值并不确定，有可能在导通时电流值正好处于峰值，导致电路通断过程中的冲击电流过大，不利于mosfet的长期使用。
技术实现思路
1、在本实施例中提供了一种多相交流供电控制电路及固态继电器，以解决相关技术中存在的电路通断过程中的冲击电流过大，不利于mosfet的长期使用的问题。
2、第一个方面，在本实施例中提供了一种多相交流供电控制电路，所述电路包括至少一个mosfet电路以及与所述mosfet电路对应连接的至少一个门极驱动电源电路，所述mosfet电路串联在任一相交流供电通路中；所述电路还包括输入控制电路、mosfet驱动电路和过零点检测电路，所述过零点检测电路与多相交流供电通路连接；
3、所述过零点检测电路在所述多相交
4、所述mosfet驱动电路在所述过零点信号的触发下，基于所述输入控制电路发送的使能信号，控制所述门极驱动电源电路向对应的mosfet电路提供驱动电源信号；
5、所述mosfet电路基于所述驱动电源信号，控制对应的交流供电通路导通。
6、在其中的一些实施例中，所述mosfet驱动电路包括触发器，所述触发器在接收到所述过零点信号时，输出与所述使能信号对应的通断控制信号，所述通断控制信号用于导通或关断所述门极驱动电源电路与对应的mosfet电路的连接。
7、在其中的一些实施例中，所述门极驱动电源电路通过变压器隔离输出所述驱动电源信号，所述门极驱动电源电路的地与对应的mosfet电路中的mosfet的源极连接。
8、在其中的一些实施例中，所述多相交流供电通路包括第一相供电通路和第二相供电通路，所述过零点检测电路包括电阻r4、电阻r5和双向光耦芯片u1，所述电阻r4一端连接所述第一相供电通路的输入端，所述电阻r4的另一端连接所述双向光耦芯片u1的第一端，所述双向光耦芯片u1的第二端连接所述第二相供电通路的输入端，所述双向光耦芯片u1的第三端连接电源vdd，所述双向光耦芯片u1的第四端输出所述过零点信号，并连接所述电阻r5的一端，所述电阻r5的另一端接地。
9、在其中的一些实施例中，所述多相交流供电控制电路包括第一mosfet电路和第一门极驱动电源电路，
10、所述第一mosfet电路串联连接在所述第一相供电通路的输入端和输出端之间，所述第一门极驱动电源电路的地与所述第一mosfet电路的源极连接，所述第二相供电通路的输入端与输出端直接连接；
11、所述mosfet驱动电路包括d触发器u2、光耦芯片u3、发光二极管led1和电阻r9，所述d触发器u2的时钟端接入所述过零点信号，所述d触发器u2的d端连接所述输入控制电路，所述d触发器u2的电源端连接所述电源vdd，所述d触发器u2的gnd端接地，所述d触发器u2的输出端连接所述光耦芯片u3的输入端阳极，所述光耦芯片u3的输入端阴极经过所述发光二极管led1和所述电阻r9接地，所述光耦芯片u3的输出端集电极接入所述第一门极驱动电源电路输出的驱动电源信号vg-1，所述光耦芯片u3的输出端发射极输出信号g-ctrl1接入所述第一mosfet电路的栅极。
12、在其中的一些实施例中，所述多相交流供电控制电路包括第一mosfet电路、第二mosfet电路、第一门极驱动电源电路、第二门极驱动电源电路；
13、所述第一mosfet电路串联连接在所述第一相供电通路的输入端和输出端之间，所述第一门极驱动电源电路的地与所述第一mosfet电路的源极连接；所述第二mosfet电路串联连接在所述第二相供电通路的输入端和输出端之间，所述第二门极驱动电源电路的地与所述第二mosfet电路的源极连接；
14、所述mosfet驱动电路包括d触发器u2、光耦芯片u3、光耦芯片u4、发光二极管led1和电阻r9，所述d触发器u2的时钟端接入所述过零点信号，所述d触发器u2的d端连接所述输入控制电路，所述d触发器u2的电源端连接所述电源vdd，所述d触发器u2的gnd端接地，所述d触发器u2的输出端连接所述光耦芯片u3的输入端阳极，所述光耦芯片u3的输入端阴极连接所述光耦芯片u4的输入端阳极，所述光耦芯片u4的输入端阴极经过所述发光二极管led1和所述电阻r9接地；所述光耦芯片u3的输出端集电极接入所述第一门极驱动电源电路输出的驱动电源信号vg-1，所述光耦芯片u3的输出端发射极输出信号g-ctrl1，接入所述第一mosfet电路的栅极；所述光耦芯片u4的输出端集电极接入所述第二门极驱动电源电路输出的驱动电源信号vg-2，所述光耦芯片u4的输出端发射极输出信号g-ctrl2，接入所述第二mosfet电路的栅极。
15、在其中的一些实施例中，所述多相交流供电通路包括第一相供电通路、第二相供电通路，第三相供电通路，所述过零点检测电路包括电阻r4、电阻r5、电阻r10~r13、双向光耦芯片u1、双向光耦芯片u7，所述电阻r4一端连接所述第一相供电通路的输入端，所述电阻r4的另一端连接所述双向光耦芯片u1的第一端，所述双向光耦芯片u1的第二端连接所述第二相供电通路的输入端，所述双向光耦芯片u1的第三端连接电源vdd，所述双向光耦芯片u1的第四端输出过零点信号trig-1，并连接所述电阻r5的一端，所述电阻r5的另一端接地；
16、所述电阻r10一端连接所述第三相供电通路的输入端，所述电阻r10的另一端连接所述双向光耦芯片u7的第一端，所述双向光耦芯片u7的第二端通过所述电阻r11连接所述第一相供电通路的输入端，同时通过所述电阻r12连接所述第二相供电通路的输入端；所述双向光耦芯片u7的第三端连接电源vdd，所述双向光耦芯片u7的第四端输出过零点信号trig-2，并连接所述电阻r13的一端，所述电阻r13的另一端接地；其中所述电阻r10、所述电阻r11和所述电阻r12的阻值相同。
17、在其中的一些实施例中，所述多相交流供电控制电路包括第一mosfet电路、第二mosfet电路、第三mosfet电路、第一门极驱动电源电路、第二门极驱动电源电路、第三门极驱动电源电路；
18、所述第一mosfet电路串联连接在所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种多相交流供电控制电路，其特征在于，所述电路包括至少一个MOSFET电路以及与所述MOSFET电路对应连接的至少一个门极驱动电源电路，所述MOSFET电路串联在任一相交流供电通路中；所述电路还包括输入控制电路、MOSFET驱动电路和过零点检测电路，所述过零点检测电路与多相交流供电通路连接；
2.根据权利要求1所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述MOSFET驱动电路包括触发器，所述触发器在接收到所述过零点信号时，输出与所述使能信号对应的通断控制信号，所述通断控制信号用于导通或关断所述门极驱动电源电路与对应的MOSFET电路的连接。
3.根据权利要求1所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述门极驱动电源电路通过变压器隔离输出所述驱动电源信号，所述门极驱动电源电路的地与对应的MOSFET电路中的MOSFET的源极连接。
4.根据权利要求1至权利要求3任一所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述多相交流供电通路包括第一相供电通路和第二相供电通路，所述过零点检测电路包括电阻R4、电阻R5和双向光耦芯片U1，所述电阻R4一端连接所述第
5.根据权利要求4所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述多相交流供电控制电路包括第一MOSFET电路和第一门极驱动电源电路，
6.根据权利要求4所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述多相交流供电控制电路包括第一MOSFET电路、第二MOSFET电路、第一门极驱动电源电路、第二门极驱动电源电路；
7.根据权利要求1至权利要求3任一所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述多相交流供电通路包括第一相供电通路、第二相供电通路，第三相供电通路，所述过零点检测电路包括电阻R4、电阻R5、电阻R10~R13、双向光耦芯片U1、双向光耦芯片U7，所述电阻R4一端连接所述第一相供电通路的输入端，所述电阻R4的另一端连接所述双向光耦芯片U1的第一端，所述双向光耦芯片U1的第二端连接所述第二相供电通路的输入端，所述双向光耦芯片U1的第三端连接电源VDD，所述双向光耦芯片U1的第四端输出过零点信号TRIG-1，并连接所述电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端接地；
8.根据权利要求7所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述多相交流供电控制电路包括第一MOSFET电路、第二MOSFET电路、第三MOSFET电路、第一门极驱动电源电路、第二门极驱动电源电路、第三门极驱动电源电路；
9.根据权利要求7所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述多相交流供电控制电路包括第二MOSFET电路、第三MOSFET电路、第二门极驱动电源电路、第三门极驱动电源电路；
10.一种固态继电器，其特征在于，所述固态继电器包括如权利要求1至权利要求9任一所述的多相交流供电控制电路。
...【技术特征摘要】
1.一种多相交流供电控制电路，其特征在于，所述电路包括至少一个mosfet电路以及与所述mosfet电路对应连接的至少一个门极驱动电源电路，所述mosfet电路串联在任一相交流供电通路中；所述电路还包括输入控制电路、mosfet驱动电路和过零点检测电路，所述过零点检测电路与多相交流供电通路连接；
2.根据权利要求1所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述mosfet驱动电路包括触发器，所述触发器在接收到所述过零点信号时，输出与所述使能信号对应的通断控制信号，所述通断控制信号用于导通或关断所述门极驱动电源电路与对应的mosfet电路的连接。
3.根据权利要求1所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述门极驱动电源电路通过变压器隔离输出所述驱动电源信号，所述门极驱动电源电路的地与对应的mosfet电路中的mosfet的源极连接。
4.根据权利要求1至权利要求3任一所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述多相交流供电通路包括第一相供电通路和第二相供电通路，所述过零点检测电路包括电阻r4、电阻r5和双向光耦芯片u1，所述电阻r4一端连接所述第一相供电通路的输入端，所述电阻r4的另一端连接所述双向光耦芯片u1的第一端，所述双向光耦芯片u1的第二端连接所述第二相供电通路的输入端，所述双向光耦芯片u1的第三端连接电源vdd，所述双向光耦芯片u1的第四端输出所述过零点信号，并连接所述电阻r5的一端，所述电阻r5的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的多相交流供电控制电路，其特征在于，所述多相交流供...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡耀武，张一骁，朱建勇，郑璐晔，赵访君，李婉，叶前，刘瑜，
申请(专利权)人：缙云县人才科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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