【技术实现步骤摘要】
本技术属于太阳能电池，具体涉及一种硅片绕扩装置及具有该种硅片绕扩装置的扩散炉。
技术介绍
1、在生产topcon电池的工艺流程中，至关重要的是隧穿钝化层的制备，隧穿钝化层包含超薄氧化层和掺杂多晶硅层。目前行业上制备多晶硅层采用硅片双插在石英舟的方式，即在一个卡槽内面对面贴合放置两片硅片，以增大其产能。由于双插的两硅片之间不可避免的会存在间隙，这样导致了绕镀的产生，形成绕镀的硅片一般为中间薄边缘厚。硅片背面形成绕镀后，会引起载流子的寄生吸收以及电池漏电的产生，因此需要增加湿化学工艺，但不均匀的绕镀使得湿化学清洗较为困难，常出现局部过刻的现象，导致硅片的电效率下降。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种硅片绕扩装置及扩散炉，旨在解决硅片背面不均匀绕镀的问题。
2、第一方面，为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种硅片绕扩装置，包括：石英舟以及进气系统，所述石英舟的卡槽内双插有硅片；进气系统包括进气总管以及并联于所述进气总管的第一进气管和第二进气管，所述第一进气管布设于所述石英舟的下方；所述第一进气管上设置有伸入所述石英舟内的第一导气管；所述第二进气管布设于所述硅片的上方；所述第二进气管上设置有进气孔。
3、第一方面，在一种可实现的方式中，所述第二进气管上对应于所述卡槽分别设置有第二导气管，所述第二导气管的管口对应于双插的两硅片之间；所述第一导气管向上伸入所述卡槽内；其中，所述第一导气管与所述第二导气管交替布设。
4、第一方面，在一种可实现的
5、第一方面，在一种可实现的方式中，所述第二导气管的管口宽度小于2.5mm。
6、第一方面，在一种可实现的方式中，所述第二导气管的管口平齐于所述硅片的上端。
7、第一方面，在一种可实现的方式中，所述第二导气管螺接于所述第二进气管上。
8、第一方面，在一种可实现的方式中，所述第一导气管伸入所述卡槽的一端与所述卡槽的槽底平齐。
9、第一方面，在一种可实现的方式中，所述进气总管上设置有电磁阀。
10、第二方面，本技术还提供一种扩散炉，包括所述的硅片绕扩装置。
11、本技术提供的硅片绕扩装置及扩散炉，与现有技术相比，有益效果在于：在双插硅片的上方和下方同时布置进气管，扩散反应气体同时从硅片上方和下方送入硅片之间，扩大硅片与反应气体的接触面，使得扩散反应气体能更加均匀的填充在硅片之间，实现硅片正背面的均匀镀膜，提升硅片的光电效率，改善硅片绕镀造成中间薄边缘厚的问题，降低后序清洗难度及清洗过刻导致硅片电效率下降的问题。
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1.一种硅片绕扩装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第二进气管(8)上对应于所述卡槽分别设置有第二导气管(7)，所述第二导气管(7)的管口对应于双插的两硅片(6)之间；所述第一导气管(3)向上伸入所述卡槽内；其中，所述第一导气管(3)与所述第二导气管(7)交替布设。
3.如权利要求2所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第二导气管(7)为扁平管。
4.如权利要求3所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第二导气管(7)的管口宽度小于2.5mm。
5.如权利要求2所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第二导气管(7)的管口平齐于所述硅片(6)的上端。
6.如权利要求2所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第二导气管(7)螺接于所述第二进气管(8)上。
7.如权利要求1所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第一导气管(3)伸入所述卡槽的一端与所述卡槽的槽底平齐。
8.如权利要求1所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述进气总管(2)上设置有电磁阀。
9.一种扩散炉
...【技术特征摘要】
1.一种硅片绕扩装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第二进气管(8)上对应于所述卡槽分别设置有第二导气管(7)，所述第二导气管(7)的管口对应于双插的两硅片(6)之间；所述第一导气管(3)向上伸入所述卡槽内；其中，所述第一导气管(3)与所述第二导气管(7)交替布设。
3.如权利要求2所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第二导气管(7)为扁平管。
4.如权利要求3所述的硅片绕扩装置，其特征在于，所述第二导气管(7)的管口宽度小于2.5mm。
...【专利技术属性】
技术研发人员：尹丽丽，潘明翠，郎芳，李献朋，薛敬伟，于航，郭晓杰，史金超，于波，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：新型
国别省市：
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