【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率半导体，尤其是一种功率半导体的驱动电路、功率半导体及电动汽车。
技术介绍
1、随着电力电子技术的高速发展，功率半导体器件作为电力电子技术的核心组成部分，其驱动电路也不断更新。相关技术中，通常通过被动式驱动电路或主动式驱动电路对功率半导体器件进行驱动。然而，被动式驱动电路通过增加驱动电阻或驱动电容，抑制开关过程中的电压电流过冲，但是，容易产生开关时间增加，开关损耗增大的问题。主动式驱动电路通过阶段性调整驱动电流/电压，抑制开关过程中的电压电流过冲，也容易产生方案复杂性大，适用性差的问题。
2、综上，相关技术存在的问题亟需得到解决。
技术实现思路
1、本技术的目的在于至少一定程度上解决相关技术中存在的技术问题之一。
2、为此，本技术实施例的一个目的在于提供一种高效的功率半导体的驱动电路、功率半导体及电动汽车，包括：
3、本技术实施例提供了一种功率半导体的驱动电路，所述驱动电路用于驱动晶体管，所述驱动电路包括：第一瞬态二极管和第二瞬态二极管；开通电源通过第一开关连接所述第一瞬态二极管的负极，所述第一瞬态二极管的正极连接所述晶体管的栅极；关断电源通过第二开关连接所述第二瞬态二极管的正极，所述第二瞬态二极管的负极连接所述晶体管的栅极；所述第一瞬态二极管的负极还连接开通电阻的第一端，所述第一瞬态二极管的正极还连接所述开通电阻的第二端；所述第二瞬态二极管的负极还连接关断电阻的第一端，所述第二瞬态二极管的正极还连接所述关断电阻的第二端；所述晶体管的
4、另外，根据本技术上述实施例的功率半导体的驱动电路，还可以具有以下附加的技术特征：
5、进一步地，在本技术的一个实施例中，所述驱动电路还包括第一电容和第二电容；所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的漏极；所述第二电容的第一端连接所述晶体管的栅极，所述第二电容的第二端连接所述晶体管的源极。
6、进一步地，在本技术的一个实施例中，所述第一电源通过第一电感连接所述晶体管的漏极，所述第一电源连接第一二极管的负极，所述第一二极管的正极连接所述晶体管的漏极，所述第一二极管的负极还连接第三电容的第一端，所述第一二极管的正极还连接所述第三电容的第二端。
7、进一步地，在本技术的一个实施例中，所述第一瞬态二极管的正极通过第二电感和第一电阻连接所述晶体管的栅极，所述第二瞬态二极管的负极通过所述第二电感和所述第一电阻连接所述晶体管的栅极。
8、进一步地，在本技术的一个实施例中，所述晶体管的源极连接第二二极管的正极，所述晶体管的漏极连接所述第二二极管的负极。
9、进一步地，在本技术的一个实施例中，所述晶体管的源极连接第四电容的第一端，所述晶体管的漏极连接所述第四电容的第二端。
10、进一步地，在本技术的一个实施例中，所述驱动电路还包括微处理器模块，所述微处理器模块的第一端连接所述第一开关，所述微处理器模块的第二端连接所述第二开关。
11、另一方面，本申请实施例提供一种功率半导体，所述功率半导体通过如上述的功率半导体的驱动电路进行驱动。
12、另一方面，本申请实施例提供一种电动汽车，包括上述的功率半导体。
13、本技术的优点和有益效果将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到：
14、本申请实施例所公开的一种功率半导体的驱动电路，所述驱动电路用于驱动晶体管，所述驱动电路包括：第一瞬态二极管和第二瞬态二极管；开通电源通过第一开关连接所述第一瞬态二极管的负极，所述第一瞬态二极管的正极连接所述晶体管的栅极；关断电源通过第二开关连接所述第二瞬态二极管的正极，所述第二瞬态二极管的负极连接所述晶体管的栅极；所述第一瞬态二极管的负极还连接开通电阻的第一端，所述第一瞬态二极管的正极还连接所述开通电阻的第二端；所述第二瞬态二极管的负极还连接关断电阻的第一端，所述第二瞬态二极管的正极还连接所述关断电阻的第二端；所述晶体管的漏极连接第一电源，所述晶体管的源极接地。本申请通过第一瞬态二极管和第二瞬态二极管实现功率半导体的驱动，缓解了通过驱动电阻/电压/电流进行驱动时带来的高能量损耗问题，本申请实施例驱动过程不需要进行电流或电压的调节，降低了操作复杂性，提升了驱动电路的适用性。
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1.一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路用于驱动晶体管，所述驱动电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括第一电容和第二电容；所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的漏极；所述第二电容的第一端连接所述晶体管的栅极，所述第二电容的第二端连接所述晶体管的源极。
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述第一电源通过第一电感连接所述晶体管的漏极，所述第一电源连接第一二极管的负极，所述第一二极管的正极连接所述晶体管的漏极，所述第一二极管的负极还连接第三电容的第一端，所述第一二极管的正极还连接所述第三电容的第二端。
4.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述第一瞬态二极管的正极通过第二电感和第一电阻连接所述晶体管的栅极，所述第二瞬态二极管的负极通过所述第二电感和所述第一电阻连接所述晶体管的栅极。
5.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述晶体管的源极连接第二二极管的正极，
6.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述晶体管的源极连接第四电容的第一端，所述晶体管的漏极连接所述第四电容的第二端。
7.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括微处理器模块，所述微处理器模块的第一端连接所述第一开关，所述微处理器模块的第二端连接所述第二开关。
8.一种功率半导体，其特征在于，所述功率半导体通过如权利要求1至7中任一项所述的功率半导体的驱动电路进行驱动。
9.一种电动汽车，其特征在于，包括如权利要求8所述的功率半导体。
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路用于驱动晶体管，所述驱动电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括第一电容和第二电容；所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的漏极；所述第二电容的第一端连接所述晶体管的栅极，所述第二电容的第二端连接所述晶体管的源极。
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述第一电源通过第一电感连接所述晶体管的漏极，所述第一电源连接第一二极管的负极，所述第一二极管的正极连接所述晶体管的漏极，所述第一二极管的负极还连接第三电容的第一端，所述第一二极管的正极还连接所述第三电容的第二端。
4.根据权利要求1所述的一种功率半导体的驱动电路，其特征在于，所述第一瞬态二极管的正极通过第二电感和第一电阻连接所述晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：王钦，崔晓，闫鹏修，
申请(专利权)人：广东芯聚能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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