【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、操作方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
2、在dram等半导体结构中通常需要对晶体管的有源区的电阻的阻值进行测试，以便对dram等半导体结构的性能进行改进。但是，对于mos结构的晶体管，栅极层会阻挡源极区和漏极区的掺杂离子注入，从而使得掺杂离子只被注入到源极区和漏极区。然而，浓度梯度的存在，会使得所述掺杂离子扩散到栅极层下方，从而引起有源区电阻值的变化。当前在对有源区的电阻进行测试时，没有考虑栅极层的设置对有源区电阻值的影响，从而导致测试结果的准确度和可靠性较低，影响半导体结构性能的改进。
3、因此，如何提高有源区阻值检测的准确度和可靠性，从而为半导体结构性能的改进提供参考，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开一些实施例提供一种半导体结构及其形成方法、操作方法，用于提高半导体结构中有源区阻值测试的准确度和可靠性，从而为半导体结构性能的改进和提高提供参考。
2、根据一些实施例，本公开提供了一种半导体结构，包括：
3、
4、多个所述有源结构中的所述有源区沿第一方向的宽度相同，且任意两个所述有源结构中的所述有源区沿第二方向的长度不同，所述第一方向与所述第二方向相交。
5、在一些实施例中，所述有源结构中的所述栅极结构包括主干部、以及与所述主干部连接且沿所述第一方向间隔排布的多个分支部；
6、任意两个所述有源结构中沿所述第一方向相邻的两个所述分支部之间的间隔距离相等。
7、在一些实施例中，所述导电连接结构包括：
8、第一导电连接结构，位于所述有源区上方，且与所述有源区电连接；
9、第二导电连接结构，位于所述有源区上方，且与所述有源区电连接，所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构沿所述第二方向间隔分布于所述有源区的相对两侧，且所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构均与所述有源区部分交叠。
10、在一些实施例中，所述第一导电连接结构包括沿所述第一方向延伸的第一主体部、以及与所述第一主体部连接且沿所述第二方向延伸的多个第一延伸部，且多个所述第一延伸部沿所述第一方向间隔排布，所述第一延伸部至少部分位于所述有源区上方且与所述有源区电连接；
11、所述第二导电连接结构包括沿所述第一方向延伸的第二主体部、以及与所述第二主体部连接且沿所述第二方向延伸的多个第二延伸部，且多个所述第二延伸部沿所述第一方向间隔排布，所述第二延伸部至少部分位于所述有源区上方且与所述有源区电连接。
12、在一些实施例中，所述主干部沿所述第二方向分布于所述有源区的外部，多个所述分支部位于所述有源区上方；
13、所述第一主体部沿所述第二方向分布于所述主干部的外部，多个所述第一延伸部沿所述第一方向分布于所述主干部的相对两侧；
14、所述第二主体部与所述第一主体部沿所述第二方向分布于所述有源区的相对两外侧，所述第二延伸部与所述第一延伸部沿所述第二方向相对分布。
15、在一些实施例中，任意两个所述有源结构中的所述第二延伸部与所述第一延伸部沿所述第二方向的间隔距离不同。
16、在一些实施例中，所述导电连接结构包括：
17、第三导电连接结构，位于所述有源区上方，且与所述有源区电连接；
18、第四导电连接结构，位于所述有源区上方，且与所述有源区电连接，所述第三导电连接结构和所述第四导电连接结构沿所述第二方向分布于所述有源区的相对两侧，且所述第三导电连接结构在所述有源区的顶面上的正投影和所述第四导电连接结构在所述有源区的顶面上的正投影均位于所述有源区内部。
19、在一些实施例中，所述主干部沿所述第二方向分布于所述有源区的外部，多个所述分支部位于所述有源区上方；
20、所述第三导电连接结构在所述有源区上的投影位于两个所述分支部在所述有源区上的投影之间的区域内；
21、所述第四导电连接结构在所述有源区上的投影位于两个所述分支部在所述有源区上的投影之间的区域内。
22、在一些实施例中，所述有源结构还包括：
23、外部栅极结构，位于所述有源区沿所述第一方向的外侧，所述外部栅极结构与所述栅极结构同层设置。
24、根据另一些实施例，本公开还提供了一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：
25、提供衬底；
26、于所述衬底内形成间隔排布的多个有源区，多个所述有源区沿第一方向的宽度均相同，且任意两个所述有源区沿第二方向的长度不同，所述第一方向与所述第二方向相交；
27、于每个所述有源区上方形成栅极结构、以及与所述有源区电连接的导电连接结构，形成多个有源结构，每个所述有源结构包括所述有源区、及与所述有源区对应的所述栅极结构和所述导电连接结构。
28、根据又一些实施例，本公开还提供了一种半导体结构的操作方法，包括如下步骤：
29、提供如上所述的半导体结构；
30、选择多个所述有源结构中的一个所述有源结构作为第一有源结构，并选择多个所述有源结构中的另一个所述有源结构作为第二有源结构；
31、传输第一测试信号至所述第一有源结构中的所述导电连接结构，并获取所述第一有源结构中的所述有源区的电阻，作为第一电阻；
32、传输所述第一测试信号至所述第二有源结构中的所述导电连接结构，并获取所述第二有源结构中的所述有源区的电阻，作为第二电阻；
33、根据所述第一电阻和所述第二电阻获取所述有源区的单位电阻。
34、在一些实施例中，传输第一测试信号至所述第一有源结构中的所述导电连接结构的同时，还包括如下步骤：施加0v电压至所述第一有源结构中的所述栅极结构；
35、传输所述第一测试信号至所述第二有源结构中的所述导电连接结构的同时，还包括如下步骤：施加0v电压至所述第二有源结构中的所述栅极结构。
36、在一些实施例中，所述导电连接结构包括均位于所述有源区上方且沿所述第二方向间隔分布的第一导电连接结构和第二导电连接结构，所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构均与所述有源区电连接，且所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构均与所述有源区部分交叠；传输第一测试信号至所述第一有源结构中的所述导电连接结构，并获取所述第一有源结构中的所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构中的所述栅极结构包括主干部、以及与所述主干部连接且沿所述第一方向间隔排布的多个分支部；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电连接结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电连接结构包括沿所述第一方向延伸的第一主体部、以及与所述第一主体部连接且沿所述第二方向延伸的多个第一延伸部，且多个所述第一延伸部沿所述第一方向间隔排布，所述第一延伸部至少部分位于所述有源区上方且与所述有源区电连接；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述主干部沿所述第二方向分布于所述有源区的外部，多个所述分支部位于所述有源区上方；
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，任意两个所述有源结构中的所述第二延伸部与所述第一延伸部沿所述第二方向的间隔距离不同。
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电连接结构包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构还包括：外部栅极结构，位于所述有源区沿所述第一方向的外侧，所述外部栅极结构与所述栅极结构同层设置。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
11.一种半导体结构的操作方法，其特征在于，包括如下步骤：
12.根据权利要求11所述的半导体结构的操作方法，其特征在于，传输第一测试信号至所述第一有源结构中的所述导电连接结构的同时，还包括如下步骤：施加0V电压至所述第一有源结构中的所述栅极结构；
13.根据权利要求11所述的半导体结构的操作方法，其特征在于，所述导电连接结构包括均位于所述有源区上方且沿所述第二方向间隔分布的第一导电连接结构和第二导电连接结构，所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构均与所述有源区电连接，且所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构均与所述有源区部分交叠；传输第一测试信号至所述第一有源结构中的所述导电连接结构，并获取所述第一有源结构中的所述有源区的电阻，作为第一电阻的具体步骤包括：
14.根据权利要求11所述的半导体结构的操作方法，其特征在于，根据所述第一电阻和所述第二电阻获取所述有源区的单位电阻的具体步骤包括：
15.根据权利要求14所述的半导体结构的操作方法，其特征在于，根据所述第一电阻、所述第二电阻、所述第一距离和所述第二距离计算所述有源区的单位电阻的具体步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构中的所述栅极结构包括主干部、以及与所述主干部连接且沿所述第一方向间隔排布的多个分支部；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电连接结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电连接结构包括沿所述第一方向延伸的第一主体部、以及与所述第一主体部连接且沿所述第二方向延伸的多个第一延伸部，且多个所述第一延伸部沿所述第一方向间隔排布，所述第一延伸部至少部分位于所述有源区上方且与所述有源区电连接；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述主干部沿所述第二方向分布于所述有源区的外部，多个所述分支部位于所述有源区上方；
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，任意两个所述有源结构中的所述第二延伸部与所述第一延伸部沿所述第二方向的间隔距离不同。
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电连接结构包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述主干部沿所述第二方向分布于所述有源区的外部，多个所述分支部位于所述有源区上方；
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源结构还包括：外部栅极结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜中鹏，汪恒，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。