【技术实现步骤摘要】
本技术涉及义齿制作，具体来说，本技术涉及一种上颌无牙颌模型灌注用装置。
技术介绍
1、上颌牙列缺失是指各种原因导致的上颌牙列全部缺失，上颌牙列缺失后的颌骨又称为上颌无牙颌。
2、上颌牙列缺失的修复，可以选择1)种植体支持的固定修复，如上颌6-8个种植体支持的桥架式修复或分段桥修复；2)种植体支持的覆盖义齿修复，如上颌4-6个种植体支持的杆卡式修复；3)粘膜支持的总义齿修复。
3、上颌全口义齿的制作过程是医生选择与上颌牙槽嵴形态匹配的托盘，用红膏+藻酸盐或不同比例的藻酸盐来制取患者口内上颌牙槽嵴、粘膜转折、软硬腭区的阴模又叫做上颌初印模，用上颌初印模及模具灌注上颌石膏模型，在上颌石膏模型上制作个别托盘，制取终印模及颌位关系。用上颌终印模灌注工作模型，在工作模型上技师排牙，试戴调整后充胶完成上颌全口义齿的制作。
4、在上颌总义齿治疗过程中，医生对上颌的牙槽嵴制初、终取两次印模，灌注初模型及终模型两次石膏模型。上颌模型是上颌印模内灌注模型材料形成的上颌阳模。从上颌无牙颌印模到精准的上颌石膏模型，正确的灌模是制作高质量模型的基础。准确的上颌无牙颌模型是制作上颌总义齿成功的开始，所以模型灌注在上颌总义齿制作中扮演着关键的角色，上颌模型有特定几何外形的要求，其制作过程中却面临着模型灌注较复杂的技术瓶颈。
5、目前石膏模型灌注有两种方法：直接灌注法和围模灌注法，这两种方法灌注的石膏脱模后都需要大量修整。
6、直接灌注法先把石膏放入印模里，扣在平面上，待石膏凝固后取下，大致修整石膏模型
7、围模灌注法是在印模外周用材料圈围，这个步骤称为围模。无牙颌的初模型及工作模型均可用围模灌注，围模灌注可获得厚度适宜、外形规整的石膏模型，减少石膏打磨量和石膏用量。围模的原理是在印模周围形成一个盒形，包括两部分，一部分是在印模组织面的外缘形成模型边台，宽度大于5mm,距离印模边缘3mm.另一部分在模型边台外缘形成围板，围板上缘之印模最高处大于10mm.常用的围模方法有蜡片围模法、型盒围模法、硅橡胶围模法等。
8、直接灌注法需要调拌两次石膏，操作步骤复杂，并且两次等待石膏凝固，需要较长工作时间。第一次灌注得到的石膏模型不一定厚度合适，如果超出标准模型厚度，还要进行模型底面的大量打磨。第一次灌注得到的石膏模型边缘可能较宽、侧壁可能较斜。经常无法直接放入金属底板中，一般需要大量修整，待修整至合适形态再放入金属底板中试一下，这时再调拌一些石膏放入金属底板的底面再放上第一次灌注并修整过的模型，此时如果石膏较多，还需要用手扶着或其他工具协助固定石膏，待第二次石膏凝固后，取下，因为金属底板只有底部的形态及石膏前后的高度，但石膏模型侧壁仍然没有塑性，所以这一步石膏模型需要再修整(主要是修整侧壁)，才能得到标准模型。
技术实现思路
1、围模灌注法需要准备多种不同材料，包埋用藻酸盐、围模用胶布或蜡片、灌石膏用石膏。其中藻酸盐及石膏需要按说明书比例提前称重，较麻烦。操作步骤多，需要至少3步完成。包埋用藻酸盐操作时间短，有时候未来得及塑形至理想形态就已经凝固。待石膏模型取出后，后续维护不方便，胶布粘在型盒侧壁上，较难清理。型盒选择受到托盘形状的限制，有的托盘，如初印模托盘前方带一个无法取下的手柄，还需要选择前方开口的型盒。型盒选择受到印模大小的限制，要准备多种大小型盒，如果型盒太小，石膏模型边台太窄，修整时容易破损。如果型盒太大，石膏模型边台太宽，后期需要用打磨机磨掉，增大工作量。
2、为了克服现有围模灌注法的缺点，减少人为误差，适应标准化作业的需要，本技术提供一种上颌无牙颌模型灌注用装置，其包括底座和侧壁，底座上部开口，底座下部开有圆三角形孔洞，孔洞适配带磁性的底盘，所述带磁性的底盘包括转盘和支撑座；支撑座的顶部与转盘之间通过轴承连接；支撑座的顶部是放置有磁吸片的磁性底板；其中，所述侧壁四周封闭，底座和侧壁围成一个内部空间。
3、优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，底座(1)和侧壁(2)是一体的。
4、更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)围成的内部空间与印模形状相适应。
5、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)围成的内部空间比印模大。
6、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部呈两侧高中间低的凹形。
7、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部呈两侧高中间低的凹形；侧壁后部最高处的部分距离底座内部空间的深度为24-26mm。
8、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部中间低的部分是平整的，其长度为29-31mm。
9、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)前部最高处的部分距离底座内部空间的深度为7-9mm。
10、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)前部最高处的部分距离底座内部空间的深度为8mm。
11、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)前部中间低的部分是平整的，其长度为19-21mm。
12、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)前部中间低的部分是平整的，其长度为20mm。
13、进一步更优选地，根据上述上颌无牙颌模型灌注用装置，其是用硅橡胶制作的。
14、使用本技术的上颌无牙颌模型灌注用装置，只要按照灌注步骤操作即可，可以进行标准化作业，从而可以提高牙齿石膏模型的制作效率。使用本技术的上颌无牙颌模型灌注用装置，可以一次性获得无牙颌的上颌标准石膏模型，利用模具底部的磁性底板和磁片，实现了工作模型与上合架石膏的磁性分离和复位。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种上颌无牙颌模型灌注用装置，其包括底座(1)和侧壁(2)，底座(1)上部开口，底座(1)下部开有圆三角形孔洞(3)，孔洞(3)适配带磁性的底盘(4)，所述带磁性的底盘(4)包括转盘(5)和支撑座(6)；支撑座(6)的顶部与转盘(5)之间通过轴承连接；支撑座(6)的顶部是放置有磁吸片(8)的磁性底板(7)；其中，所述侧壁(2)四周封闭，底座(1)和侧壁(2)围成一个内部空间。
2.根据权利要求1所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，底座(1)和侧壁(2)是一体的。
3.根据权利要求2所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)围成的内部空间与印模形状相适应。
4.根据权利要求3所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)围成的内部空间比印模大。
5.根据权利要求1所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部呈两侧高中间低的凹形；侧壁(2)后部最高处的部分距离底座(1)内部空间的深度为24-26mm。
6.根据权利要求5所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部中间低的部分是平整的，其长度为2
7.根据权利要求2所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部呈两侧高中间低的凹形；侧壁(2)后部最高处的部分距离底座(1)内部空间的深度为24-26mm。
8.根据权利要求7所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部中间低的部分是平整的，其长度为29-31mm。
9.根据权利要求3所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部呈两侧高中间低的凹形；侧壁(2)后部最高处的部分距离底座(1)内部空间的深度为24-26mm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其特征在于，其是用硅橡胶制作的。
...【技术特征摘要】
1.一种上颌无牙颌模型灌注用装置，其包括底座(1)和侧壁(2)，底座(1)上部开口，底座(1)下部开有圆三角形孔洞(3)，孔洞(3)适配带磁性的底盘(4)，所述带磁性的底盘(4)包括转盘(5)和支撑座(6)；支撑座(6)的顶部与转盘(5)之间通过轴承连接；支撑座(6)的顶部是放置有磁吸片(8)的磁性底板(7)；其中，所述侧壁(2)四周封闭，底座(1)和侧壁(2)围成一个内部空间。
2.根据权利要求1所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，底座(1)和侧壁(2)是一体的。
3.根据权利要求2所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)围成的内部空间与印模形状相适应。
4.根据权利要求3所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)围成的内部空间比印模大。
5.根据权利要求1所述的上颌无牙颌模型灌注用装置，其中，侧壁(2)后部呈两侧高中间低的凹...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲宸，
申请(专利权)人：首都医科大学附属北京潞河医院，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。