【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本公开涉及相变存储(phase-change memory，pcm)器件及其制造方法。
2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。
3、三维(three-dimensional，3d)存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3d存储器架构包括存储阵列和用于控制进出存储阵列的信号的外围器件。例如，pcm可以基于相变材料的电热加热和淬火，利用相变材料中非晶相和晶相的电阻率之间的差异。pcm阵列单元可以以3d垂直堆叠以形成3d pcm。
技术实现思路
1、在一个方面，一种存储装置包括存储单元阵列和耦合到存储单元阵列的控制逻辑。存储单元阵列包括字线、位线以及连接在字线和位线之间的存储单元。控制逻辑被配置成：接收刷新命令；存储来自所述存储单元阵列的第一读出数据；以及响应于满足预定条件，根据所述第一读出数据对存储单元阵列的第一存储单元重新编程。
2、在一些实施方案中，第一读出数据存储在所述存储装置的高速缓冲存储器中。
3、在一些实施方案中，存储装置还包括：页缓冲器，耦合到所述存储单元阵列；以及地址寄存器，耦合到所述控制逻辑。高速缓冲存储器位于所述页缓冲器、所述地址寄存器或所述控制逻辑中。
4、在一些实施方案中，第一读出数据以时间间隔被采样输出到高速缓冲存储
5、在一些实施方案中，存储装置还包括时钟、计时器、计数器或它们的组合。
6、在一些实施方案中，当时钟、定时器、计数器或它们的组合达到预定条件时，满足所述预定条件。
7、在一些实施方案中，预定条件包括时钟脉冲数、电压脉冲数或时间间隔。
8、在一些实施方案中，所述存储单元中的每个存储单元包括相变存储(phase-change memory，pcm)单元。
9、在另一方面，一种系统包括存储装置和存储器控制器，存储器控制器耦合到存储装置且被配置成控制存储装置。存储装置包括存储单元阵列和耦合到存储单元阵列的控制逻辑。存储单元阵列包括字线、位线以及连接在字线和位线之间的存储单元。控制逻辑被配置成：接收刷新命令；存储来自所述存储单元阵列的第一读出数据；以及响应于满足预定条件，根据所述第一读出数据对存储单元阵列的第一存储单元重新编程。
10、在一些实施方案中，第一读出数据存储在所述存储装置的高速缓冲存储器中。
11、在一些实施方案中，存储装置还包括：页缓冲器，耦合到所述存储单元阵列；以及地址寄存器，耦合到所述控制逻辑。高速缓冲存储器位于页缓冲区、地址寄存器或控制逻辑中。
12、在一些实施方案中，第一读出数据以时间间隔被采样输出到所述高速缓冲存储器。
13、在一些实施方案中，存储装置还包括：时钟、计时器、计数器或它们的组合。
14、在一些实施方案中，当时钟、定时器、计数器或它们的组合达到预定条件时，满足预定条件。
15、在一些实施方案中，预定条件包括时钟脉冲数、电压脉冲数或时间间隔。
16、在一些实施方案中，存储单元中的每个存储单元包括相变存储(pcm)单元。
17、在又一方面，提供了一种用于操作存储装置的方法。存储装置包括存储单元阵列。存储单元阵列包括字线、位线以及连接在字线和位线之间的存储单元。该方法包括：接收刷新命令；存储来自所述存储单元阵列的第一读出数据；以及响应于满足预定条件，根据第一读出数据对存储单元阵列的第一存储单元重新编程。
18、在一些实施方案中，该方法还包括：将第一读出数据存储在存储装置的高速缓冲存储器中。
19、在一些实施方案中，该方法还包括：以时间间隔将第一读出数据采样输出到所述高速缓冲存储器。
20、在一些实施方案中，该方法还包括：将第一读出数据传输至存储器控制器或主机。
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1.一种存储装置，包括：
2.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一读出数据存储在所述存储装置的高速缓冲存储器中。
3.如权利要求2所述的存储装置，还包括：
4.如权利要求2所述的存储装置，其中，所述第一读出数据以时间间隔被采样输出到所述高速缓冲存储器。
5.如权利要求1所述的存储装置，还包括：
6.如权利要求1所述的存储装置，其中，当时钟、定时器、计数器或其组合达到所述预定条件时，所述预定条件被满足。
7.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述预定条件包括时钟脉冲数、电压脉冲数或时间间隔。
8.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储单元中的每个存储单元包括相变存储(PCM)单元。
9.一种系统，包括：
10.如权利要求9所述的系统，其中，所述第一读出数据存储在所述存储装置的高速缓冲存储器中。
11.如权利要求10所述的系统，其中，所述存储装置还包括：
12.如权利要求10所述的系统，其中，所述第一读出数据以时间间隔被采样输出到所述高速缓冲存
13.如权利要求9所述的系统，其中，所述存储装置还包括：
14.如权利要求9所述的系统，其中，当时钟、定时器、计数器或它们的组合达到所述预定条件时，所述预定条件被满足。
15.如权利要求9所述的系统，其中，所述预定条件包括时钟脉冲数、电压脉冲数或时间间隔。
16.如权利要求9所述的系统，其中，所述存储单元中的每个存储单元包括相变存储(PCM)单元。
17.一种用于操作存储装置的方法，其中，所述存储装置包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括字线、位线以及连接在所述字线和所述位线之间的存储单元，并且所述方法包括：
18.如权利要求17所述的方法，还包括：
19.如权利要求18所述的方法，还包括：
20.如权利要求17所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储装置，包括：
2.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一读出数据存储在所述存储装置的高速缓冲存储器中。
3.如权利要求2所述的存储装置，还包括：
4.如权利要求2所述的存储装置，其中，所述第一读出数据以时间间隔被采样输出到所述高速缓冲存储器。
5.如权利要求1所述的存储装置，还包括：
6.如权利要求1所述的存储装置，其中，当时钟、定时器、计数器或其组合达到所述预定条件时，所述预定条件被满足。
7.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述预定条件包括时钟脉冲数、电压脉冲数或时间间隔。
8.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储单元中的每个存储单元包括相变存储(pcm)单元。
9.一种系统，包括：
10.如权利要求9所述的系统，其中，所述第一读出数据存储在所述存储装置的高速缓冲存储器中。
11.如权利要求10所述的系统，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李建平，董祖奇，孙晓军，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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