【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体晶体管(例如金属氧化物半导体晶体管(mos晶体管))已被用于各种应用，例如电源、功率变换器、开关等应用。传统的mos晶体管采用平面式结构，半导体集成电路的技术随着时间不断发展，mos晶体管采用了堆叠式结构，实现晶体管的微缩。在堆叠式结构的设计中，通常在衬底上形成若干源极线，然后在源极线上形成栅极结构，在栅极结构中形成若干通道结构，通道结构与源极线连接，在每个通道结构上形成对应的漏极结构，一个漏极结构通过一个通道结构连接至源极线，使得半导体器件的驱动能力有限，影响半导体器件的电性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供半导体器件及其制备方法，提高半导体器件的电性能。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件，包括：
3、衬底；
4、若干源极线，位于所述衬底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔排布；
5、若干源极焊盘，每个所述源极焊盘位于对应的所述源极线上且沿所述第二方向延伸位于相邻所述源极线之间；
6、若干单元结构，沿所述第一方向和所述第二方向排布位于所述源极焊盘上并与所述源极焊盘连接，且在所述第一方向上彼此错位的至少两个所述单元结构位于同一个所述源极焊盘上；
7、栅极结构，沿所述第二方向延伸，并连接位于同一所述源极焊盘上的单元结构；
8、若干漏极结构，分别位于对应的所述源极焊盘的上方，且每个所述漏
9、可选的，所述源极焊盘沿所述第一方向的两端部位于所述源极线上，所述源极焊盘沿所述第二方向的两端部均延伸位于相邻所述源极线之间。
10、可选的，所述源极焊盘的形状包括菱形或矩形。
11、可选的，若干所述源极焊盘阵列排布，且相邻两列所述源极焊盘沿所述第二方向交错设置。
12、可选的，四个所述单元结构位于一个所述源极焊盘上，且分别位于所述源极焊盘的四个端部。
13、可选的，所述栅极结构包括环状端部。
14、可选的，所述栅极结构包括位于所述单元结构沿所述第一方向两侧的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分通过所述环状端部连接。
15、可选的，所述栅极结构与所述单元结构之间具有栅极介质层和阻障层，若干所述栅极结构之间填充有第一隔离材料层。
16、本专利技术还提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
17、提供衬底；
18、形成若干源极线位于所述衬底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔排布；
19、形成若干源极焊盘，每个所述源极焊盘位于对应的所述源极线上且沿所述第二方向延伸位于相邻所述源极线之间；
20、形成若干单元结构，沿所述第一方向和所述第二方向排布位于所述源极焊盘上并与所述源极焊盘连接，且在所述第一方向上彼此错位的至少两个所述单元结构位于同一个所述源极焊盘上；
21、形成栅极结构沿所述第二方向延伸，并连接位于同一所述源极焊盘上的单元结构；以及，
22、形成若干漏极结构分别位于对应的所述源极焊盘的上方，且每个所述漏极结构与对应的所述源极焊盘连接的单元结构连接。
23、可选的，形成所述单元结构的步骤包括：
24、形成第一牺牲层至少覆盖所述源极焊盘；
25、刻蚀所述第一牺牲层以形成若干通孔，所述通孔的底部暴露所述源极焊盘；
26、形成单元结构填充所述通孔；
27、刻蚀去除所述第一牺牲层。
28、可选的，形成所述栅极结构的步骤包括：
29、形成第二牺牲层至少覆盖所述单元结构的表面；
30、刻蚀去除所述单元结构顶部的第二牺牲层；
31、形成第一隔离材料层填充于相邻所述单元结构之间，且所述第一隔离材料层的顶部与所述单元结构的顶部齐平；
32、刻蚀所述第一隔离材料层以形成若干贯穿所述第一隔离材料层的第一开口；
33、去除所述第二牺牲层，以在所述第二牺牲层所在的区域形成第二开口；
34、形成栅极材料层填充所述第一开口和所述第二开口；
35、刻蚀所述栅极材料层使得所述栅极材料层的顶部低于所述单元结构的顶部，剩余的所述栅极材料层作为所述栅极结构。
36、在本专利技术提供的半导体器件及其制备方法中，包括：衬底、若干源极线、若干源极焊盘、若干单元结构、栅极结构和若干漏极结构，其中若干源极线位于衬底上，并沿第一方向延伸且沿第二方向彼此间隔排布；每个源极焊盘位于对应的源极线上且沿第二方向延伸位于相邻源极线之间；若干单元结构沿第一方向和第二方向排布位于源极焊盘上并与源极焊盘连接，且在第一方向上彼此错位的至少两个单元结构位于同一个源极焊盘上；栅极结构沿第二方向延伸，并连接位于同一源极焊盘上的单元结构；若干漏极结构分别位于对应的源极焊盘的上方，且每个漏极结构与对应的源极焊盘连接的单元结构连接。本专利技术中通过在源极线上设置源极焊盘，源极焊盘沿第二方向延伸位于相邻源极线之间，若干单元结构沿第一方向和第二方向排布位于源极焊盘上并与源极焊盘连接，且在第一方向上彼此错位的至少两个单元结构位于同一个源极焊盘上，栅极结构连接位于同一源极焊盘上的单元结构，每个漏极结构与对应的源极焊盘连接的单元结构连接，实现每个漏极结构通过多个单元结构与对应的源极焊盘连接，能够提高半导体器件的驱动电流，从而提高半导体器件的电性能。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极焊盘沿所述第一方向的两端部位于所述源极线上，所述源极焊盘沿所述第二方向的两端部均延伸位于相邻所述源极线之间。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极焊盘的形状包括菱形或矩形。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，若干所述源极焊盘阵列排布，且相邻两列所述源极焊盘沿所述第二方向交错设置。
5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，四个所述单元结构位于一个所述源极焊盘上，且分别位于所述源极焊盘的四个端部。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构包括环状端部。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构包括位于所述单元结构沿所述第一方向两侧的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分通过所述环状端部连接。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构与所述单元结构之间具有栅极介质层和阻障层，若干所述栅极结构之间填充有第一隔离材料层
9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述单元结构的步骤包括：
11.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述栅极结构的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极焊盘沿所述第一方向的两端部位于所述源极线上，所述源极焊盘沿所述第二方向的两端部均延伸位于相邻所述源极线之间。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极焊盘的形状包括菱形或矩形。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，若干所述源极焊盘阵列排布，且相邻两列所述源极焊盘沿所述第二方向交错设置。
5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，四个所述单元结构位于一个所述源极焊盘上，且分别位于所述源极焊盘的四个端部。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈炫彤，蔡建成，周阳，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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