【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，特别涉及一种omog掩模基版的制造方法。
技术介绍
1、随着超大数值孔径193nm光刻机的引入，掩模上图形的尺寸越来越小。研究发现，掩模上用来挡光的cr越厚，光波与cr的相互作用就越强，导致曝光时的最佳聚焦值随图形尺寸而发生偏移，这种现象被称为掩模三维效应。为了降低掩模三维效应，采用具有更高光密度（optical density，od）的硅化钼（mosi）用作吸收层的材料，这种采用高光密度mosi材料做吸收层的掩模被称为不透明的mosi掩模（opaque mosi on glass, omog）。
2、omog使用mosi作为吸收层，钼硅化物层提供了足够的光密度，具有较高消光系数（k），很薄的钼硅化物层就可以有效地遮挡193nm波长的光，可以减小困扰超大数值孔径浸没式光刻的掩模三维效应，从而可以提高图案保真度和分辨率。并且，mosi材料具有很好的刻蚀性能，离子刻蚀可以很好地实现垂直的侧壁，有助于在最终产品中提供卓越的cd均匀性；此外，mosi薄膜自身具有很小的应力，这对提高掩膜版的平整度、减小图形的偏移有极大的优势。总之，omog光掩模具有更精细的分辨率、更高的保真度、更紧密的cd均匀性和更好的配准。
3、近年来，为了在更薄的条件下使钼硅化物层充分吸收紫外光，开发了基于多层mosi的omog掩模基版，多层mosi分别具有不同的钼和硅含量以使每层具有不同的光学参数（n，k），多层钼硅化物层界面间的反射光增加，能够提高吸收率，从而可以在更薄的条件下充分吸收紫外光，更薄的钼硅化物层能
4、然而，现有技术采用溅射沉积工艺形成omog光掩模的钼硅化物层，溅射沉积形成的mosi膜中钼和硅含量固定且钼和硅材料分布均匀，单层钼硅化物层的含量固定，多层钼硅化物层只能在层间界面处增加反射光，多层钼硅化物层增加反射光的能力有限，使得多层钼硅化物层虽然能够一定程度上增加反射光，提高吸收率，但无法达到omog光掩模所需的钼硅化物层厚度最小、吸光率最高的发展目标。并且，溅射沉积工艺使用的mosi靶材的mo和si的含量固定，很难通过调整工艺参数来调整溅射沉积工艺形成的mosi膜中mo和si的含量，只能通过更换mo和si含量不同的mosi靶材来形成mo和si含量不同的mosi膜，制造omog光掩模需要使用多个mo和si含量不同的mosi靶材，原材料成本高，严重影响omog光掩模制造成本。因此，传统omog掩模基版制造工艺存在无法满足omog光掩模发展需求，且工艺成本高，影响omog光掩模制造成本的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种omog掩模基版的制造方法，以解决传统omog掩模基版制造工艺存在的无法满足omog光掩模的发展需求，且工艺成本高，影响omog光掩模制造成本的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种omog掩模基版的制造方法，包括以下步骤：
3、提供透明基板；
4、在透明基板上依次交替沉积硅层和钼层，形成钼硅堆叠层；
5、对钼硅堆叠层进行热处理，使钼层中的mo原子完全移动到硅层中形成钼硅化物层，钼硅化物层具有预设厚度、预设mo和si含量，及预设mo原子分布梯度；
6、硅层和钼层通过薄膜沉积工艺沉积，薄膜沉积工艺根据预设厚度、预设mo和si含量及预设mo原子分布梯度分别控制硅层和钼层的厚度。
7、上述omog掩模基版的制造方法先在透明基板上依次沉积硅层和钼层形成钼硅堆叠层，沉积过程中根据预设钼硅化物层的预设厚度、预设mo和si含量及预设mo原子分布梯度控制硅层和钼层的厚度，完成钼硅堆叠层沉积后，再对钼硅堆叠层进行快速热退火处理使钼层中的mo原子完全移动到硅层中形成钼硅化物层。该方法能够通过控制沉积硅层和钼层的厚度来调整最终形成的钼硅化物层的厚度、钼硅化物层中mo和si的含量及mo原子的分布梯度，钼硅化物层可以形成总成连续钼硅成分的变化，钼硅化物层中mo原子分布呈梯度变化，能够形成层内反射反复吸收紫外光，从而可以使多层钼硅化物层界面间的反射光又被各层反复吸收，能够最大程度的提高吸光率。并且，上述omog掩模基版的制造方法使mo原子完全移动到硅层中完全消耗钼层形成钼硅化物层，经计算，钼硅化物层在原始硅层表面上增加的厚度仅为原始钼层厚度的1%，最终的钼硅化物层的厚度几乎等于原始硅层的厚度，通过控制原始钼层和硅层的厚度能够很好地控制钼硅化物层的厚度，因此，上述的omog掩模基版的制造方法能够在提高吸光率的同时尽可能减薄钼硅化物层的厚度，能够很好地达到omog光掩模所需的钼硅化物层厚度最小、吸光率最高的发展目标。
8、另外，上述的omog掩模基版的制造方法可以根据需要形成具有任意mo和si的含量的钼硅化物层，仅需使用一个单质钼靶材和一个单质硅靶材即可形成多种mo和si的含量不同的钼硅化物层，无需准备多个mo和si含量不同的mosi靶材，能够有效降低原材料成本，大大节约omog光掩模的制造成本。
9、综上，上述的omog掩模基版的制造方法能够最大程度地减小钼硅化物层的厚度并最大程度地提高吸光率，能够达到omog光掩模所需的钼硅化物层厚度最小、吸光率最高的发展目标，且上述omog掩模基版的制造方法能够有效降低工艺成本，利于节约omog光掩模制造成本。
10、在其中一个实施例中，形成钼硅化物层的步骤之后，还包括以下步骤：在钼硅化物层上涂覆光致抗蚀剂。
11、在其中一个实施例中，热处理的温度为400℃~800℃。
12、在其中一个实施例中，热处理的时间为10min~30min。
13、在其中一个实施例中，所述对所述钼硅堆叠层进行热处理的步骤包括：
14、对所述钼硅堆叠层进行快速热退火处理；
15、或，
16、对所述钼硅堆叠层进行激光或电子束扫描。
17、在其中一个实施例中，硅层的厚度和钼层的厚度均不大于30nm。
18、在其中一个实施例中，预设mo和si含量为mo原子的含量不大于si原子的含量的50%。
19、在其中一个实施例中，预设mo和si含量为mo原子的含量是si原子的含量的30%~45%。
20、在其中一个实施例中，薄膜沉积工艺包括溅射沉积工艺或原子层沉积工艺。
21、在其中一个实施例中，形成具有预设mo和si含量的钼硅化物层的步骤之后，还包括以下步骤：向钼硅化物层中注入氮原子、氧原子或碳原子中的至少一种原子。
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1.一种OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述形成钼硅化物层的步骤之后，还包括以下步骤：在所述钼硅化物层上涂覆光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述热处理的温度为400℃~800℃。
4.根据权利要求1所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述热处理的时间为10min~30min。
5.根据权利要求1所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述对所述钼硅堆叠层进行热处理的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述硅层的厚度和所述钼层的厚度均不大于30nm。
7.根据权利要求1所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述预设Mo和Si含量为Mo原子的含量不大于Si原子的含量的50%。
8.根据权利要求7所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述预设Mo和Si含量为Mo原子的含量是Si原子的含量的30%~45
9.根据权利要求1所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述薄膜沉积工艺包括溅射沉积工艺或原子层沉积工艺。
10.根据权利要求1所述的OMOG掩模基版的制造方法，其特征在于，所述形成具有预设Mo和Si含量的钼硅化物层的步骤之后，还包括以下步骤：向所述钼硅化物层中注入氮原子、氧原子或碳原子中的至少一种原子。
...【技术特征摘要】
1.一种omog掩模基版的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的omog掩模基版的制造方法，其特征在于，所述形成钼硅化物层的步骤之后，还包括以下步骤：在所述钼硅化物层上涂覆光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的omog掩模基版的制造方法，其特征在于，所述热处理的温度为400℃~800℃。
4.根据权利要求1所述的omog掩模基版的制造方法，其特征在于，所述热处理的时间为10min~30min。
5.根据权利要求1所述的omog掩模基版的制造方法，其特征在于，所述对所述钼硅堆叠层进行热处理的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的omog掩模基版的制造方法，其特征在于，所述硅层的厚度和...
【专利技术属性】
技术研发人员：季明华，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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