System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电容器组件封装结构制造技术_技高网

电容器组件封装结构制造技术

技术编号:43735791 阅读:3 留言:0更新日期:2024-12-20 12:58
本发明专利技术提供一种电容器组件封装结构,其包括一电容器组件、一第一内部导电结构、一第二内部导电结构、一绝缘封装体、一第一底端电极结构、一第二底端电极结构、一第一最外侧强化结构以及一第二最外侧强化结构。电容器组件包括彼此电性连接的多个电容器素子。每一电容器素子具有一正极部以及一负极部。每一电容器素子的正极部可以通过第一内部导电结构以电性连接于第一底端电极结构,借此以使得每一电容器素子的正极部与第一底端电极结构之间形成一第一最短导电路径。每一电容器素子的负极部可以通过第二内部导电结构以电性连接于第二底端电极结构,借此以使得每一电容器素子的负极部与第二底端电极结构之间形成一第二最短导电路径。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电容器组件封装结构,特别是涉及一种具有最短导电路径的电容器组件封装结构。


技术介绍

1、电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、计算机主板及其周边、电源供应器、通讯产品、及汽车等的基本组件,其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等,以成为电子产品中不可缺少的组件之一。依照不同的材质及用途,电容器包括铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、薄膜电容等。先前技术中,固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点,而可被应用于中央处理器的电源电路的解耦合作用上。一般而言,可利用多个电容器单元的堆栈,而形成高电容量的固态电解电容器,现前技术中的堆栈式固态电解电容器包括多个电容器单元与导线架,每一电容器单元包括阳极部、阴极部与绝缘部,并且绝缘部会使阳极部与阴极部彼此电性绝缘。特别的是,电容器单元的阴极部会彼此堆栈,并且借由在相邻的两个电容器单元之间设置导电体层,以使多个电容器单元之间能够彼此电性连接。然而,现有技术中的堆栈式电容器仍然具有可改善空间。


技术实现思路

1、本专利技术所欲解决的问题在于,针对现有技术的不足提供一种电容器组件封装结构,以使得每一电容器素子的正极部与第一底端电极结构之间形成一第一最短导电路径,且使得每一电容器素子的负极部与第二底端电极结构之间形成一第二最短导电路径。

2、为了解决上述的问题,本专利技术所采用的其中一技术手段是提供一种电容器组件封装结构,其包括:一电容器组件、一第一内部导电结构、一第二内部导电结构、一绝缘封装体、一第一底端电极结构、一第二底端电极结构、一第一最外侧强化结构以及一第二最外侧强化结构。电容器组件包括彼此电性连接的多个电容器素子,且每一电容器素子具有一正极部以及一负极部。第一内部导电结构电性接触每一电容器素子的正极部,且第一内部导电结构具有一第一裸露底端。第二内部导电结构电性接触每一电容器素子的负极部,且第二内部导电结构具有一第二裸露底端。绝缘封装体被配置以用于包覆电容器组件、第一内部导电结构以及第二内部导电结构,且第一内部导电结构的第一裸露底端以及第二内部导电结构的第二裸露底端从绝缘封装体的一底端裸露。第一底端电极结构设置在绝缘封装体的底端上且电性接触第一内部导电结构的第一裸露底端。第二底端电极结构设置在绝缘封装体的底端上且电性接触第二内部导电结构的第二裸露底端。第一最外侧强化结构邻近第一底端电极结构且设置在绝缘封装体的一第一侧面上。第二最外侧强化结构邻近第二底端电极结构且设置在绝缘封装体的一第二侧面上。其中,每一电容器素子的正极部通过第一内部导电结构以电性连接于第一底端电极结构,借此以使得每一电容器素子的正极部与第一底端电极结构之间形成一第一最短导电路径;其中,每一电容器素子的负极部通过第二内部导电结构以电性连接于第二底端电极结构,借此以使得每一电容器素子的负极部与第二底端电极结构之间形成一第二最短导电路径;其中,第一最短导电路径不需要经过第一最外侧强化结构,且第二最短导电路径不需要经过第二最外侧强化结构;其中,第一最外侧强化结构被配置以用于提供与外界接触的一第一最外侧裸露表面,且第二最外侧强化结构被配置以用于提供与外界接触的一第二最外侧裸露表面。

3、为了解决上述的问题,本专利技术所采用的另外一技术手段是提供一种电容器组件封装结构,其包括:一电容器组件、一第一内部导电结构、一第二内部导电结构、一绝缘封装体、一第一底端电极结构、一第二底端电极结构、一第一最外侧强化结构以及一第二最外侧强化结构。电容器组件包括彼此电性连接的多个电容器素子,且每一电容器素子具有一正极部以及一负极部。第一内部导电结构电性接触每一电容器素子的正极部,且第一内部导电结构具有一第一裸露底端。第二内部导电结构电性接触每一电容器素子的负极部,且第二内部导电结构具有一第二裸露底端。绝缘封装体被配置以用于包覆电容器组件、第一内部导电结构以及第二内部导电结构,且第一内部导电结构的第一裸露底端以及第二内部导电结构的第二裸露底端从绝缘封装体的一底端裸露。第一底端电极结构设置在绝缘封装体的底端上且电性接触第一内部导电结构的第一裸露底端。第二底端电极结构设置在绝缘封装体的底端上且电性接触第二内部导电结构的第二裸露底端。第一最外侧强化结构邻近第一底端电极结构且设置在绝缘封装体的一第一侧面上。第二最外侧强化结构邻近第二底端电极结构且设置在绝缘封装体的一第二侧面上。

4、本专利技术的其中一有益效果在于,本专利技术所提供的一种电容器组件封装结构,其能通过“第一内部导电结构电性接触每一电容器素子的正极部,且第一内部导电结构具有一第一裸露底端”、“第二内部导电结构电性接触每一电容器素子的负极部,且第二内部导电结构具有一第二裸露底端”、“第一底端电极结构设置在绝缘封装体的底端上且电性接触第一内部导电结构的第一裸露底端”、“第二底端电极结构设置在绝缘封装体的底端上且电性接触第二内部导电结构的第二裸露底端”、“第一最外侧强化结构邻近第一底端电极结构且设置在绝缘封装体的一第一侧面上”以及“第二最外侧强化结构邻近第二底端电极结构且设置在绝缘封装体的一第二侧面上”的技术方案,以使得每一电容器素子的正极部可以通过第一内部导电结构以电性连接于第一底端电极结构(借此以使得每一电容器素子的正极部与第一底端电极结构之间形成一第一最短导电路径),且使得每一电容器素子的负极部可以通过第二内部导电结构以电性连接于第二底端电极结构(借此以使得每一电容器素子的负极部与第二底端电极结构之间形成一第二最短导电路径)。

5、为使能进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图,然而所提供的附图仅用于提供参考与说明,并非用来对本专利技术加以限制。

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【技术保护点】

1.一种电容器组件封装结构,其特征在于,所述电容器组件封装结构包括:

2.根据权利要求1所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

6.一种电容器组件封装结构,其特征在于,所述电容器组件封装结构包括:

7.根据权利要求6所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

8.根据权利要求6所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

9.根据权利要求6所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

10.根据权利要求6所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种电容器组件封装结构,其特征在于,所述电容器组件封装结构包括:

2.根据权利要求1所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的电容器组件封装结构,其特征在于,

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【专利技术属性】
技术研发人员:蓝上哲赖雨琁马硕言
申请(专利权)人:钰邦科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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