【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体上涉及一种用于蚀刻样品的方法，其中所述方法包括脉冲蚀刻处理。
技术介绍
1、在半导体工业中，器件是由许多制造处理制造的，所述制造处理产生尺寸持续缩小的结构。随着器件的几何大小缩小，控制器件的处理均匀性和再现性变得更有挑战，在上游处理中更是如此。
2、在当前的等离子体蚀刻处理中，存在与脉冲源和偏压电压结合使用的一些化学物质。这些化学物质包括氯(cl)、溴化氢(hbr)或其组合。这些等离子体蚀刻处理一般具有两个状态系统，其中在第一状态下施加源功率，之后在第二状态下施加偏压功率。已发现这些系统在执行等离子体蚀刻之后在样品中产生v形轮廓。由于器件宽度随着深度变化，所以在经蚀刻的基板中形成的v形造成非期望的器件性能。因此，需要改善等离子体蚀刻处理，使得在样品的整个深度上具有更均匀的轮廓，诸如更直的轮廓。
技术实现思路
1、在本公开的一些实施例中，提供了一种蚀刻样品的方法。所述方法可以包括执行等离子体蚀刻脉冲。在一些实施例中，所述等离子体蚀刻脉冲可以包括：朝向所述样品引导包括四氯化硅(sicl4)和稀释剂的气流；在朝向所述样品引导包括所述sicl4和所述稀释剂的流的同时，施加偏压功率以实现偏压状态达第一时间段；施加源功率，以实现源状态达第二时间段；以及不施加偏压功率和源功率，以实现恢复状态达第三时间段。在所述方法的一些实施例中，可重复所述等离子体蚀刻脉冲，直到已蚀刻目标量的所述样品为止。
2、在本公开的另一实施例中，提供了一种蚀刻基板的方法，其中所述基
3、在本公开的又另一实施例中，提供一种蚀刻样品的方法，所述方法包括执行等离子体蚀刻脉冲以及重复所述等离子体蚀刻脉冲，直到已蚀刻目标量的所述样品为止。所述方法的执行等离子体蚀刻脉冲可以包括：在朝向所述样品引导气体与稀释剂的流的同时，施加偏压功率以实现偏压状态达第一时间段；施加源功率，以实现源状态达第二时间段；以及不施加偏压功率和源功率，以实现恢复状态达第三时间段。
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1.一种蚀刻样品的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述偏压状态期间不施加源功率，并且在所述源状态期间不施加偏压功率。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述偏压功率是从约100W至约5000W。
4.如权利要求1所述的方法，其中偏压频率是从约400kHz至约60MHz。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体蚀刻脉冲是在约0.1mT至约500mT的压力下执行的。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体蚀刻脉冲是在约-50℃至约300℃的温度下执行的。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述源功率是从约100W至约5000W。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述稀释剂包括氩气(Ar)、氦气(He)、或上述两者的混合物。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述气流包括量为约5mol％至约80mol％的SiCl4。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述气流包括量为约5mol％至约15mol％的Ar，以及量为约5mol％至约90mol％的He。
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