【技术实现步骤摘要】
本公开实施例属于半导体工艺，具体涉及一种密集线圈制备方法及密集线圈。
技术介绍
1、如图1所示，在mems产品设计中会有大面积密集au线圈设计，线圈两端会存在独立标准au线设计。密集的au线圈中au线之间的间距设计较窄，线圈密度较高(间距≤15um)。密集的au线圈&独立标准au线设计均具有高宽比的特性(高：宽≥
2、1：1)。密集au线设计会造成au线与ubm(电镀种子层)应力集中、高宽比的特性会导致au线抗剪切力较弱，以上两点均会引起au线脱落问题。
3、一方面可以通过降低ubm层(电镀种子层)厚度可有效降低应力产生，但随着ubm层厚度降低，阻值上升，电镀过程中导电性变差，造成au线高度的均匀性变差，无法满足高度均匀性需求。另一方面可以通过提高退火温度或延长退火时间有利于au线与ubm层应力释放，但会降低au线硬度，造成au线剪切力偏低。
4、针对上述问题，有必要提出一种设计合理且有效解决上述问题的密集线圈制备方法及密集线圈。
技术实现思路
1、本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种密集线圈制备方法及密集线圈。
2、本公开实施例的一方面提供一种密集线圈制备方法，所述制
3、备方法包括：
4、提供晶圆，所述晶圆的功能面设置有焊盘；
5、在所述晶圆的功能面上形成种子层；
6、在所述种子层上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行图形化以形成开窗，其中，所述开窗的顶
7、采用第一电流密度在所述开窗内电镀形成第一金属凸块，所述第一金属凸块通过所述种子层与所述焊盘电连接；
8、采用第二电流密度在所述第一金属凸块上电镀形成第二金属凸块，以形成线圈本体，其中，所述第二电流密度大于所述第一电流密度；
9、去除残余的所述光刻胶层和部分所述种子层。
10、可选的，所述第一电流密度的范围为小于0.3asd，所述第二电流密度的范围为0.5asd～0.6asd。
11、可选的，所述第一金属凸块的高度大于等于所述线圈本体高度的1/3。
12、可选的，所述对所述光刻胶层进行图形化以形成开窗，包括：
13、提供掩模版，所述掩模版上设置有与所述线圈本体相匹配的预设形状；
14、将所述掩模版放置于所述光刻胶层之上；
15、以所述掩模版为掩膜，对所述光刻胶层进行曝光和显影，将所述预设形状转移至所述光刻胶层，以在所述光刻胶层上形成所述开窗；其中，
16、所述曝光聚焦高度范围为50um～70um。
17、可选的，所述开窗的横截面尺寸自其顶壁向其底壁逐渐增大。
18、可选的，所述去除部分种子层包括：
19、对所述种子层进行刻蚀，以去除部分所述种子层，使得剩余的所述种子层仅与所述第一金属凸块连接。
20、本公开实施例的另一方面提供一种密集线圈，所述密集线圈包括：
21、晶圆，所述晶圆的功能面设置有焊盘；
22、种子层，设置于所述晶圆功能面；
23、线圈本体，设置于所述种子层并通过所述种子层与所述焊盘电连接，所述线圈本体的顶壁横截面尺寸小于所述线圈本体的底壁横截面尺寸；其中，
24、所述线圈本体包括设置于所述种子层的第一金属凸块以及设置于所述第一金属凸块的第二金属凸块。
25、可选的，所述第一金属凸块的高度大于等于所述线圈本体高度的1/3。
26、可选的，所述线圈本体的横截面尺寸自其顶壁向其底壁逐渐增大。
27、可选的，所述线圈本体为金线圈。
28、本公开实施例的密集线圈制备方法及密集线圈，该密集线圈制备方法中，通过对光刻胶层进行图形化形成开窗，开窗的顶壁横截面尺寸小于所述开窗的底壁横截面尺寸，使得在开窗内电镀形成的线圈本体的顶壁横截面尺寸小于其底壁横截面尺寸，增加线圈本体与种子层的接触面积，使线圈本体更加牢固的固定于种子层，减少密集线圈在种子层的应力集中；采用第一电流密度在开窗内电镀形成第一金属凸块，采用第二电流密度在第一金属凸块上电镀形成第二金属凸块，以形成线圈本体，采用低电流密度电镀形成的第一金属凸块沉积速度缓慢，使得第一金属凸块产生的应力小，采用正常电流密度在第一金属凸块上电镀形成第二金属凸块，减少线圈本体应力产生。本公开实施例制备的密集线圈可以避免线圈脱落，可靠性高。
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1.一种密集线圈制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的密集线圈制备方法，其特征在于，所述第一电流密度的范围为小于0.3ASD，所述第二电流密度的范围为0.5ASD～0.6ASD。
3.根据权利要求2所述的密集线圈制备方法，其特征在于，所述第一金属凸块的高度大于等于所述线圈本体高度的1/3。
4.根据权利要求1至3任一项所述的密集线圈制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图形化以形成开窗，包括：
5.根据权利要求1至3任一项所述的密集线圈制备方法，其特征在于，所述开窗的横截面尺寸自其顶壁向其底壁逐渐增大。
6.根据权利要求1至3任一项所述的密集线圈制备方法，其特征在于，所述去除部分种子层包括：
7.一种密集线圈，其特征在于，所述密集线圈包括：
8.根据权利要求7所述的密集线圈，其特征在于，所述第一金属凸块的高度大于等于所述线圈本体高度的1/3。
9.根据权利要求7所述的密集线圈，其特征在于，所述线圈本体的横截面尺寸自其顶壁向其底壁逐渐增大。
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【技术特征摘要】
1.一种密集线圈制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的密集线圈制备方法，其特征在于，所述第一电流密度的范围为小于0.3asd，所述第二电流密度的范围为0.5asd～0.6asd。
3.根据权利要求2所述的密集线圈制备方法，其特征在于，所述第一金属凸块的高度大于等于所述线圈本体高度的1/3。
4.根据权利要求1至3任一项所述的密集线圈制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图形化以形成开窗，包括：
5.根据权利要求1至3任一项所述的密集线圈制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：何腾腾，
申请(专利权)人：厦门通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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