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一种低噪声MEMS加速度计制造技术

技术编号:43732123 阅读:16 留言:0更新日期:2024-12-20 12:56
本技术公开了一种低噪声MEMS加速度计,包括上玻璃层、硅层、下玻璃层和两组马蹄形磁铁,上玻璃层上设有一个U型空腔,下玻璃层上设有一个矩形空腔,上玻璃层上设有金属上电极阵列,上玻璃层上设有上内部焊盘、上金属密封圈和焊料层;硅层包括大尺寸敏感质量区、E形折叠梁结构以及振子外框架;硅层上表面有一层金属层结构,马蹄形磁铁包括磁轭、磁铁本体和磁极片;敏感质量区、E形折叠梁结构和振子外框架的厚度相同,本技术通过深反应离子刻蚀技术实现了低噪声的质量‑弹簧振子结构,通过热压键合和胶键合的方式实现了玻璃‑硅‑玻璃的三明治加速度计结构,提高了MEMS加速度计的性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微机电,特别涉及一种低噪声mems加速度计。


技术介绍

1、微机电系统(mems,micro electro mechanical system)包括微传感器、微驱动器和相应的处理电路,是在微电子和微机械技术基础上发展起来的新学科。它采用集成电路兼容的批量加工技术制造,构成的原件尺寸在毫米-微米量级范围内,相比传统机械器件具有体积小、重量轻、可靠性高、易于集成等优点,极大地提高了系统的自动化、智能化和可靠性水平。mems加速度计是利用微机械加工技术,将加速度信号转换为惯性力完成物理量检测的惯性仪表。相较于传统加速度计,mems加速度计具有体积小、成本低、抗过载能力强、可批量加工生产等优点。目前,mems加速度计不仅成为微型惯性测量组合的核心元件,也迅速扩大到其他民用领域。传统的mems加速度计主要应用于汽车电子、商业电子等低精度场景,器件本底噪声较高,无法满足地震预警、油气勘探等高精度任务需求。当对低噪声mems加速度计的研发较少,如何设计一款可以进行微震信号检测的低噪声mems加速度计,是现阶段需要解决的问题。


技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种低噪声mems加速度计,该加速度计实现了大敏感质量区、低谐振频率和高品质因子的整体结构,减小了器件的热机械噪声;在传统蛇形折叠梁基础上,实现了带中间框架的e形折叠梁结构,减小了寄生模式影响,抑制了交叉轴串扰;提出了基于三角形电极的位移-电容传感阵列,通过交叉放置两组电极,使得电极排布更加紧密,提高了整个有效检测周期内的电容检测灵敏度。

2、本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:

3、一种低噪声mems加速度计,包括一个带类u型空腔的上玻璃层、一个质量-弹簧振子硅层、一个带大面积矩形空腔的下玻璃层和两组马蹄形磁铁;上玻璃层上表面有一层金属上电极阵列、上内部焊盘、上金属密封圈和用于所述上玻璃层和所述质量-弹簧振子结构层键合的焊料层;质量-弹簧振子硅层包括大尺寸敏感质量区、与敏感质量区相连的带中间框架的e形折叠梁结构和与折叠梁相连的振子外框架,振子硅层上表面有一层金属层结构,包括与所述上玻璃层表面的金属上电极阵列组成位移-电容传感器的三角形下电极阵列、用于电磁反馈的金属线圈、用于信号传输的下内部焊盘、下金属密封圈和外部焊盘;马蹄形磁铁包括磁轭、马蹄形磁铁和磁极片;加速度计的敏感质量区、e形折叠梁结构、外框架的厚度相同,并且均处于同一上表面。低噪声mems加速度计的结构包括上玻璃基底层、上玻璃金属层、上玻璃焊料层、硅基底层、绝缘层一、欧姆接触层、金属层一、绝缘层二、金属层二和下玻璃基底层。所述上、下玻璃基底层均为带空腔的硼硅玻璃;所述上玻璃金属层包括金属上电极阵列、上内部焊盘、上金属密封圈,金属上电极阵列为矩形电极;上玻璃焊料层为用于所述上玻璃层和所述质量-弹簧振子结构层键合的焊料锡;所述硅基底层包括质量-弹簧振子结构和外框架;所述金属层一包括零电位层和信号走线;所述金属层二包括三角形下电极阵列、金属线圈、下内部焊盘、下金属密封圈、外部焊盘和信号走线。

4、加速度计的敏感轴方向为水平方向,当敏感轴方向输入加速度信号时,所述敏感质量区受到惯性力的作用发生位移,e形折叠梁串联结构随之形变,总是一边拉伸一边压缩,形成与惯性力反向的弹力,使所述质量-弹簧振子结构趋于稳定,将输入加速度信号转换为所述敏感质量区的位移信号。

5、弹簧梁结构包括关于所述敏感质量区对称的带中间框架的串联e形折叠梁。e形折叠梁是在传统蛇形折叠梁的基础上增加中间连接梁改进得到,多组折叠梁串联,并通过中间框架连接,形成了振子的弹簧结构。

6、敏感质量区的上表面溅射了三角形下电极阵列,采用特殊的三角形形状,包含两组交叉放置的电极阵列。上玻璃的上表面溅射了传统矩形上电极阵列,上下电极形成基于三角形电极的电容传感器,实现敏感质量区的位移检测。

7、反馈驱动器采用电磁反馈方式,两组马蹄形磁铁分别设置在器件的上下方,形成外部磁路,在电磁线圈中通入电流,根据导电线圈在磁场中受到洛伦兹力的原则,可以完成电磁方式的闭环反馈。

8、低噪声mems加速度计的加工工艺,包括如下步骤:

9、s1:在上玻璃晶圆正面制作空腔、金属上电极阵列和焊料层;

10、s2:在下玻璃晶圆正面制作空腔和胶合层;

11、s3:在硅晶圆正面制作三角形下电极阵列、金属线圈、下内部焊盘、下金属密封圈和外部焊盘;

12、s4:在硅晶圆正面进行深反应离子刻蚀,刻穿形成质量-弹簧振子结构;

13、s5:利用热压键合、胶键合的方式分别实现硅晶圆与上玻璃晶圆、下玻璃晶圆的键合。

14、步骤s1中对上玻璃晶圆进行激光刻蚀,刻蚀出空腔,减小器件的滑膜阻尼;接着溅射金属对准标记,与激光刻蚀的十字标记对准,用于后续版图的定位;接着利用光刻溅射后剥离的方式形成上玻璃的金属上电极阵列,与硅层三角形下电极阵列形成电容传感器;最后通过电镀的方式形成厚焊料,形成上下电极之间的电容间隙,并为后续信号传输和热压键合做准备;

15、步骤s2对下玻璃晶圆进行激光刻蚀,刻蚀出空腔;接着溅射金属对准标记;最后旋涂光刻胶,为下玻璃与硅的胶键合做准备;

16、步骤s3中包括对准标记层、绝缘层一、欧姆接触层、金属层一、绝缘层二、金属层二的制作,其中涉及光刻、rie、pecvd、溅射等工艺;

17、步骤s4中对硅晶圆进行深反应离子刻蚀,为避免切边效应同时提高刻蚀速率,先在硅晶圆背面溅射一层铝薄膜;刻蚀2/3深度后,利用光刻胶贴片继续刻蚀,直至全部刻穿;最后溶解光刻胶和铝层,释放硅体结构。

18、步骤s5中包括两次晶圆级键合,由于胶键合温度较低,因此首先进行上玻璃晶圆与硅晶圆之间的热压键合,接着进行硅晶圆与下玻璃晶圆之间的胶键合。

19、经过上述步骤,低噪声mems加速度计加工完成。

20、本技术的有益效果为:本方案设计了一种低噪声mems加速度计,可以实现较低的热机械噪声,低噪声通过大敏感质量区、低谐振频率、高品质因子实现。大敏感质量区通过大尺寸硅质量块实现;低谐振频率通过多组串联折叠梁实现;高品质因子通过在上下玻璃盖板刻蚀空腔实现。质量-弹簧振子结构的加工通过深反应离子刻蚀形成质量块与串联折叠梁结构,上下玻璃盖板的加工通过激光刻蚀形成大面积、深尺寸的空腔。相较于传统mems加速度计,本技术涉及的低噪声mems加速度计还实现了带中间框架的e形折叠梁结构,提高了寄生模式抑制比,减小了寄生模式影响,抑制了交叉轴串扰。此外,本技术实现了基于三角形电极的位移-电容传感阵列,可以增加电极排布密度,提高整个检测周期内的灵敏度。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低噪声MEMS加速度计,包括上玻璃层(1)、硅层(2)、下玻璃层(3)和两组马蹄形磁铁(4),其特征在于,所述上玻璃层(1)上设有一个U型空腔,所述下玻璃层(3)上设有一个矩形空腔,所述硅层(2)为质量-弹簧振子硅层(2),

2.根据权利要求1所述的一种低噪声MEMS加速度计,其特征在于,所述敏感质量区(9)的敏感轴方向为水平方向。

3.根据权利要求1所述的一种低噪声MEMS加速度计,其特征在于,所述E形折叠梁(10)结构包括关于所述敏感质量区(9)对称的带中间框架的E形折叠梁(10),所述E形折叠梁(10)包括蛇形折叠梁和中间连接梁,多组所述E形折叠梁(10)串联,并通过中间框架连接,以形成振子的弹簧结构。

4.根据权利要求3所述的一种低噪声MEMS加速度计,其特征在于,所述下电极阵列位于所述敏感质量区(9)的上表面,所述下电极阵列内设有两组交叉放置的电极阵列,所述金属上电极阵列(5)为矩形电极,所述矩形的金属上电极阵列(5)与三角形的下电极阵列配合,形成基于三角形电极的电容传感器,所述电容传感器用于检测敏感质量区(9)的位移。>

5.根据权利要求1所述的一种低噪声MEMS加速度计,其特征在于,所述上玻璃层(1)、硅层(2)和下玻璃层(3)组合成反馈驱动器,所述反馈驱动器采用电磁反馈方式,两组所述马蹄形磁铁(4)分别设置在反馈驱动器的上方和下方,以形成外部磁路。

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【技术特征摘要】

1.一种低噪声mems加速度计,包括上玻璃层(1)、硅层(2)、下玻璃层(3)和两组马蹄形磁铁(4),其特征在于,所述上玻璃层(1)上设有一个u型空腔,所述下玻璃层(3)上设有一个矩形空腔,所述硅层(2)为质量-弹簧振子硅层(2),

2.根据权利要求1所述的一种低噪声mems加速度计,其特征在于,所述敏感质量区(9)的敏感轴方向为水平方向。

3.根据权利要求1所述的一种低噪声mems加速度计,其特征在于,所述e形折叠梁(10)结构包括关于所述敏感质量区(9)对称的带中间框架的e形折叠梁(10),所述e形折叠梁(10)包括蛇形折叠梁和中间连接梁,多组所述e形折叠梁(10)串联,并通过中间框...

【专利技术属性】
技术研发人员:车录锋陈梦佳
申请(专利权)人:浙江大学
类型:新型
国别省市:

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