【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造工艺，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体制造工艺的发展，器件的尺寸越来越小。对于擦写动作的需求，无法一味地减小沟道长度或宽度，严重时将造成存储单元擦写性能急剧下降。
2、因此，如何在保证存储单元的擦写性能的情况下减小器件尺寸成为了亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开公开了一种半导体结构及其制造方法，可以在保证存储单元擦写性能的情况下，减小器件尺寸。
2、为达到上述目的，本公开提供以下技术方案：
3、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有存储区域，所述存储区域形成有存储晶体管的栅极结构；对对应于所述存储晶体管源极的存储区域的衬底上部，通过第一制备工艺形成所述存储晶体管的源极；通过第二制备工艺形成所述存储晶体管的漏极触点和源极触点；其中，所述第一制备工艺与所述第二制备工艺不同。
4、本公开实施例中，对应于所述存储晶体管源极的存储区域的衬底上部通过第一制备工艺形成所述存储晶体管的源极；且对对应于所述存储晶体管漏极和漏极的存储区域的衬底上部通过第二制备工艺形成所述存储晶体管的漏极触点和源极触点。这样可以兼具两种制备工艺的优点，可以有效减少存储单元面积，不影响存储单元的擦写性能。
5、在本公开一个实施例中，所述第二制备工艺包括漏极制备工艺和自对准触点工艺；所述通过第二制备工艺形成所述存储晶体管的漏极触点和源极触点，包括：通过所述
6、在本公开实施例中，对对应于存储晶体管漏极的存储区域的衬底上部进行第二制备工艺，通过漏极制备工艺形成存储晶体管的漏极，通过自对准触点工艺形成漏极/源极接触孔，可以缩小漏极面积，从而实现减少存储单元面积的目的。
7、在本公开一个实施例中，所述通过所述漏极制备工艺形成所述存储晶体管的漏极，包括：在形成有所述存储晶体管的栅极结构的衬底上形成第一阻挡层；透过所述第一阻挡层对所述存储晶体管的漏极区和源极区进行漏极离子注入和漏极退火工艺，形成所述存储晶体管的漏极。
8、在本公开实施例中，通过对存储晶体管的漏极区和源极区进行漏极离子注入和漏极退火工艺，提升源极的掺杂浓度，降低源极的接触电阻。
9、在本公开一个实施例中，所述通过所述自对准触点工艺形成漏极接触孔和源极接触孔，包括：在形成有所述存储晶体管的漏极的衬底上形成层间介质ild膜层；对预设位置的所述ild膜层进行自对准触点工艺，形成所述存储晶体管的漏极接触孔和所述源极接触孔。
10、在本公开实施例中，通过在形成有存储晶体管的漏极的衬底上形成ild膜层，保护栅极侧墙，可以减小小间距的栅极结构之间的硅损耗。
11、在本公开一个实施例中，所述漏极接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔位于所述存储晶体管的相邻两个栅极结构之间，所述第二接触孔与远离所述衬底一侧的所述第一接触孔连通，所述第二接触孔搭接在所述相邻两个栅极结构上，和/或所述源极接触孔包括第三接触孔和第四接触孔，所述第三接触孔位于所述存储晶体管的相邻两个栅极结构之间，所述第四接触孔与远离所述衬底一侧的所述第三接触孔连通，所述第四接触孔搭接在所述相邻两个栅极结构上。
12、在本公开实施例中，漏极接触孔和源极接触孔可以搭接在相邻的两个栅极结构上，从而减小漏极接触孔和源极接触孔的面积，达到减小存储单元面积的目的。
13、在本公开一个实施例中，所述衬底上还形成有外围区域，所述外围区域形成有外围晶体管的栅极结构；其中，在所述在形成有所述存储晶体管的漏极的衬底上形成层间介质ild膜层之前，所述方法还包括：在形成所述存储晶体管的漏极之后的所述衬底上，形成第二阻挡层；对对应于所述外围晶体管的源极位置和漏极位置的所述第二阻挡层进行刻蚀，以形成所述外围晶体管的源极区和漏极区；对所述外围晶体管的源极区和漏极区进行离子注入，形成所述外围晶体管的源极和漏极。
14、在本公开实施例中，通过在形成存储晶体管的漏极之后的衬底上形成第二阻挡层，刻蚀后形成外围晶体管的源极区和漏极区，对外围晶体管的源极区和漏极区进行离子注入，形成外围晶体管的源极和漏极，一方面，实现了存储晶体管与外围晶体管的制备工艺整合，缩短工艺时间；另一方面，在进行离子注入时，外围晶体管和存储晶体管的阻隔层相同，便于工艺控制。
15、在本公开一个实施例中，所述方法还包括：对对应于所述外围晶体管的源极位置和漏极位置的ild膜层进行刻蚀，形成所述外围晶体管的漏极接触孔和源极接触孔；对对应于所述存储晶体管的栅极位置和所述外围晶体管的栅极的ild膜层进行刻蚀，以形成所述存储晶体管的栅极接触孔和所述外围晶体管的栅极接触孔；在所述存储晶体管的栅极接触孔和所述外围晶体管的栅极接触孔内填充导电层，以形成所述存储晶体管的栅极触点和所述外围晶体管的栅极触点。
16、在本公开实施例中，存储晶体管的漏极接触孔和源极接触孔与外围晶体管的漏极接触孔和源极接触孔同时形成，存储晶体管的栅极接触孔与外围晶体管的栅极接触孔同时形成，一方面，可以缩短工艺时间，另一方面，漏极/源极与栅极的刻蚀深度存在厚度差异，采用两次刻蚀能够降低工艺控制难度大，提升良品率。
17、在本公开一个实施例中，所述第一制备工艺包括自对准源极工艺，所述自对准源极工艺包括：在形成有所述存储晶体管的栅极结构的衬底上形成掩膜层；对对应于所述存储晶体管源极的掩膜层进行自对准源极刻蚀，形成所述存储晶体管的源极区；对所述存储晶体管的源极区进行自对准源极离子注入和自对准源极退火，形成所述存储晶体管的源极。
18、本公开实施例中，对应于存储晶体管源极的存储区域的衬底上部，通过第一制备工艺形成存储晶体管的源极，能够减少源极区的面积，从而实现存储单元面积减小的目的。
19、在本公开一个实施例中，所述提供衬底，所述衬底上形成有存储区域，所述存储区域形成有存储晶体管的栅极结构，包括：提供形成有存储晶体管的堆叠层的衬底；以及对所述堆叠层进行刻蚀，以形成所述存储晶体管的栅极结构。
20、在本公开一个实施例中，所述提供形成有存储晶体管的堆叠层的衬底，包括：在所述存储区域的衬底上形成隧穿氧化层、浮栅层、层间介质层、控制栅层和阻挡材料层。
21、在本公开实施例中，通过在控制栅层上形成阻挡材料层，有效防止漏极或源极与栅极短路。
22、在本公开一个实施例中，所述阻挡材料层的刻蚀选择比大于所述第一阻挡层的刻蚀选择比。
23、在本公开实施例中，通过选择阻挡材料层的刻蚀选择比大于第一阻挡层的刻蚀选择比的材料，有效防止漏极/源极与栅极短路。
24、在本公开的另一个方面，还提供了一种半导体结构，包括：衬本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二制备工艺包括漏极制备工艺和自对准触点工艺；
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述通过所述漏极制备工艺形成所述存储晶体管的漏极，包括：
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述通过所述自对准触点工艺形成漏极接触孔和源极接触孔，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底上还形成有外围区域，所述外围区域形成有外围晶体管的栅极结构；
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一制备工艺包括自对准源极工艺，所述自对准源极工艺包括：
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供衬底，所述衬底上形成有
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供形成有存储晶体管的堆叠层的衬底，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡材料层的刻蚀选择比大于所述第一阻挡层的刻蚀选择比。
12.一种半导体结构，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
15.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述漏极接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔位于所述存储晶体管的相邻两个栅极结构之间，所述第二接触孔与远离所述衬底一侧的所述第一接触孔连通，所述第二接触孔搭接在所述相邻两个栅极结构上；
17.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底上还形成有外围区域，所述外围区域形成有外围晶体管的栅极结构；
18.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
19.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层包括依次形成于所述衬底的第一材料层和第二材料层，其中，所述第一材料层包括二氧化硅层，所述第一材料层的厚度在之间，所述第二材料层包括氮化硅层，所述第二材料层的厚度在之间。
20.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述第二阻挡层包括二氧化硅层，所述第二阻挡层的厚度在之间。
21.根据权利要求12-20任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述存储区域的堆叠层包括在所述存储区域的衬底上形成的隧穿氧化层、浮栅层、层间介质层、控制栅层和阻挡材料层。
22.根据权利要求21所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡材料层包括氮化硅层，所述氮化硅层的厚度在之间。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二制备工艺包括漏极制备工艺和自对准触点工艺；
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述通过所述漏极制备工艺形成所述存储晶体管的漏极，包括：
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述通过所述自对准触点工艺形成漏极接触孔和源极接触孔，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，
6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述衬底上还形成有外围区域，所述外围区域形成有外围晶体管的栅极结构；
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一制备工艺包括自对准源极工艺，所述自对准源极工艺包括：
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供衬底，所述衬底上形成有存储区域，所述存储区域形成有存储晶体管的栅极结构，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供形成有存储晶体管的堆叠层的衬底，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡材料层的刻蚀选择比大于所述第一阻挡层的刻蚀选择比。
12.一种半导体结构，其特征在于，包括：
13.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：许毅胜，熊涛，冯骏，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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