【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
根据本公开实施方案的技术(本技术)涉及光电检测装置和包括该光电检测装置的电子设备。
技术介绍
1、常规地，例如，诸如电荷耦合器件(ccd)和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器等固态摄像元件用作诸如数码相机和数码摄像机等具有摄像功能的电子设备中的光电检测装置。光电检测装置包括其中组合有执行光电转换的光电二极管(光电转换元件)和晶体管的像素，并且基于从二维布置的多个像素输出的像素信号形成图像。
2、此外，近年来，还提出了一种具有在两个以上像素上形成一个片上透镜的结构的图像传感器。在这种类型的图像传感器中，使用在片上透镜下方的多个像素的一部分来检测相位，从而提高自动聚焦(af)速度。此外，基于由各像素获得的像素信号生成相位信息，并且基于相位信息执行测距。
3、注意的是，在强光入射到像素上的情况下，可能会发生称为颜色混合的现象，其中累积在像素的光电二极管中的电荷饱和并溢出，并且泄漏到相邻像素。因此，已经提出了一种设置有分离像素的像素分离区域的固态摄像装置(例如，专利文献1)。
4、引用文献列表
5、专利文献
6、专利文献1：日本专利申请特开第2021-27276号
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题
2、注意的是，为了提高各像素的量子效率(qe)，已经常规地提出了一种技术，其中在像素分离区域中经由绝缘膜嵌入导体膜(例如，含硼多晶硅膜或含硼非晶硅膜)，并且向像素分离区域中的导体膜施加负偏压以增强像素分离区域
3、然而，在两个以上像素上形成一个片上透镜的结构中，入射光经由片上透镜会聚在像素分离区域上，并且入射光被聚光部吸收，使得量子效率劣化。
4、本公开是鉴于这种情况而实现的，并且本公开的目的是提供一种既能够实现聚光部的吸收抑制，又能够通过导体膜实现负偏压钉扎的光电检测装置以及电子设备。
5、技术问题的解决方案
6、本公开的一个方面是一种光电检测装置，其包括：半导体层，在所述半导体层中，以矩阵形式布置有能够根据从外部入射的光生成电信号的多个像素；像素分离区域，其形成在所述半导体层中并且将相邻像素彼此分离；以及片上透镜，其布置在所述半导体层的光入射面这一侧，针对每个包括两个以上像素的像素组形成，并且将来自外部的所述光会聚在所述像素组上，其中所述像素分离区域包括通过所述片上透镜的所述光的聚光部，并且所述聚光部包括沿所述半导体层的厚度方向延伸的第一材料，并且除了所述聚光部之外的部分具有沿所述半导体层的所述厚度方向延伸的第二材料，所述第二材料不同于所述第一材料。
7、本公开的另一方面是一种包括光电检测装置的电子设备，所述光电检测装置包括：半导体层，在所述半导体层中，以矩阵形式布置有能够根据从外部入射的光生成电信号的多个像素；像素分离区域，其形成在所述半导体层中并且将相邻像素彼此分离；以及片上透镜，其布置在所述半导体层的光入射面这一侧，针对每个包括两个以上像素的像素组形成，并且将来自外部的所述光会聚在所述像素组上，其中所述像素分离区域包括通过所述片上透镜的所述光的聚光部，并且所述聚光部包括沿所述半导体层的厚度方向延伸的第一材料，并且除了所述聚光部之外的部分具有沿所述半导体层的所述厚度方向延伸的第二材料，所述第二材料不同于所述第一材料。
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1.一种光电检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
3.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
4.根据权利要求3所述的光电检测装置，其中
5.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
6.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
7.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
8.根据权利要求6所述的光检测装置，其中
9.根据权利要求1所述的光电检测装置，还包括：
10.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
11.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
12.根据权利要求6所述的光电检测装置，其中
13.根据权利要求2所述的光电检测装置，其中
14.一种包括光电检测装置的电子设备，所述光电检测装置包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光电检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
3.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
4.根据权利要求3所述的光电检测装置，其中
5.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
6.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
7.根据权利要求1所述的光电检测装置，其中
8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：平野智晖，斋藤卓，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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