【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种等离子刻蚀装置。
技术介绍
1、在半导体器件的制造过程中，等离子刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺，等离子体刻蚀中等离子体的密度分布与晶圆的刻蚀速率成正比，等离子体的密度越高刻蚀速率越高，等离子体的密度越低刻蚀速率越低。由于等离子体气流和上下电极面积的共同作用，晶圆中心区域的等离子体密度高，边缘部分的等离子体密度低，导致晶圆表面中心区域刻蚀速率高于边缘部分刻蚀速率，进而导致晶圆刻蚀速率不均匀。
2、为解决上述问题，通常会在晶圆的外围设置聚焦环，相当于向外扩大了下电极的半径，使得晶圆边缘产生和中心相同浓度的等离子体，有利于保证边缘区域和中心区域刻蚀工艺的均匀性。聚焦环通常采用硅或者碳化硅作为材料，随着刻蚀工艺时间的延长，聚焦环表面也会被等离子体刻蚀消耗掉，聚焦环表面高度降低，使聚焦环上方的等离子体鞘层下移，晶圆边缘区域刻蚀准直性下降，因此需要对聚焦环进行更换。
3、现目前，聚焦环一般是通过支撑环设置在静电卡盘上，为了便于聚焦环的安装，聚焦环与静电卡盘之间具有间隙，当更换聚焦环时由于间隙的存在使得聚焦环与静电卡盘难以保持同心，常常会出现聚焦环偏心安装的问题，进而导致晶圆从上往下放置在静电卡盘上时刮到聚焦环的内环面产生缺陷而报废。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种等离子刻蚀装置，解决了现有聚焦环安装更换后与静电卡盘不同心的问题。
2、为达到上述目的，本技术提供一种等离子刻蚀装置，包括静电吸盘、聚焦环以及支撑
3、可选的，所述第一斜面靠近所述聚焦环的内环设置，所述第二斜面靠近所述支撑环的内环设置，且所述第一斜面和所述第二斜面均朝靠近所述静电吸盘的中心的方向斜向下延伸。
4、可选的，所述第一斜面靠近所述聚焦环的外环设置，所述第二斜面靠近所述支撑环的外环设置，且所述第一斜面和所述第二斜面均朝靠近所述静电吸盘的中心的方向斜向上延伸。
5、可选的，所述聚焦环的下表面设置有两个第一斜面以形成梯形凹陷，所述支撑环的上表面设置有两个第二斜面以形成梯形凸起，所述梯形凹陷与所述梯形凸起相适配。
6、可选的，所述等离子刻蚀装置还包括若干定位结构，所述定位结构包括相适配的定位凸起和定位凹陷，所述定位凸起与所述定位凹陷中的一者设置在所述聚焦环的底部，另一者设置在所述支撑环的顶部。
7、可选的，所述定位凸起与所述定位凹陷的形状为相适配的锥体。
8、可选的，所述聚焦环的内环设置有用于承载晶圆的台阶面。
9、可选的，所述支撑环的材质为铝。
10、可选的，所述静电吸盘安装在一基座上。
11、可选的，所述聚焦环的外周向还环绕设置有隔离环，所述隔离环位于所述基座上。
12、在本技术提供的一种等离子刻蚀装置中，通过在所述聚焦环与所述支撑环的接触面处对应设置相适配的所述第一斜面与所述第二斜面，能够限制所述聚焦环在水平面上的移动，确保所述聚焦环安装后与所述静电吸盘同心设置，避免所述聚焦环安装偏心问题的发生。
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1.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括静电吸盘、聚焦环以及支撑环，所述支撑环设置在所述静电吸盘上，所述聚焦环设置在所述支撑环的上方，所述聚焦环的下表面设置有第一斜面，所述支撑环的上表面设置有与所述第一斜面相适配的第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面相互贴合以对所述聚焦环进行水平限位，所述聚焦环与所述静电吸盘同心设置。
2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一斜面靠近所述聚焦环的内环设置，所述第二斜面靠近所述支撑环的内环设置，且所述第一斜面和所述第二斜面均朝靠近所述静电吸盘的中心的方向斜向下延伸。
3.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一斜面靠近所述聚焦环的外环设置，所述第二斜面靠近所述支撑环的外环设置，且所述第一斜面和所述第二斜面均朝靠近所述静电吸盘的中心的方向斜向上延伸。
4.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述聚焦环的下表面设置有两个第一斜面以形成梯形凹陷，所述支撑环的上表面设置有两个第二斜面以形成梯形凸起，所述梯形凹陷与所述梯形凸起相适配。
5.根据权利要求1所述的等离
6.根据权利要求5所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述定位凸起与所述定位凹陷的形状为相适配的锥体。
7.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述聚焦环的内环设置有用于承载晶圆的台阶面。
8.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述支撑环的材质为铝。
9.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述静电吸盘安装在一基座上。
10.根据权利要求9所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述聚焦环的外周向还环绕设置有隔离环，所述隔离环位于所述基座上。
...【技术特征摘要】
1.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括静电吸盘、聚焦环以及支撑环，所述支撑环设置在所述静电吸盘上，所述聚焦环设置在所述支撑环的上方，所述聚焦环的下表面设置有第一斜面，所述支撑环的上表面设置有与所述第一斜面相适配的第二斜面，所述第一斜面与所述第二斜面相互贴合以对所述聚焦环进行水平限位，所述聚焦环与所述静电吸盘同心设置。
2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一斜面靠近所述聚焦环的内环设置，所述第二斜面靠近所述支撑环的内环设置，且所述第一斜面和所述第二斜面均朝靠近所述静电吸盘的中心的方向斜向下延伸。
3.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述第一斜面靠近所述聚焦环的外环设置，所述第二斜面靠近所述支撑环的外环设置，且所述第一斜面和所述第二斜面均朝靠近所述静电吸盘的中心的方向斜向上延伸。
4.根据权利要求1所述的等离子刻蚀装置，其特征在于，所述聚焦环的下表面设置有两个第一斜面以形成梯形凹陷...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶璘珂，陈诚，张德伟，荆泉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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