一种高可靠性的搭桥结构及触摸屏制造技术

技术编号:43728638 阅读:0 留言:0更新日期:2024-12-20 12:54
本技术公开了一种高可靠性的搭桥结构,包括:导电膜,包括第一触控电极和第二触控电极;OC绝缘桥,设置在所述第一触控电极和第二触控电极的交错处;第一消影层,设置在所述第一触控电极、第二触控电极和OC绝缘桥上,并在与所述第一触控电极和第二触控电极相对应的位置处分别设置有通孔;导电桥,设置在所述第一消影层与所述OC绝缘桥相对应的位置处,并通过所述第一消影层内的通孔将所述第一触控电极和第二触控电极相连接。该搭桥结构可提高OC绝缘桥的稳定性以及显示效果。本技术还提供一种触摸屏,包括上述搭桥结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及触摸屏技术,尤其涉及一种高可靠性的搭桥结构及触摸屏


技术介绍

1、在gg和ogs触摸屏中,导电膜及传感器制作在同一块玻璃上,两个方向的触控电极在同一膜层中相互交错,为了保证两个方向的触控电极不会发生短接,一般会在两个方向的触控电极的交错处采用搭桥结构,利用所述搭桥结构保证同一方向的触控电极相连接,而两个方向的触控电极相绝缘。

2、现有的搭桥结构如图1所示,包括依次层叠设置的导电膜1’、oc绝缘桥2’、导电桥3’和保护层4’,导电膜1’包括沿第一方向的第一触控电极11’以及沿第二方向的第二触控电极12’,第一触控电极11’在与第二触控电极12’的交错处连续,而第二触控电极12’则在与第一触控电极11’的交错处断开,oc绝缘桥2’设置在第一触控电极11’和第二触控电极12’的交错处以将第一触控电极11’和第二触控电极12’隔开,导电桥3’设置在oc绝缘桥2’上以将断开的第二触控电极12’连接。

3、但是,oc绝缘桥2’所采用的oc材质是一种聚异戍二烯,不耐强酸,而制作所述导电桥3’的刻蚀液则含有盐酸或硝酸,均属于强酸,因此在刻蚀制作所述导电桥3’时,强酸性的刻蚀液会使致密性不高的oc绝缘桥2’粘附力变差,使之容易脱落,且所述oc绝缘桥2’与刻蚀液的接触面积越大、影响越大。


技术实现思路

1、为了解决上述现有技术的不足,本技术提供一种搭桥结构,可提高oc绝缘桥的稳定性以及显示效果。

2、本技术还提供一种触摸屏,包括上述搭桥结构。

>3、本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:

4、一种高可靠性的搭桥结构,包括:

5、导电膜,包括沿第一方向的第一触控电极以及沿第二方向的第二触控电极,所述第一触控电极在与所述第二触控电极的交错处连续,而所述第二触控电极则在与所述第一触控电极的交错处断开;

6、oc绝缘桥,设置在所述第一触控电极和第二触控电极的交错处,以将所述第一触控电极和第二触控电极隔开;

7、第一消影层,设置在所述第一触控电极、第二触控电极和oc绝缘桥上,并在与所述第一触控电极和第二触控电极相对应的位置处分别设置有通孔;

8、导电桥,设置在所述第一消影层与所述oc绝缘桥相对应的位置处,并通过所述第一消影层内的通孔将所述第一触控电极和第二触控电极相连接。

9、进一步的,所述oc绝缘桥的材质为聚异戍二烯。

10、进一步的,所述导电桥为ito桥或金属桥。

11、进一步的,所述导电膜为ito膜。

12、进一步的,所述第一消影层包括氧化硅膜层和氮化硅膜层,所述氧化硅膜层和氮化硅膜层依次层叠设置。

13、进一步的,所述搭桥结构还包括:

14、保护层,设置在所述第一消影层和导电桥上。

15、进一步的,所述搭桥结构还包括:

16、第二消影层,设置在所述导电膜下。

17、进一步的,所述第二消影层包括氧化硅膜层和氮化硅膜层,所述氧化硅膜层和氮化硅膜层依次层叠设置。

18、一种触摸屏,包括保护盖板以及上述的搭桥结构,所述搭桥结构设置于所述保护盖板的表面上。

19、一种触摸屏,包括衬底基板、保护盖板以及上述的搭桥结构,所述衬底基板与所述保护盖板相对贴合,所述搭桥结构设置于所述衬底基板朝向所述保护盖板的一侧表面上。

20、本技术具有如下有益效果:本技术的搭桥结构通过在所述oc绝缘桥和导电桥之间设置所述第一消影层,利用所述第一消影层将所述oc绝缘桥覆盖保护,以在刻蚀制作所述导电桥时,避免刻蚀所述导电桥的强酸性刻蚀液与所述oc绝缘桥接触,防止所述强酸性刻蚀液对所述oc绝缘桥造成破坏,保证所述oc绝缘桥的粘附力,提高了所述oc绝缘桥的稳定性;另外,所述第一消影层同时覆盖在所述第一触控电极、第二触控电极和oc绝缘桥上,可以消除不同膜层之间的折射率差异,避免不同膜层之间由于折射率差异而形成的轮廓底影,提高了整体的显示效果。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高可靠性的搭桥结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述OC绝缘桥的材质为聚异戍二烯。

3.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述导电桥为ITO桥或金属桥。

4.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述导电膜为ITO膜。

5.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述第一消影层包括氧化硅膜层和氮化硅膜层,所述氧化硅膜层和氮化硅膜层依次层叠设置。

6.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述搭桥结构还包括:

7.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述搭桥结构还包括:

8.根据权利要求7所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述第二消影层包括氧化硅膜层和氮化硅膜层,所述氧化硅膜层和氮化硅膜层依次层叠设置。

9.一种触摸屏,其特征在于,包括保护盖板以及权利要求1-8中任一所述的搭桥结构,所述搭桥结构设置于所述保护盖板的表面上。

10.一种触摸屏,其特征在于,包括衬底基板、保护盖板以及权利要求1-8中任一所述的搭桥结构,所述衬底基板与所述保护盖板相对贴合,所述搭桥结构设置于所述衬底基板朝向所述保护盖板的一侧表面上。

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【技术特征摘要】

1.一种高可靠性的搭桥结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述oc绝缘桥的材质为聚异戍二烯。

3.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述导电桥为ito桥或金属桥。

4.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述导电膜为ito膜。

5.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述第一消影层包括氧化硅膜层和氮化硅膜层,所述氧化硅膜层和氮化硅膜层依次层叠设置。

6.根据权利要求1所述的高可靠性的搭桥结构,其特征在于,所述搭桥结构还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:张传旺陈瑞磊何伟伟
申请(专利权)人:信利光电股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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