半导体装置制造方法及图纸

技术编号：43727267 阅读：3 留言：0更新日期：2024-12-20 12:53

提供一种半导体装置，能够抑制将场板作为结构要素的寄生元件的动作。具备：第一导电型的基体；第二导电型的第一阱区，其设置于基体，在第一阱区形成有高侧电路；第二导电型的第一耐压区，其呈环状地设置于第一阱区的周围，第一耐压区的杂质浓度比第一阱区的杂质浓度低；第一导电型的第二耐压区，其与第一耐压区相接且呈环状地设置于第一耐压区的外周侧；第一电平移位元件，其设置成包括第一耐压区的一部分；第一导电型的第一分离区，其以包围第一电平移位元件的周围的方式设置；场板，其隔着绝缘膜设置于第一耐压区的上方和第一分离区的上方，场板与第一分离区之间的第一距离比场板与第一耐压区之间的第二距离大。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、专利文献1和2公开以下一种构造：在高耐压集成电路(hvic)中，在高耐压结终端(hvjt)一体化地形成高耐压n型mosfet(hvnmos)，并且通过用p-型狭缝区包围hvnmos来使hvnmos与hvjt电分离(也称为“分割resurf(降低表面电场)构造”。)。此时，构成将p-型狭缝区作为沟道并将p-型狭缝区的正上方的场板作为栅极的寄生mos晶体管(寄生mos)。

2、专利文献3公开通过将场板在hvjt上和hvnmos上分割开来避免构成寄生mos的结构。专利文献4公开通过将场板的起点连接于hvnmos的漏极电位来抑制寄生mos的动作的结构。

3、专利文献5公开通过用两层的场板无间隙地覆盖在p-型狭缝区上来抗表面带电的结构。专利文献6公开通过在p-型狭缝区内的一部分形成浓的p型层来抑制寄生mos的反型层的形成的结构。专利文献7公开通过将场板的起点连接于vs电位来抑制寄生mos的动作的结构。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本专利第6798377号公报

7、专利文献2：日本专利第3917211号公报

8、专利文献3：日本专利第6009341号公报

9、专利文献4：日本专利第6134219号公报

10、专利文献5：日本专利第6414861号公报

11、专利文献6：日本特开2021-114527号公报

12、专利文献7：日本专利第5321768号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、在以往的分割resurf构造中，如果寄生mos进行动作，则漏电流在hvjt与hvnmos之间流动，hvic的正常动作受到妨碍。抑制寄生mos的动作的方法存在改善的余地。

3、鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种能够抑制将场板作为结构要素的寄生元件的动作的半导体装置。

4、用于解决问题的方案

5、本专利技术的一个方式的主旨在于一种半导体装置，所述半导体装置具备：第一导电型的基体；第二导电型的第一阱区，其设置于基体，在第一阱区形成有高侧电路；第二导电型的第一耐压区，其呈环状地设置于第一阱区的周围，第一耐压区的杂质浓度比第一阱区的杂质浓度低；第一导电型的第二耐压区，其与第一耐压区相接且呈环状地设置于第一耐压区的外周侧；第一电平移位元件，其设置成包括第一耐压区的一部分；第一导电型的第一分离区，其以包围第一电平移位元件的周围的方式设置；以及场板，其隔着绝缘膜设置于第一耐压区的上方和第一分离区的上方，场板与第一分离区之间的第一距离比场板与第一耐压区之间的第二距离大。

6、专利技术的效果

7、根据本专利技术，能够提供一种能够抑制将场板作为结构要素的寄生元件的动作的半导体装置。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，还具备：

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

13.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

15.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

【技术特征摘要】