【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料的二极管，尤其涉及一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、快速恢复二极管芯片为配有快速恢复二极管芯片的芯片，快速恢复二极管芯片为是一种与绝缘栅双击晶体管反并联封装，起到续流作用的功率芯片。反向恢复阶段的特性是衡量快速恢复二极管芯片性能的重要指标，直接影响器件的关态损耗及可靠性，恢复软度越小、反向恢复时波形越光滑，则快速恢复二极管芯片的反向恢复特性越优。
2、在现有技术中，快速恢复二极管芯片存在多种型号，且常通过改变掺杂浓度及过渡区尺寸实现快速恢复二极管芯片在反向恢复阶段的性能优化。
3、上述方法虽然能够实现对快速恢复二极管芯片在反向恢复阶段的性能优化，但是在实际的实验中，不可能对每一种不同的型号、不同的掺杂浓度及不同的型号的快速恢复二极管芯片都做实验，因而，需要一种性能分析模型，来不同过渡区尺寸及不同掺杂浓度的快速恢复二极管芯片的性能数据进行预测。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法、计算机可实现在已知二极管芯片型号时，对不同过渡区尺寸及不同掺杂浓度的快速恢复二极管芯片在反向恢复阶段中的性能进行预测。
2、为实现上述目的，本专利技术提供的一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，包括：
3、获取快速恢复二极管芯片集，对所述快速恢复二极管芯片集执行分类排序操作，得到顺序芯片集，基于顺序芯片集构建实验
4、对实验参数集中的每一个实验参数均执行如下操作：
5、确认实验参数对应的快速恢复二极管芯片，得到实验芯片，获取实验参数对应的额定条件，基于额定条件构建检测电路，并将所述实验芯片安装至检测电路后，对安装了实验芯片的检测电路执行预处理操作，得到实验电路，获取在额定条件下对实验电路执行反向恢复操作后的目标参数曲线集及检测参数集，将目标参数曲线集、实验参数、检测参数集及实验芯片关联，得到单位模型，其中，目标参数曲线集包括：反向电流曲线、反向电压曲线及漏电流曲线，检测参数集包括：额定条件、反向恢复起始时刻、反向恢复时间、反向恢复结束时刻及恢复软度；
6、汇总单位模型，得到初始模型；
7、基于实验参数集构建扩增参数序列集，基于扩增参数序列集及初始模型构建扩增参数模型，并从扩增参数模型中提取空白模型集，利用初始模型对空白模型集执行填补操作，得到预测模型集，汇总并整合预测模型集及初始模型，得到性能分析模型，基于性能分析模型完成基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建。
8、可选地，所述对所述快速恢复二极管芯片集执行分类排序操作，得到顺序芯片集，基于顺序芯片集构建实验参数集，包括：
9、从快速恢复二极管芯片集中依次提取快速恢复二极管芯片，得到目标芯片，对目标芯片执行如下操作：
10、识别目标芯片的型号、过渡区尺寸及掺杂浓度，并对所述目标芯片的型号、过渡区尺寸及掺杂浓度执行编码操作，得到编码数据，其中，编码数据包括：型号编码、过渡区尺寸编码及掺杂浓度编码；
11、根据编码数据对应的型号编码分别汇总编码数据，得到快速恢复二极管芯片集对应的多个型号数据集，其中，型号数据集中的所有型号数据的型号编码均相同；
12、对多个型号数据集中的型号数据集均执行如下操作：
13、识别并提取型号数据集中每一个型号数据对应的过渡区尺寸编码，得到待排序尺寸编码，以待排序尺寸编码从小到大的顺序对所有待排序尺寸编码进行汇总，得到所述型号数据集对应的第一顺序列，利用第一顺序列对型号数据集执行排序操作，得到第一顺序数据集；
14、对第一顺序列执行递归操作，得到尺寸递归序列，依次对尺寸递归序列中的尺寸递归值均执行如下操作：
15、基于尺寸递归值从第一顺序数据集中提取目标数据集，对目标数据集执行排序操作，得到浓度顺序数据集，其中，目标数据集中目标数据对应的型号编码及过渡区尺寸编码均相同；
16、按照尺寸递归序列中尺寸递归值的顺序汇总浓度顺序数据集，得到所述型号数据集对应的第二顺序数据集；
17、按照预设的型号编码升序汇总第二顺序数据集，得到快速恢复二极管芯片集对应的顺序芯片集，从顺序芯片集中依次提取顺序芯片数据，并基于所提取的顺序芯片数据执行编码转译操作，得到单位实验参数，汇总单位实验参数，得到实验参数集。
18、可选地，所述对安装了实验芯片的检测电路执行预处理操作，得到实验电路，包括：
19、获取检测电路的元器件集，其中，元器件集包括：电源、第一电感、第二电感、开关及实验芯片，其中，在检测电路中，所述电源、第一电感、第二电感及开关为串联，实验芯片对应的电路仅与第二电感的两端并联，且实验芯片对应的电路上有且仅有实验芯片；
20、确认所述元器件集均符合预构建的电气特性规格后，得到可用电路，闭合可用电路对应的开关，基于闭合开关后的可用电路对第一电感及第二电感执行充电操作，当可用电路中的第一电感及第二电感分别为预设的第一饱和电感及第二饱和电感后，断开可用电路，得到芯片正向导通电路；
21、连接预构建的监测单元与所述芯片正向导通电路中的实验芯片，确认实验芯片为预设的正向导通阶段后，得到实验电路。
22、可选地，所述获取在额定条件下对实验电路执行反向恢复操作后的目标参数曲线集及检测参数集，包括：
23、获取目标参数集，其中，目标参数集中包括多个目标参数，且所述多个目标参数为：反向电流、反向电压及漏电流，所述额定条件包括：电源对应的额定电压、第一电感对应的额定电流应力及第二电感对应的额定瞬时电流；
24、利用监测单元及实验电路获取监测起始时刻，并基于监测起始时刻对目标参数集中的每一个目标参数均执行如下操作：
25、根据预设的监测频率、目标参数及监测起始时刻构建目标参数坐标系，其中，目标参数坐标系中的横轴为时间，且原点对应的时间为监测起始时刻，纵轴为目标参数；
26、基于监测起始时刻实时监测所述实验电路，并在监测所述实验电路的过程中闭合所述实验电路中的开关，得到实时目标参数数据，其中，实时目标参数数据包括：实时目标参数及实时时刻；
27、确认实时目标参数数据中的实时目标参数达到预设的稳定状态时，将达到稳定状态对应的实时时刻确认为监测终止时刻；
28、汇总监测终止时刻与监测起始时刻之间的实时目标参数数据，得到实时数据集，将实时数据集映射至目标参数坐标系中，并将映射后的实时数据集拟合成曲线，得到目标参数曲线；
29、汇总目标参数曲线，得到目标参数曲线集，解析目标参数曲线集，得到目标参数曲线集对应的检测参数集。
30、可选地，所述确认实时目标参数数据中的实时本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述对所述快速恢复二极管芯片集执行分类排序操作，得到顺序芯片集，基于顺序芯片集构建实验参数集，包括：
3.如权利要求2所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述对安装了实验芯片的检测电路执行预处理操作，得到实验电路，包括：
4.如权利要求3所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述获取在额定条件下对实验电路执行反向恢复操作后的目标参数曲线集及检测参数集，包括：
5.如权利要求4所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述确认实时目标参数数据中的实时目标参数达到预设的稳定状态时，将达到稳定状态对应的实时时刻确认为监测终止时刻，包括：
6.如权利要求5所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述计算拟合曲线的特征参数集，包括：
7.如权利要求6所述的基于快
8.如权利要求7所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述则基于浓度扩增阈值对浓度递归序列执行浓度值扩增操作，得到浓度扩增序列，包括：
9.如权利要求8所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述基于扩增参数序列集及初始模型构建扩增参数模型，并从扩增参数模型中提取空白模型集，利用初始模型对空白模型集执行填补操作，得到预测模型集，包括：
10.一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建系统，其特征在于，所述系统包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述对所述快速恢复二极管芯片集执行分类排序操作，得到顺序芯片集，基于顺序芯片集构建实验参数集，包括：
3.如权利要求2所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述对安装了实验芯片的检测电路执行预处理操作，得到实验电路，包括：
4.如权利要求3所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述获取在额定条件下对实验电路执行反向恢复操作后的目标参数曲线集及检测参数集，包括：
5.如权利要求4所述的基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法，其特征在于，所述确认实时目标参数数据中的实时目标参数达到预设的稳定状态时，将达到稳定状态对应的实时时刻确认...
【专利技术属性】
技术研发人员：何昌，杨勇，张光亚，朱勇华，
申请(专利权)人：深圳市美浦森半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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