半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号：43723067 阅读：2 留言：0更新日期：2024-12-20 12:51

本发明专利技术提供能够减少传递成型中的空隙产生的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置(50)具备：层积基板(5)，其安装有半导体芯片(1)；电路基板(9)，其设置有在半导体芯片(1)之间的布线、以及半导体芯片(1)与外部输出端子(12)之间的布线；以及密封树脂(10)，其密封层积基板(5)与电路基板(9)。在电路基板(9)，在与层积基板(5)侧相反的一侧设置有流速控制销(14)。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、以往，公知有在两个流路中的流路截面积大的第一流路设置有能够上下移动的流体压力调整部件的半导体装置(例如，参照下述专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平7-74193号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在以往的半导体装置中存在如下课题：在通过传递成型来密封半导体元件时，在树脂的流动面彼此合流的地点会产生因卷入空气而带来的气泡(空隙)，半导体装置变差。本专利技术的目的在于，提供一种能够减少传递成型中的空隙产生的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

3、技术方案

4、为了解决上述问题，并实现本专利技术的目的，本专利技术的半导体装置具有如下的特征。半导体装置具备：层积基板，其安装有半导体芯片；电路基板，其设置有在所述半导体芯片之间的布线、以及所述半导体芯片与外部输出端子之间的布线；以及密封树脂，其密封所述层积基板与所述电路基板。在所述电路基板，在与所述层积基板侧相反一侧设置有流速控制销。

5、另外，本专利技术的半导体装置在上述专利技术的基础上，其特征在于，所述流速控制销设置于所述电路基板的端部。

6、另外，本专利技术的半导体装置在上述专利技术的基础上，其特征在于，所述流速控制销设置于所述电路基板的端部、以及所述端部之间的中间。

7、另外，本专利技术的半导体装置在上述专利技术的基础

8、为了解决上述问题，并实现本专利技术的目的，本专利技术的半导体装置的制造方法具有如下的特征。作为使用模塑模具进行传递成型的半导体装置的制造方法，首先，进行第一工序，形成模块，所述模块具有安装有半导体芯片的层积基板、以及设置有在所述半导体芯片之间的布线、以及所述半导体芯片与外部输出端子之间的布线的电路基板。接着，进行第二工序，在所述模塑模具安装所述模块。接着，进行第三工序，从所述模塑模具的注入浇口注入密封树脂。在所述电路基板，在与所述层积基板侧相反的一侧配置有与所述密封树脂的流动方向垂直地并列的流速控制销。

9、另外，本专利技术的半导体装置的制造方法在上述专利技术的基础上，其特征在于，所述流速控制销配置在所述电路基板的所述注入浇口侧的端部。

10、另外，本专利技术的半导体装置的制造方法在上述专利技术的基础上，其特征在于，所述流速控制销配置在所述电路基板的靠所述注入浇口侧的端部、以及与所述浇口侧相反一侧的端部。

11、另外，本专利技术的半导体装置的制造方法在上述专利技术的基础上，其特征在于，所述流速控制销配置在所述电路基板的靠所述注入浇口侧的端部、与所述浇口侧的端部相反的一侧的端部、以及所述端部之间的中间。

12、另外，本专利技术的半导体装置的制造方法在上述专利技术的基础上，其特征在于，

13、在将从所述电路基板的表面到所述模塑模具的表面为止的距离设为l、将所述模塑模具的垂直于所述密封树脂的流动方向的宽度设为w、将所述流速控制销的条数设为n、将向所述密封树脂的流动方向投影时的所述流速控制销的宽度设为d、将所述流速控制销的高度设为h时，相对于所述密封树脂的流路的截面积lw而被所述流速控制销阻挡流动的投影密度ndh/lw为10％以上且小于48％。

14、另外，本专利技术的半导体装置的制造方法在上述专利技术的基础上，其特征在于，所述流速控制销的材质是弹性率比所述密封树脂的弹性率低的树脂。

15、另外，本专利技术的半导体装置的制造方法在上述专利技术的基础上，其特征在于，所述流速控制销的截面形状为长轴位于所述密封树脂的流动方向侧的椭圆。

16、技术效果

17、根据本专利技术的半导体装置以及半导体装置的制造方法，起到能够减少传递成型中的空隙产生这样的效果。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，使用模塑模具进行传递成型，

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

10.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

11.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，使用模塑模具进行传递成型，

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：河村一磨，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：

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