【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及一种半导体晶圆的温度测定方法。
技术介绍
1、在使用批次退火炉等炉的退火工序中，因炉内的位置所致的半导体晶圆的温度差成为对良率或特性劣化带来影响的主要原因。炉内的温度以与炉内的位置对应的温度分布被控制。然而，即便在温度分布上看上去同等，也存在半导体晶圆的实际温度产生差的情况。
2、[现有技术文献]
3、[专利文献]
4、[专利文献1]日本专利特开2000-232142号公报
5、[专利文献2]日本专利特开2010-129773号公报
技术实现思路
1、[专利技术要解决的问题]
2、提供一种能够更适当地测定半导体晶圆的温度的半导体晶圆的温度测定方法。
3、[解决问题的技术手段]
4、本实施方式的半导体晶圆的温度测定方法具备对具有第1面的晶圆的第1面导入杂质以在晶圆的第1面侧形成非晶层的工序。本温度测定方法具备测定作为非晶层的膜厚的第1膜厚的工序。本温度测定方法具备对晶圆进行热处理以将非晶层的一部分再结晶化的工序。本温度测定方法具备测定作为热处理后的非晶层的膜厚的第2膜厚的工序。本温度测定方法具备基于第1膜厚与第2膜厚的膜厚差来测定热处理时的晶圆的温度的工序。
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆的温度测定方法，具备如下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中还具备如下工序：对所述晶圆的所述第1面导入所述杂质，以使再结晶化的所述非晶层的结晶生长速度成为所期望的速度。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中还具备如下工序：以与热处理时的温度对应的所述杂质的元素或浓度，对所述晶圆的所述第1面导入所述杂质。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中所述杂质的元素包含Si、Ge、P、As、Ar、及Sb中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中还具备如下工序：不形成覆盖所述第1面的覆盖膜，对所述晶圆导入所述杂质。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中还具备如下工序：将所述晶圆热处理特定时间以上。
7.根据权利要求1所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中
8.根据权利要求2所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中所述杂质的元素包含Si、Ge、P、As、Ar、及Sb中的至少一种。
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...【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的温度测定方法，具备如下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中还具备如下工序：对所述晶圆的所述第1面导入所述杂质，以使再结晶化的所述非晶层的结晶生长速度成为所期望的速度。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中还具备如下工序：以与热处理时的温度对应的所述杂质的元素或浓度，对所述晶圆的所述第1面导入所述杂质。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的温度测定方法，其中所述杂质的元素包含si、ge、p、as、ar、及sb中的至少一种。
5.根据权利要求1...
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