一种基于O2-和Mo5+分步杂化天然辉钼矿的吸波粉体及其制备方法技术

技术编号：43718103 阅读：7 留言：0更新日期：2024-12-20 12:48

本发明专利技术公开了一种基于O<supgt;2‑</supgt;和Mo<supgt;5+</supgt;分步杂化天然辉钼矿的吸波粉体及其制备方法，涉及吸波材料技术领域，1)将辉钼矿置于马弗炉中进行热处理得到O‑MoS<subgt;(2‑x)</subgt;复合材料；2)将步骤1)中得到的复合材料与MoCl<subgt;5</subgt;在去离子水中搅拌均匀；3)将步骤2)得到的混合物放置到干燥箱中过夜直至干燥；4)将步骤3)中得到的干燥混合物在Ar气氛的管式炉中进行热处理，自然炉冷却至室温，即得MoO<subgt;2</subgt;/MoS<subgt;2</subgt;复合吸波材料；利用天然辉钼矿作为稳定原料，MoCl<subgt;5</subgt;作为掺杂物质与MoS<subgt;2</subgt;通过简单热处理工艺，实现MoO<subgt;2</subgt;/MoS<subgt;2</subgt;复合吸波材料的制备，成本低、工艺流程相对简单、安全，产品一致性好；且制备的MoO<subgt;2</subgt;/MoS<subgt;2</subgt;复合吸波材料具有更好的电磁波吸收特性，可作为电磁波吸收材料广泛应用于相应的电磁波防护领域。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于吸波材料，具体涉及一种基于o2-和mo5+分步杂化天然辉钼矿的吸波粉体及其制备方法。

技术介绍

1、5g时代的大环境下，各种电子设备越来越普及，已遍布于我们的日常生活中，比如：手机、微波炉、高压输电线、信号发射塔等。多样化的电子设备为我们的生活提供了极大的便利的时也带来了很多负面影响。比如：电磁波干扰(emi)辐射作为信息时代的衍生物，它不仅会影响设备的稳定性和精准度，甚至还会影响人类的健康。当飞机起飞时，手机的电磁波会干扰飞机内部系统，影响正常起飞。更重要的是人体长期处于电磁环境下，会出现头晕、记忆力衰退等健康问题。因此，为了尽量减少电磁辐射污染，高性能电磁屏蔽材料受到了广泛的关注，已被广泛应用于航空航天、交通运输、移动通信、医疗卫生、国防和军事等领域。

2、mos2具有类似石墨的层状结构，能够在纳米尺度上进行调节。这种结构提供了丰富的界面和层间的相互作用，有助于提高其电磁波吸收性能。mos2的电导率在不同层数和掺杂状态下有所变化。通过调节其导电性，可以优化mos2在不同频率范围内的电磁波吸收能力。

3、中国专利公开cn106898691a，提供一种氧掺杂二硫化钼热电材料的制备方法，在不降低二硫化钼seebeck系数的情况下，提高二硫化钼的电导，同时能够有效降低热导，最终使得材料的热电性能得到大幅度的提高。但是该专利存在以下不足：一成本较高；二是采用放电等离子烧结时，样品尺寸受限制，只适用于较小的样品；三操作和优化过程相对复杂，无法保证样品的均一性。。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种基于o2-和mo5+分步杂化天然辉钼矿的吸波粉体及其制备方法，解决现有工艺成本高、适用范围小的问题。

2、为解决上述的技术问题，本专利技术采用以下技术方案：一种基于o2-和mo5+分步杂化天然辉钼矿的吸波粉体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

3、1)将辉钼矿置于马弗炉中进行热处理得到o-mos(2-x)复合材料；

4、2)将步骤1)中得到的复合材料与mocl5在去离子水中搅拌均匀；

5、3)将步骤2)得到的混合物放置到干燥箱中过夜直至干燥；

6、4)将步骤3)中得到的干燥混合物在ar气氛的管式炉中进行热处理，自然炉冷却至室温，即得moo2/mos2复合吸波材料。

7、更进一步的方案是所述步骤1)中热处理温度为400～500℃，热处理时间设置为2～4h。

8、更进一步的方案是所述辉钼矿、mocl5以及去离子水质量比为1：0.5～1.5：10。

9、更进一步的方案是所述步骤2)中搅拌为磁力搅拌，速度为150～180转/min，搅拌时间为30～60min。

10、更进一步的方案是所述步骤3)中干燥箱的温度为80～100℃，时间为8～16小时。

11、更进一步的方案是所述步骤4)中以5～10℃/min的升温速率升温至煅烧温度，热处理温度为700～900℃，保温时间为6～8h。

12、更进一步的方案是利用天然辉钼矿作为原料，通过热处理工艺，o2-和mo5+分步杂化天然辉钼矿，实现moo2/mos2复合吸波材料的制备，并将其作为电磁波吸收材料应用。

13、本专利技术的优点：

14、(1)本专利技术利用天然辉钼矿作为稳定原料，mocl5作为掺杂物质与mos2通过简单热处理工艺，实现moo2/mos2复合吸波材料的制备，成本低、工艺流程相对简单、安全，产品一致性好；且制备的moo2/mos2复合吸波材料具有更好的电磁波吸收特性，可作为电磁波吸收材料广泛应用于相应的电磁波防护领域。

15、(2)本专利技术利用ar气氛的管式炉进行烧结，操作相对简单安全，节约了成本，可同时烧结多个样品。

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【技术保护点】

1.一种基于O2-和Mo5+分步杂化天然辉钼矿的吸波粉体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中热处理温度为400～500℃，热处理时间设置为2～4h。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述辉钼矿、MoCl5以及去离子水质量比为1：0.5～1.5：10。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中搅拌为磁力搅拌，速度为150～180转/min，搅拌时间为30～60min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中干燥箱的温度为80～100℃，时间为8～16小时。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中以5～10℃/min的升温速率升温至煅烧温度，热处理温度为700～800℃，保温时间为6～8h。

7.一种根据权利要求1所述基于O2-和Mo5+分步杂化天然辉钼矿的制备方法制备的吸波材料，其特征在于：利用天然辉钼矿作为原料，通过热处理工艺，O2-和Mo5+分步杂化天然辉钼矿，实现MoO2/MoS2复合吸波材料的制备。

8.一种根据权利要求6所述的吸波材料作为电磁波吸收材料的应用。

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【技术特征摘要】

1.一种基于o2-和mo5+分步杂化天然辉钼矿的吸波粉体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中热处理温度为400～500℃，热处理时间设置为2～4h。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述辉钼矿、mocl5以及去离子水质量比为1：0.5～1.5：10。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中搅拌为磁力搅拌，速度为150～180转/min，搅拌时间为30～60min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：白中义，邓久帅，高东磊，郭晓琴，岳约翰，王梦杰，关莉，樊磊，任玉美，
申请(专利权)人：郑州航空工业管理学院，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人