【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学机械抛光，尤其涉及一种抛光液及其制备方法。
技术介绍
1、硅片是集成电路(ic)的主要衬底材料，其表面粗糙度是影响集成电路刻蚀线宽的重要因素之一。随着集成电路集成度的不断提高，特征尺寸的不断减小，对硅片的加工精度和表面质量的要求也越来越高。目前，半导体行业协会(sia)对于特征尺寸为0.065～0.13μm的硅片要求是：全局平整度(gbir)小于2μm、表面粗糙度达到纳米和亚纳米级、表面很小的残余应力和损伤层或无损伤，即对硅片加工的表面平整度、表面粗糙度、表面缺陷等提出更高的要求。
2、目前，利用化学机械抛光(cmp)技术对硅片表面进行平坦化处理，已成为集成电路制造技术进入深亚微米以后技术时代必不可少的工艺步骤之一。化学机械抛光工艺是在一定的向下压力下将硅片和抛光台/抛光垫保持旋转，将抛光液输入抛光垫上，在化学和机械的协同作用下，获得高质量的抛光硅片。
3、目前用于硅片抛光的抛光液通常包括磨料、金属螯合剂，及腐蚀剂(无机碱或有机碱)等，在对硅片进行抛光时，存在去除速率较慢的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的专利技术目的在于，提供一种抛光液，通过各组分的协同作用，提高抛光速率。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种抛光液，按照重量份数计，包括如下组分：
4、
5、所述表面活性剂选自脂肪醇醚磷酸酯、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚中的至少一种。
...【技术保护点】
1.一种抛光液，其特征在于，按照重量份数计，包括如下组分：
2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述硅溶胶的质量浓度为30％。
3.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述硅溶胶的粒径范围为20-200nm。
4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于，所述硅溶胶包括粒径为20nm的第一硅溶胶、粒径为50nm的第二硅溶胶、粒径为70nm的第三硅溶胶。
5.如权利要求4所述的抛光液，其特征在于，所述第一硅溶胶、所述第二硅溶胶、所述第三硅溶胶的质量比为(5-7)：(1-5)：1。
6.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述金属螯合剂选自二乙烯三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、羟基亚乙基二膦酸中的至少一种。
7.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述pH调节剂选自氢氧化钾、四乙基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、二乙烯三胺、三乙烯四胺、酒石酸、柠檬酸、甘氨酸、乳酸中的至少一种。
8.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述有机胺选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化
9.如权利要求1-8任一项所述的抛光液，其特征在于，所述抛光液的pH值为5-13。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的抛光液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种抛光液，其特征在于，按照重量份数计，包括如下组分：
2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述硅溶胶的质量浓度为30％。
3.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述硅溶胶的粒径范围为20-200nm。
4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于，所述硅溶胶包括粒径为20nm的第一硅溶胶、粒径为50nm的第二硅溶胶、粒径为70nm的第三硅溶胶。
5.如权利要求4所述的抛光液，其特征在于，所述第一硅溶胶、所述第二硅溶胶、所述第三硅溶胶的质量比为(5-7)：(1-5)：1。
6.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述金属螯合剂选自二乙烯三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、羟基亚乙基二膦酸中的至少一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王辰伟，李星，雷双双，李仕权，张俊华，
申请(专利权)人：江苏山水半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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