【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池制造，特别是涉及一种tbc太阳能电池的制备方法。
技术介绍
1、双面接触太阳能电池perc(passivated emitter and rear cell)、topcon(tunnel oxide passivated contact)和hjt(heterojunction with intrinsic thin-layer)等等由于正面均存在金属栅线遮挡，一部分入射光线无法吸收，并且正面美观欠佳。ibc(交叉指式背接触电池)将电极栅线全置于电池背面，因此具有更高的短路电流jsc，同时背面金属栅线可以加宽来降低串联电阻rs，从而提高填充因子ff，使得该种电池不仅转换效率高，而且外观美观。此外，topcon与bc(隧穿结接触技术，buried contacttechnology)技术叠加的tbc(隧穿结，tunneling barrier cell)电池因其较大提效潜力得到广泛关注。
2、但是，背面隧穿钝化结构的tbc电池因其制备工艺复杂、生产成本较高，依然无法实现大规模量产。目前tbc电池背面结构涉及到掩膜、激光和湿法等多种搭配，并且n区和p区之间的隔离问题依然显著，生产工艺复杂且冗长，影响电池生产效率。
3、目前，大多数tbc制备技术均采用多步掩膜和印刷浆料等方法。例如，采用一次激光去除n区bsg(硼硅玻璃，borosilicate glass)再沉积poly(多晶硅，polycrystallinesilicon)进行p扩(即硼扩)，接着二次激光形成隔离区；或者，现有技术中通常
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提出一种tbc太阳能电池的制备方法，能够缩短生产工序，并且降低激光损伤对电池的风险。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种tbc太阳能电池的制备方法，包括如下：
3、将衬底浸入预定温度中与指定溶液进行制绒，且制绒时间控制在预定时间内；
4、在所述衬底背面依次沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层；
5、在所述本征多晶硅层远离所述隧穿氧化层的一侧沉积掩膜层；
6、在所述掩膜层上形成第一开口区，并在所述第一开口区上进行硼扩推进形成掺硼多晶硅层；
7、在所述掩膜层上形成第二开口区，并在所述第二开口区上进行磷扩推进形成掺磷多晶硅层；所述第一开口区与所述第二开口区之间剩余有所述掩膜层；以及
8、在所述衬底背面沉积减反层。
9、进一步的，所述预定温度在60℃-80℃。
10、进一步的，所述指定溶液包括koh溶液或naoh溶液。
11、进一步的，所述koh溶液或naoh溶液的质量分数为1％～3％。
12、进一步的，所述预定时间在15min-25min范围内。
13、进一步的，所述在所述本征多晶硅层远离所述隧穿氧化层的一侧沉积掩膜层，具体包括：采用pecvd或lpcvd方法在所述本征多晶硅层上制备所述掩膜层。
14、进一步的，所述掩膜层厚度在150nm～450nm范围内。
15、进一步的，所述掩膜层采用耐激光损伤的氮化硅材质。
16、进一步的，所述在所述掩膜层上形成第一开口区，具体包括：采用皮秒绿光激光器在所述掩膜层的p区开槽形成所述第一开口区。
17、进一步的，所述在所述第一开口区上进行硼扩推进形成掺硼多晶硅层，具体包括：采用硼扩工艺在所述第一开口区形成bsg层，并经过第一指定温度推进后，位于所述第一开口区和所述隧穿氧化层之间的本征多晶硅层变为所述掺硼多晶硅层。
18、进一步的，所述在所述掩膜层上形成第二开口区，具体包括：采用皮秒绿光激光器在所述掩膜层的n区开槽形成所述第一开口区。
19、进一步的，所述在所述第二开口区上进行磷扩推进形成掺磷多晶硅层，具体包括：采用磷扩工艺在所述第二开口区形成psg层，并经过第二指定温度推进后，位于所述第二开口区和所述隧穿氧化层之间的本征多晶硅层变为所述掺磷多晶硅层。
20、进一步的，所述在所述衬底背面沉积减反层，具体包括：通过链式清洗方式去除所述bsg层和psg层，然后在所述衬底背面沉积所述减反层。
21、进一步的，所述减反层的厚度在40nm～90nm的范围内。
22、进一步的，所述减反层采用氮化硅材质。
23、进一步的，所述剩余的掩膜层长度在40μm～80μm范围内。
24、通过上述技术方案，本专利技术具有如下有益效果：
25、通过将衬底浸入预定温度中与指定溶液进行制绒，且制绒时间控制在预定时间内；在衬底背面依次沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层；在本征多晶硅层远离隧穿氧化层的一侧沉积掩膜层；在掩膜层上形成第一开口区，并在第一开口区上进行硼扩推进形成掺硼多晶硅层；在掩膜层上形成第二开口区，并在第二开口区上进行磷扩推进形成掺磷多晶硅层；第一开口区与第二开口区之间剩余有掩膜层；在衬底背面沉积减反层。本方法能够缩短生产工序，并且降低激光损伤对电池的风险；且激光设备可以相互兼容，节约了成本。
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1.一种TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下：
2.如权利要求1所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述预定温度在60℃-80℃。
3.如权利要求1所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述指定溶液包括KOH溶液或NaOH溶液。
4.如权利要求3所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述KOH溶液或NaOH溶液的质量分数为1％～3％。
5.如权利要求1所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述预定时间在15min-25min范围内。
6.如权利要求1所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述本征多晶硅层远离所述隧穿氧化层的一侧沉积掩膜层，具体包括：采用PECVD或LPCVD方法在所述本征多晶硅层上制备所述掩膜层。
7.如权利要求6所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掩膜层厚度在150nm～450nm范围内。
8.如权利要求6所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掩膜层采用耐激光损伤的氮化硅材质。
9.
10.如权利要求9所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一开口区上进行硼扩推进形成掺硼多晶硅层，具体包括：采用硼扩工艺在所述第一开口区形成BSG层，并经过第一指定温度推进后，位于所述第一开口区和所述隧穿氧化层之间的本征多晶硅层变为所述掺硼多晶硅层。
11.如权利要求10所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述掩膜层上形成第二开口区，具体包括：采用皮秒绿光激光器在所述掩膜层的n区开槽形成所述第一开口区。
12.如权利要求11所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第二开口区上进行磷扩推进形成掺磷多晶硅层，具体包括：采用磷扩工艺在所述第二开口区形成PSG层，并经过第二指定温度推进后，位于所述第二开口区和所述隧穿氧化层之间的本征多晶硅层变为所述掺磷多晶硅层。
13.如权利要求12所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底背面沉积减反层，具体包括：通过链式清洗方式去除所述BSG层和PSG层，然后在所述衬底背面沉积所述减反层。
14.如权利要求1所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述减反层的厚度在40nm～90nm的范围内。
15.如权利要求1所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述减反层采用氮化硅材质。
16.如权利要求1所述的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述剩余的掩膜层长度在40μm～80μm范围内。
...【技术特征摘要】
1.一种tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下：
2.如权利要求1所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述预定温度在60℃-80℃。
3.如权利要求1所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述指定溶液包括koh溶液或naoh溶液。
4.如权利要求3所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述koh溶液或naoh溶液的质量分数为1％～3％。
5.如权利要求1所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述预定时间在15min-25min范围内。
6.如权利要求1所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述本征多晶硅层远离所述隧穿氧化层的一侧沉积掩膜层，具体包括：采用pecvd或lpcvd方法在所述本征多晶硅层上制备所述掩膜层。
7.如权利要求6所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掩膜层厚度在150nm～450nm范围内。
8.如权利要求6所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掩膜层采用耐激光损伤的氮化硅材质。
9.如权利要求1所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述掩膜层上形成第一开口区，具体包括：采用皮秒绿光激光器在所述掩膜层的p区开槽形成所述第一开口区。
10.如权利要求9所述的tbc太阳能电池的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：仇翔，吴魁艺，柳伟，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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