【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及包括磁隧道结的磁存储器件以及制造该磁存储器件的方法。
技术介绍
1、随着电子产品趋向于高速和/或低功耗，对于结合在电子产品中的半导体存储器件越来越需要高速和低操作电压。为了满足上述需求，已经开发了磁存储器件作为半导体存储器件。因为磁存储器件以高速操作并且具有非易失性特性，所以它们作为下一代半导体存储器件已经吸引了相当的注意力。
2、一般而言，磁存储器件可以包括磁隧道结(magnetic tunnel junction，mtj)图案。磁隧道结图案可以包括两个磁结构和插入其间的电介质层。磁隧道结图案的电阻可以根据两个磁结构的磁化方向而变化。例如，当两个磁结构的磁化方向反平行时，磁隧道结图案可以具有高(较高)电阻，而当两个磁结构的磁化方向平行时，磁隧道结图案可以具有低(较低)电阻。磁存储器件可以利用磁隧道结的高电阻和低电阻之间的差异来写入和读取数据。
3、随着电子工业中的显著进步，对磁存储器件的高集成度和/或低功耗的需求日益增加，并且此外，已经进行了许多研究来提高磁存储器件的可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些实施例提供了一种其可靠性增加的磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。
2、根据本专利技术构思的一些实施例，一种存储器件可以包括：参考磁图案和自由磁图案，所述参考磁图案和所述自由磁图案顺序堆叠在衬底上；以及隧道势垒图案，所述隧道势垒图案位于所述参考磁图案和所述自由磁图案之间，其中，所述参考磁图案包括：第一钉扎图案；
3、根据本专利技术构思的一些实施例，一种存储器件可以包括：衬底；下层间电介质层，所述下层间电介质层位于所述衬底上；下布线线路，所述下布线线路位于所述下层间电介质层中；数据存储图案，所述数据存储图案位于所述下布线线路上；以及下接触插塞，所述下接触插塞在所述下布线线路和所述数据存储图案之间在第一方向上延伸，并将所述下布线线路和所述数据存储图案彼此电连接，其中所述第一方向垂直于所述衬底的上表面，其中，所述数据存储图案包括：下电极，所述下电极电连接到所述下接触插塞；以及晶种图案、参考磁图案、隧道势垒图案、自由磁图案和上电极，所述晶种图案、所述参考磁图案、所述隧道势垒图案、所述自由磁图案和所述上电极顺序堆叠在所述下电极上，其中所述参考磁图案包括：第一钉扎图案；第二钉扎图案，所述第二钉扎图案位于所述第一钉扎图案和所述隧道势垒图案之间；以及交换耦合图案，所述交换耦合图案位于所述第一钉扎图案和所述第二钉扎图案之间，所述交换耦合图案将所述第一钉扎图案和所述第二钉扎图案彼此反铁磁耦合，其中，所述第一钉扎图案包括：第一磁图案；以及第二磁图案，所述第二磁图案位于所述第一磁图案和所述交换耦合图案之间，其中所述第一磁图案是包括第一铁磁元素和第一非磁性金属元素的合金的单层，并且其中，所述第二磁图案是包括第二铁磁元素的单层。
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1.一种存储器件，所述存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一磁图案在第一方向上的第一厚度大于所述第二磁图案在所述第一方向上的第二厚度，并且
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第一厚度为至并且
4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一铁磁元素包括Co、Fe和/或Ni，并且
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一磁图案包括FePt、CoPt、NiPt和/或CoCrPt。
6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二铁磁元素包括Co和/或Fe。
7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第二磁图案包括Co、Fe和/或CoFe。
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述交换耦合图案包括Ir和/或Ru。
9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述交换耦合图案在第一方向上的厚度为至并且
10.根据权利要求1所述的存储器件，所述存储器件还包括晶种图案，所述晶种图案位于所述衬底和所述参考磁图案之间，
11.根据权
12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述第一晶种图案包括金属氮化物，并且
13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述金属氮化物是TaN，
14.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二钉扎图案包括第三铁磁元素，并且还包括Mo、W和/或B。
15.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一磁图案包括密排六方晶格结构。
16.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
17.一种存储器件，所述存储器件包括：
18.根据权利要求17所述的存储器件，其中，所述第一铁磁元素包括Co、Fe和/或Ni，
19.根据权利要求17所述的存储器件，其中，所述交换耦合图案包括Ir和/或Ru，并且
20.根据权利要求17所述的存储器件，其中，所述晶种图案包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器件，所述存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一磁图案在第一方向上的第一厚度大于所述第二磁图案在所述第一方向上的第二厚度，并且
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第一厚度为至并且
4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一铁磁元素包括co、fe和/或ni，并且
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一磁图案包括fept、copt、nipt和/或cocrpt。
6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二铁磁元素包括co和/或fe。
7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第二磁图案包括co、fe和/或cofe。
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述交换耦合图案包括ir和/或ru。
9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述交换耦合图案在第一方向上的厚度为至并且
10.根据权利要求1所述的存储器件，所述存储器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：金廷穆，金柱显，吴世忠，郑峻昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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