【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜、被动制冷领域，具体涉及一种具有高导热辐射冷却薄膜的制备方法。
技术介绍
1、太阳照射和设备工作产生的损耗使物体表面和内部温度都升高，特别是如今全球气温上升的夏季，可能影响到了设备的正常运行，甚至是其周围居民的人身安全。通过大气窗口（8-13 μm）自发地将热量散发到外太空，而不消耗任何能量或释放二氧化碳的辐射冷却技术，因其易于使用和可扩展性而具有前景。
2、目前大多数研究人员只是在具有选择性高发射聚合物材料的基础上，通过创造多孔或者填充介电粒子对太阳光进行散射来获得高太阳光反射能力以此来实现辐射制冷性能，很少有人根据应用环境和使用场景需求来进行设计。仅具有高太阳光反射率和高大气窗口发射率（选择性发射器）的辐射制冷材料，对具有内热源的冷却物体来说，其降温效果并不明显。对于具有内热源物体，其温度往往高于周围环境温度，此时与选择性发射器材料相比，宽谱带发射材料（整个中红外波段都具有高的发射率）能提供更多的制冷功率，并且温度高的物质总是向温度低的物质传递能量，增大辐射制冷材料的导热能力能为被冷却物体提供更多制冷功率。在实际生活中，传统的辐射冷却方式往往因为被冷却的物体通常具有较大的热容量，只能被冷却到略低于或接近环境的温度，所以大多数时刻被冷却物体的温度都是高于环境温度的。因此，如何制备一种具有高导热率的辐射制冷材料成为了本领域技术人员急需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种具有高导热率的辐射制冷材料的制备方法。>
2、为解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种用于辐射冷却膜的制备方法，所述的制备方法包括p-s-x复合膜刮涂液的制备和高导热辐射冷却复合膜（p-s-x复合膜薄膜）的成型两个步骤。
3、首先，将st与dmf、kh570进行混合，并在细胞粉碎机下分散。之后，在分散均匀的st分散液中加pvdf粉末，并在加热的水浴锅中搅拌加热，使pvdf粉末完全溶解于st分散液中，最后，将其取出放置在恒温加热的磁力搅拌机上，并加入少量pdms搅拌3-4 h而获得分散均匀的p-s-x复合膜刮涂液。
4、第二步制备p-s-x复合薄膜，采用刮涂的方式将溶液刮涂到干净的基底上，在加热铝台固化之后，将其放置于热压机中热压，最终制得具有高导热p-s-x复合膜薄膜。
5、所述的n-n二甲基甲酰胺、kh570与钛酸锶粉体的质量比为10:0.1-0.2:0.5-1.75；在一些具体的实施例中，所述的钛酸锶粉体的用量为10:0.2:0.5、10:0.2:1.0、10:0.2:1.5、10:0.2:1.75中的任意一种，记为p-s-x（x=0.5、1.0、1.5、1.75）；优选为n-n二甲基甲酰胺、kh570与钛酸锶粉体的质量比为10:0.2:1.75（p-s-1.75）。
6、所述的kh570作用是为了减少钛酸锶粉体的团聚，增加与聚合物的相容性。
7、所述的在细胞粉碎机中进行分散，分散时间为5-20 min。所述细胞粉碎机的工作参数为搅拌5 s，间停5 s，总时长为5-20 min，优选为10 min。
8、所述的pvdf粉体的加入量与钛酸锶粉体的质量比为0.5-1.75。
9、所述的pvdf粉体的加入钛酸锶分散液时边搅拌便加入，以缩短其溶解时间和在容器壁上药品的残留，搅拌速度为200-500 r/min，工作温度60-80 ℃，搅拌时长1-2 h。
10、pdms的加入量为pvdf粉体的1%。其中少量pdms的作用是为了增加复合膜的粘附性，并进一步提高复合膜的柔性。
11、所述的基板为经过砂纸打磨的金属铝板；铝台工作温度为80-90 ℃；加热铝台是为了让刮涂液在基板上固化。热压机工作参数为150-180 ℃，8-10 mpa，1-2 h。热压机的采用是为了降低复合膜中的孔隙，增加复合膜的导热能力。
12、本专利技术的有益效果是：本申请提供技术方案采用包括p-s-x复合膜刮涂液的制备和p-s-x复合膜薄膜的成型两个步骤来制备所述的辐射冷却复合薄膜，其中，在p-s-x复合膜薄膜的成型是通过将制备的p-s-x复合膜薄膜刮涂液刮抹到基板上后再在加热铝台固化，最后放置于热压机中热压实现的。st和pvdf形成界面对太阳光的强烈散射，使得制备的p-s-1.75复合膜薄膜具有较高太阳光发射率（r0.45-2μm=84%），从而减少被冷却物体对太阳光能量的吸收；同时st的填充使pvdf从选择型发射器转变为宽谱带发射器（e2.5-25 μm=97%），提高了被冷却物体热量以红外线微波形式发射到空中的能力，使所述的冷却复合薄膜具备在太阳照射下可以实现降温的功能；复合膜中st的填充构建导热通道，提高了复合膜整体的导热能力（导热系数为1.97 w/（m·k）），从而进一步提高了复合膜对于高于环境温度（或具有内热源）物体的冷却能力。
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1.用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中N-N二甲基甲酰胺、KH570与钛酸锶粉体的质量比为10:0.1-0.2:0.5-1.75；优选为N-N二甲基甲酰胺、KH570与钛酸锶粉体的质量比为10:0.2:1.75。
3.根据权利要求1所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的分散是在细胞粉碎机中进行分散，分散时间为5-20 min。
4.根据权利要求1所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中PVDF粉体的加入量与钛酸锶粉体的质量比为0.5-1.75。
5.根据权利要求4所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，PVDF粉体的加入钛酸锶分散液时边搅拌边加入，搅拌速度为200-500 r/min，工作温度60-80 ℃，搅拌时长1-2h。
6.根据权利要求1所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）PDMS的加入量为PVDF粉体
7.根据权利要求1所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中基板为经过砂纸打磨的金属铝板；
...【技术特征摘要】
1.用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中n-n二甲基甲酰胺、kh570与钛酸锶粉体的质量比为10:0.1-0.2:0.5-1.75；优选为n-n二甲基甲酰胺、kh570与钛酸锶粉体的质量比为10:0.2:1.75。
3.根据权利要求1所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的分散是在细胞粉碎机中进行分散，分散时间为5-20 min。
4.根据权利要求1所述的用于高导热辐射冷却复合膜的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔豫龙，王孟洋，谭新玉，齐贵广，杨雄波，丁鹤威，李晋，
申请(专利权)人：三峡大学，
类型：发明
国别省市：
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