【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及沉积成膜，具体涉及一种沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法及沉积成膜设备。
技术介绍
1、利用等离子体增强（plasma enhanced，pe）工艺的沉积成膜设备包括射频电源、反应器和电极组件。反应器的内部形成反应腔，电极组件安装于反应腔中，射频电源和电极组件相连。
2、请参考图1，图1为相关技术中沉积成膜设备的一种电极组件的结构示意图。
3、相关技术中，如图1所示，电极组件包括两个相间隔地支撑杆011和两个相间隔的电极杆012，两支撑杆011均采用绝缘材料制备，两电极杆012外侧套设绝缘套管。两支撑杆011均设置有电极座013，两电极杆012分别和两个电极座013相连接。在进行沉积成膜作业时，承载有硅片等基片的载具可以被运输至反应腔中，并可以支撑于两支撑杆011，同时，载具可以和两电极座013相连，以构建射频电源和载具之间的电连接关系。然后，向反应腔内通入反应气体，并启动射频电源，即可以在基片的表面进行沉积成膜。
4、然而，在基片表面制备导电膜时，随着工艺的不断进行，电极组件中绝缘部件（如支撑杆011、电极杆012外侧的绝缘套管等）也会逐渐被该导电膜所覆盖，这就会改变电极组件中绝缘部件本身的绝缘特性，覆盖于电极组件中绝缘部件的导电膜，尤其是两支撑杆011表面的导电膜与邻近的载具产生打弧、放电现象，从而引发生产异常状况，严重影响设备的稳定运行以及沉积成膜的质量。
5、针对此，常规的处理手段是对电极组件进行拆卸，然后对电极组件需保持绝缘的部件如支撑杆011、电极杆01
6、因此，如何提供一种方案，以克服或者缓解上述缺陷，仍是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法及沉积成膜设备，其中，该处理方法无需对电极组件进行拆卸、即可以完成对于电极组件中至少支撑杆的在线绝缘修复，劳动强度低，修复速度快，可减少反应腔被污染的风险，有利于提升设备的产生效率以及良品率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法，所述处理方法包括异常处理步骤，所述异常处理步骤包括：控制载具进入反应腔，并连接所述载具和射频电源；向所述反应腔中通入第一工艺气体；控制启动所述射频电源，并对所述第一工艺气体进行电离，以至少在支撑杆的表面沉积绝缘膜。
3、上述处理方法是对沉积成膜设备既有沉积成膜功能的一个合理应用，其无需引入其他设备，直接利用沉积成膜设备自身即可以完成对于支撑杆的自修复，相当于是为沉积成膜设备增加了一个自修复模式，专利技术构思巧妙。修复过程无需对支撑杆进行拆卸、打磨，即可以在线地完成对于支撑杆的绝缘修复。这样，能够极大地降低人工劳动强度，可缩减人力配置，并能够缩短绝缘修复的时间，提升生产效率。同时，还可减少支撑杆等零部件因频繁拆装而造成的损坏，能够降低设备的运营成本。并且，可以较大程度地降低工艺腔内被污染的风险，相应地，在设备重新投入使用时，饱和处理的时间也可以相对较少，使得设备可以在更短的时间内投入应用，可更大程度地提升生产效率，保证良品率。
4、可选地，所述绝缘膜包括氮化硅膜、氧化硅膜和氮氧化硅膜中的至少一者。
5、可选地，所述处理方法在所述异常处理步骤之前还包括异常检测步骤，所述异常检测步骤包括：获取所述射频电源的第一特征信息；判断所述第一特征信息是否符合第一设定条件，若是，则控制输出异常确认信息。
6、可选地，所述第一特征信息包括单位电弧数量，所述单位电弧数量为单位时间内一个所述反应器中的电弧数量，所述第一设定条件为所述单位电弧数量大于设定数量。
7、可选地，所述第一特征信息包括所述射频电源的负载阻抗信息，所述第一设定条件为所述负载阻抗信息小于设定值。
8、可选地，所述处理方法在所述异常处理步骤和所述异常检测步骤之间还包括异常识别步骤，所述异常识别步骤包括：在收到所述异常确认信息后，判断沉积成膜设备是否存在硬件损坏，若否，执行所述异常处理步骤。
9、可选地，所述处理方法还包括异常解除判断步骤，所述异常解除判断步骤包括：获取所述射频电源的第二特征信息；判断所述第二特征信息是否符合第二设定条件，若是，则控制输出异常解除信息。
10、可选地，所述第二特征信息包括所述射频电源的负载阻抗信息，所述第二设定条件为所述负载阻抗信息在设定区间内。
11、可选地，在所述获取所述射频电源的第二特征信息之前，所述异常解除判断步骤还包括：向所述反应腔中通入第二工艺气体。
12、本专利技术还提供沉积成膜设备，包括反应器、电极组件、射频电源、载具和控制器，所述反应器具有反应腔，所述电极组件包括支撑杆和电极部件，所述支撑杆的至少局部安装于所述反应腔中，所述载具能够支撑于所述支撑杆，所述载具通过所述电极部件和所述射频电源相连，所述控制器包括处理器和存储有计算机程序的存储器，所述处理器执行所述计算机程序时实施如上述的沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法。
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1.沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括异常处理步骤，所述异常处理步骤包括：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述绝缘膜包括氮化硅膜、氧化硅膜和氮氧化硅膜中的至少一者。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法在所述异常处理步骤之前还包括异常检测步骤，所述异常检测步骤包括：
4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述第一特征信息包括单位电弧数量，所述单位电弧数量为单位时间内一个所述反应器中的电弧数量，所述第一设定条件为所述单位电弧数量大于设定数量。
5.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述第一特征信息包括所述射频电源的负载阻抗信息，所述第一设定条件为所述负载阻抗信息小于设定值。
6.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法在所述异常处理步骤和所述异常检测步骤之间还包括异常识别步骤，所述异常识别步骤包括：
7.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括异常解除判断步骤，所述异常解除判断步骤包括
8.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述第二特征信息包括所述射频电源的负载阻抗信息，所述第二设定条件为所述负载阻抗信息在设定区间内。
9.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，在所述获取所述射频电源的第二特征信息之前，所述异常解除判断步骤还包括：
10.沉积成膜设备，其特征在于，包括反应器、电极组件、射频电源、载具和控制器，所述反应器具有反应腔，所述电极组件包括支撑杆和电极部件，所述支撑杆的至少局部安装于所述反应腔中，所述载具能够支撑于所述支撑杆，所述载具通过所述电极部件和所述射频电源相连，所述控制器包括处理器和存储有计算机程序的存储器，所述处理器执行所述计算机程序时实施如权利要求1-9中任一项所涉及沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法。
...【技术特征摘要】
1.沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括异常处理步骤，所述异常处理步骤包括：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述绝缘膜包括氮化硅膜、氧化硅膜和氮氧化硅膜中的至少一者。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法在所述异常处理步骤之前还包括异常检测步骤，所述异常检测步骤包括：
4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述第一特征信息包括单位电弧数量，所述单位电弧数量为单位时间内一个所述反应器中的电弧数量，所述第一设定条件为所述单位电弧数量大于设定数量。
5.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述第一特征信息包括所述射频电源的负载阻抗信息，所述第一设定条件为所述负载阻抗信息小于设定值。
6.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法在所述异常处理步骤和所述异常检测步骤之间还包括异常识别步骤，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王亨，廖宝臣，韩方虎，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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