【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体测试，尤其涉及一种验证量测准确性的方法及装置。
技术介绍
1、在半导体的制备工艺中，套刻误差值(overlay)是衡量当前层与前一层对准精度和良率保障的重要指标。通常使用扫描电镜(scanning electron microscope，sem)对制程中的晶圆拍摄图片来获取套刻误差值。随着技术的发展，出现了使用idm(芯片计量，in diemetrology)测量机台对套刻误差进行测量，但是并不能确定测出的套刻误差值是否准确。
2、在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的相关技术的信息。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种验证量测准确性的方法及装置，能够确定idm测量机台的量测的准确性。
2、本公开实施例提供了一种验证量测准确性的方法，包括：通过扫描电镜获得样本晶圆的参考套刻误差测量参数，所述参考套刻误差测量参数包括第一参考套刻误差值、参考斜率值、参考掩膜标准偏差和参考差异标准偏差；通过idm测量机台获得所述样本晶圆的待验证套刻误差测量参数，所述待验证套刻误差测量参数包括第一待验证套刻误差值、待验证参考斜率值、待验证掩膜标准偏差和待验证差异标准偏差；根据所述参考套刻误差测量参数获得所述扫描电镜的参考套刻误差测量精度指标；根据所述待验证套刻误差测量参数获得所述idm测量机台的待验证套刻误差测量精度指标；根据所述参考套刻误差测量精度指标和所述待验证套刻误差测量精度指标，获
3、在本公开的一些实施例中，根据所述参考套刻误差测量参数获得所述扫描电镜的参考套刻误差测量精度指标，包括：根据所述第一参考套刻误差值和所述参考斜率值，获得参考斜率精度指标；根据所述参考掩膜标准偏差和所述参考差异标准偏差，获得参考标准偏差精度指标；根据所述参考斜率精度指标和所述参考标准偏差精度指标，获得所述参考套刻误差测量精度指标；其中，所述参考斜率值包括参考平均斜率值和参考斜率标准偏差。
4、在本公开的一些实施例中，所述参考套刻误差测量参数还包括参考重复标准偏差；采用以下公式获得所述参考套刻误差测量精度指标：
5、
6、其中，a1为所述参考套刻误差测量精度，m3σ11为所述第一参考套刻误差值，μ12为所述参考平均斜率值，3σ12为所述参考斜率标准偏差，3σ13为所述参考掩膜标准偏差；3σ14为所述参考差异标准偏差；3σ15为所述参考重复标准偏差；m3σ112*(3σ122+(μ12-1)2)为所述参考斜率精度指标；3σ132+3σ142-3σ152为所述参考标准偏差精度指标。
7、在本公开的一些实施例中，根据所述待验证套刻误差测量参数获得所述idm测量机台的待验证套刻误差测量精度指标，包括：根据所述第一待验证套刻误差值和所述待验证斜率值，获得待验证斜率精度指标；根据所述待验证掩膜标准偏差和所述待验证差异标准偏差，获得待验证标准偏差精度指标；根据所述待验证斜率精度指标和所述待验证标准偏差精度指标，获得所述待验证套刻误差测量精度指标。其中，所述待验证斜率值包括待验证平均斜率值和待验证斜率标准偏差。
8、在本公开的一些实施例中，所述待验证套刻误差测量参数还包括待验证重复标准偏差；采用以下公式获得所述待验证套刻误差测量精度指标：
9、
10、其中，a2为所述待验证套刻误差测量精度指标，m3σ21为所述第一待验证套刻误差值，μ22为所述待验证平均斜率值，3σ22为所述待验证斜率标准偏差，3σ23为所述待验证掩膜标准偏差；3σ24为所述待验证差异标准偏差；3σ25为所述待验证重复标准偏差；m3σ212*(3σ222+(μ22-1)2)为所述待验证斜率精度指标；3σ232+3σ242-3σ252为所述待验证标准偏差精度指标。
11、在本公开的一些实施例中，所述方法还包括：根据所述参考套刻误差测量精度指标和所述待验证套刻误差测量精度指标获得卡控值；通过所述扫描电镜和所述idm测量机台获得比较差值；根据所述卡控值和所述比较差值，获得所述idm测量机台的套刻误差测量的准确性验证结果。
12、在本公开的一些实施例中，采用以下公式获得所述卡控值：
13、
14、其中，s为卡控值，a1为所述参考套刻误差测量精度指标，a2为所述待验证套刻误差测量精度指标。
15、在本公开的一些实施例中，根据所述参考套刻误差测量精度指标和所述待验证套刻误差测量精度指标获得卡控值，包括：对所述参考套刻误差测量精度指标和所述待验证套刻误差测量精度指标求和，获得所述卡控值。
16、在本公开的一些实施例中，通过所述扫描电镜和所述idm测量机台获得比较差值，包括：从所述扫描电镜中获得所述第一参考套刻误差值或第二参考套刻误差值；从所述idm测量机台中获得所述第一待验证套刻误差值或第二待验证套刻误差值；根据所述第一参考套刻误差值和所述第一待验证套刻误差值或根据所述第二参考套刻误差值和所述第二待验证套刻误差值，获得所述比较差值。
17、本公开实施例还提供一种验证量测准确性的装置，包括获取单元、处理单元和验证单元。
18、获取单元用于通过扫描电镜获得样本晶圆的参考套刻误差测量参数，所述套刻误差测量参数包括第一参考套刻误差值、参考斜率值、参考掩膜标准偏差和参考差异标准偏差；所述获取单元还用于通过idm测量机台获得所述样本晶圆的待验证套刻误差测量参数，所述待验证套刻误差测量参数包括第一待验证套刻误差值、待验证参考斜率值、待验证掩膜标准偏差和待验证差异标准偏差；处理单元用于根据所述参考套刻误差测量参数获得所述扫描电镜的参考套刻误差测量精度指标；所述处理单元还用于根据所述待验证套刻误差测量参数获得所述idm测量机台的待验证套刻误差测量精度指标；验证单元用于根据所述参考套刻误差测量精度指标和所述待验证套刻误差测量精度指标，获得所述idm测量机台的套刻误差测量的准确性验证结果。
19、由上述技术方案可知，本公开实施例的验证量测准确性的方法具备以下优点和积极效果中的至少之一：
20、本公开实施例中，通过扫描电镜获取参考套刻误差测量参数，并根据参考套刻误差测量参数计算获得扫描电镜的参考套刻误差测量精度指标，通过idm测量机台获取待验证套刻误差测量参数，并根据待验证套刻误差测量参数计算获得idm测量机台的待验证套刻误差测量精度指标，可以以扫描电镜的参考套刻误差精度指标作为参考，通过idm测量机台的待验证套刻误差测量精度指标获得idm测量机台的套刻误差测量的准确性验证结果，进而获得idm测量机台测量的套刻误差是否准确。该方法以扫描电镜获得的精度作为参考，使得方法简单，且使得所获得的idm测量机台的套刻误差测量的准确性验证结果的可靠性提高。
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1.一种验证测量准确性的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述参考套刻误差测量参数获得所述扫描电镜的参考套刻误差测量精度指标，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述参考套刻误差测量参数还包括参考重复标准偏差；采用以下公式获得所述参考套刻误差测量精度指标：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述待验证套刻误差测量参数获得所述IDM测量机台的待验证套刻误差测量精度指标，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述待验证套刻误差测量参数还包括待验证重复标准偏差；采用以下公式获得所述待验证套刻误差测量精度指标：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用以下公式获得所述卡控值：
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述参考套刻误差测量精度指标和所述待验证套刻误差测量精度指标获得卡控值，包括：
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过所述
10.一种验证量测准确性的装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种验证测量准确性的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述参考套刻误差测量参数获得所述扫描电镜的参考套刻误差测量精度指标，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述参考套刻误差测量参数还包括参考重复标准偏差；采用以下公式获得所述参考套刻误差测量精度指标：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述待验证套刻误差测量参数获得所述idm测量机台的待验证套刻误差测量精度指标，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述待验证套刻误差测量...
【专利技术属性】
技术研发人员：张迁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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