【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，具体为一种硅晶体片正面软损伤处理保护结构。
技术介绍
1、硅片中的金属离子杂质会明显降低少子寿命，并进一步影响硅器件的性能。背面软损伤是通过对硅片背面的机械损伤，使硅片具有非本征的吸杂能力，这些损伤可以在ic工艺中作为吸除杂质的陷阱从而吸除硅片正面的杂质。喷砂法是一种比较常见的背面软损伤工艺，该工艺采用一定粒径的颗粒状物质如al2o3与水混合形成的砂浆，利用气压带动砂浆对移动中的传送带上的硅片进行喷砂，以达到在硅片背面形成“软”损伤的方法。通过对气压的大小、砂浆浓度、传送带的速度以及喷枪高度的改变，来控制硅片背面“软”损伤的程度，以达到使硅片具有吸杂能力又不致因机械损伤过大而带来其他负面效应；
2、目前半导体晶片的bsd背面软损伤加工过程中，晶片最终抛光面(正面)朝下放置在履带上，在bsd背面软损伤加工过程中，正面的倒角位置，有一定几率接触到履带形成擦伤，该擦伤位置为机械损伤，外延过程会形成sf层错聚集，产品报废。该类报废率高达5％以上。
3、半导体晶片生产过程无法针对bsd背面软损伤加工过程对硅晶体片本体进保护，使得硅晶体片在生产过中报废率无法改善，所以现在需要一种硅晶体片正面软损伤处理保护结构。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种硅晶体片正面软损伤处理保护结构，通过对硅晶体片本体中抛光面一侧贴附保护蓝膜来保证硅晶体片本体在转运、加工过程中硅晶体片本体整体不会与传输带进行接触，以解决
技术介绍
中提到的技术问题。
2、
3、优选的，所述硅晶体片本体一侧为抛光面，所述抛光面侧面开设正面倒角。
4、优选的，所述硅晶体片本体一侧为bsd面，所述bsd面侧面开设有背面倒角。
5、优选的，所述正面倒角和背面倒角连接设置。
6、优选的，所述保护蓝膜为亮面软质pvc薄膜,所述保护蓝膜一面涂布压克力系粘胶，所述保护蓝膜粘黏与抛光面一侧。
7、优选的，所述保护蓝膜切割形状与硅晶体片本体相同，所述保护蓝膜直径大于等于硅晶体片本体直径。
8、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
9、1、通过控制蓝膜直径来保证硅晶体片本体一侧能够稳定被保护蓝膜保护，且由于保护蓝膜整体直径大于等于硅晶体片本体直径，使得在硅晶体片本体加工、转运过程中作为抛光面的一侧与输送带接触时，保护蓝膜作为保护层代替接触过程，使得抛光面外侧开设的正面倒角不会出现擦伤，进而减少硅晶体片本体在外延过程中形成层错sf的可能性，大大提升硅晶体片本体加工质量和加工效率。
10、2、同时相较传统bsd工艺，新型的背面软损伤工艺，外延后正面倒角面区域的sf层错报废率从5％改善为0％,可大幅度降低外延单片加工成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅晶体片正面软损伤处理保护结构，其特征在于：包括硅晶体片本体(1)和保护蓝膜(2)，其中：
2.根据权利要求1所述的一种硅晶体片正面软损伤处理保护结构，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的一种硅晶体片正面软损伤处理保护结构，其特征在于：所述保护蓝膜(2)为亮面软质PVC薄膜,所述保护蓝膜(2)一面涂布压克力系粘胶，所述保护蓝膜(2)粘黏于抛光面(101)一侧。
【技术特征摘要】
1.一种硅晶体片正面软损伤处理保护结构，其特征在于：包括硅晶体片本体(1)和保护蓝膜(2)，其中：
2.根据权利要求1所述的一种硅晶体片正面软损伤处理保护结构，其特征在于：
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵叶红，汪祖一，钱俊，欧阳君怡，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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