【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷件加工，具体涉及一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法。
技术介绍
1、半导体cvd设备用锅形陶瓷件是半导体制造过程中关键的设备部件之一，广泛应用于集成电路、光电子器件、传感器等半导体产品的制造过程中，主要用于承载和反应过程中作为基体或反应室的一部分。这些陶瓷件通常采用高纯度、高稳定性的陶瓷材料制成，如氧化铝、氮化硅等，并且具有优异的耐高温、耐腐蚀、耐磨损等性能，能够适应半导体cvd过程中的高温、高压和腐蚀性环境。
2、锅形陶瓷件的加工需要经过成型、烧结、研磨和抛光等步骤，加工过程中，需要保证陶瓷件的高强度、高精度和低缺陷率；而其中陶瓷坯体的成型加工是决定陶瓷件在后续加工过程中的重要步骤；现有的静压成型在面对不同批次的陶瓷粉末材料时，无法保证成型后的陶瓷坯体的密度和强度，容易增加陶瓷坯体在后续加工过程中的不良率，造成原料浪费，降低生产效率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法，以解决上述背景中问题。
2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
3、一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法，包括以下步骤：
4、步骤一：粉末制备：选定陶瓷材料进行粉末制备，获得颗粒均匀的陶瓷粉末材料；
5、步骤二：静压成型：将陶瓷粉末材料装入模具中，通过高压液体均匀的对模具内陶瓷粉末材料进行压力施加，获得陶瓷坯体；
6、包括以下步骤：
7、获取当前批
8、基于静压信号，将陶瓷粉末材料装入陶瓷静压模具内，基于粉料湿度值sf计算获得静压压力值pj，基于静压压力值pj对陶瓷静压模具内的陶瓷粉末材料进行压力施加，并获得陶瓷坯体；
9、通过超声探测获取静压完成后陶瓷坯体的坯体密度表现值，并标记为mpb；并与坯体密度合格值mh进行比较；获得密度合格信号；
10、基于密度合格信号，计算获取陶瓷坯体的强度表现值，并标记为jqz；将强度表现值jqz与强度表现阈值jqyz进行比较；获得强度合格信号；
11、步骤三：预烧烧结：对陶瓷坯体先进行低温预烧，再进行高温烧结；
12、步骤四：精磨加工：对烧结完成的陶瓷件置于立磨设备中，对其内表面与外表面进行精磨处理；
13、步骤五：检测测试：对陶瓷件的进行表面检测，并对陶瓷件进行模拟环境测试。
14、作为本专利技术进一步的方案：判断粉料湿度值sf是否处于静压湿度值域[smin，smax]内；
15、若粉料湿度值不在静压湿度值域内，生成湿度调节信号；
16、若粉料湿度值处于静压湿度值域内，生成静压信号。
17、作为本专利技术进一步的方案：所述湿度值异常信号包括粉料干燥信号和粉料加湿信号；
18、若粉料湿度值小于静压湿度最小值smin，生成粉料加湿信号；
19、若粉料湿度值大于静压湿度最大值smax，生成粉料干燥信号。
20、作为本专利技术进一步的方案：所述静压压力值的计算方式包括：
21、获取陶瓷粉末材料的粉料湿度值sf，同时，基于静压加工密度和静压加工效率标准，获取静压合格数据，包括：静压效率时间值ty和坯体密度合格值mh；
22、基于静压合格数据，通过坯体粉料静压模型计算获得静压压力值pj；a为静压时间系数，b为静压压力系数。
23、作为本专利技术进一步的方案：将坯体密度表现值mpb与坯体密度合格值mh进行比较；
24、若坯体密度表现值mpb大于等于坯体密度合格值mh，生成密度合格信号；
25、若坯体密度表现值mpb小于坯体密度合格值mh，生成静压初次调整信号。
26、作为本专利技术进一步的方案：基于静压初次调整信号，以单位调整增加量txp对调整静压压力值pj进行增加调整，每次调整完成之后对陶瓷粉末材料进行静压，直至坯体密度表现值等于坯体密度合格值；
27、此时获取增加调整后的静压压力调整值pjtz；然后，基于静压效率时间值ty、坯体密度合格值mh和粉料湿度值sf，以及历史数据值集，对坯体粉料静压模型中的静压时间系数a和静压压力系数b进行更新计算，并得到更新后的坯体粉料静压模型。
28、作为本专利技术进一步的方案：所述陶瓷坯体强度表现值的计算方式为：
29、将陶瓷坯体置于强度测试设备中，对陶瓷坯体上表面的边缘进行三等分，获取三个等分点位，并分别标记为don、dtw和dth；
30、依次对三个等分点位同时进行垂直压力测试，直至陶瓷坯体出现破裂；
31、此时，获取三个等分点位上的测试压力值，并分别标记为pdon、pdtw和pdth；
32、测量三个等分点位之间的距离值，并标记为zjl；同时，获取陶瓷坯体上表面的面积值并标记为sbm；
33、通过计算获得陶瓷坯体的强度表现值jqz。
34、作为本专利技术进一步的方案：将强度表现值jqz与强度表现阈值jqyz进行比较；
35、若强度表现值jqz大于等于强度表现阈值jqyz；生成强度合格信号；
36、若强度表现值jqz小于强度表现阈值jqyz；生成静压二次调整信号。
37、作为本专利技术进一步的方案：基于静压二次调整信号，以单位调整增加量txp对调整静压压力值pj进行增加调整，每次调整完成之后对陶瓷粉末材料进行静压，直至强度表现值等于强度表现阈值；
38、此时获取增加调整后的静压压力调整值pjtz；然后，基于静压效率时间值ty、坯体密度合格值mh和粉料湿度值sf，以及历史数据值集，对坯体粉料静压模型中的静压时间系数a和静压压力系数b进行更新计算，并得到更新后的坯体粉料静压模型。
39、作为本专利技术进一步的方案：所述坯体粉料静压模型的获取方式为：获取历史静压测试数据集，包括坯体密度合格值mh下的静压效率时间值ty、历史粉料湿度值sfs和历史静压压力值pjs；
40、然后通过计算获得静压时间系数a和静压压力系数b，进而得到坯体粉料静压模型。
41、本专利技术的有益效果：
42、本专利技术中，通过对当前批次的陶瓷粉末材料的粉料湿度值进行检测，判断陶瓷粉末材料是否达到陶瓷坯体静压的条件，避免陶瓷粉末材料的湿度值无法满足陶瓷坯料静压的条件，进一步保证陶瓷坯料在静压过程中均匀流动性和结合稳定性；
43、同时，在静压过程中，基于陶瓷粉末材料的粉料湿度值和静压合格的标准数据，计算获得该批次陶瓷粉末材料在静压过程中的静压压力值，并对陶瓷粉末材料进行静压以获得陶瓷坯体，同时，对陶瓷坯体的坯体密度表现值和强度表现值进行检测，以保证静压获得的陶瓷坯体的合格率，进一步保证陶瓷坯体在后续加工过程中的稳定性；
44、通过每次对陶瓷粉末材料静压所获得的陶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，判断粉料湿度值SF是否处于静压湿度值域[Smin，Smax]内；
3.根据权利要求2所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，所述湿度值异常信号包括粉料干燥信号和粉料加湿信号；
4.根据权利要求1所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，所述静压压力值的计算方式包括：
5.根据权利要求1所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，将坯体密度表现值Mpb与坯体密度合格值MH进行比较；
6.根据权利要求5所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，基于静压初次调整信号，以单位调整增加量TXp对调整静压压力值PJ进行增加调整，每次调整完成之后对陶瓷粉末材料进行静压，直至坯体密度表现值等于坯体密度合格值；
7.根据权利要求1所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，所述陶瓷坯体强度表
8.根据权利要求1所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，将强度表现值JQZ与强度表现阈值JQyz进行比较；
9.根据权利要求8所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，基于静压二次调整信号，以单位调整增加量TXp对调整静压压力值PJ进行增加调整，每次调整完成之后对陶瓷粉末材料进行静压，直至强度表现值等于强度表现阈值；
10.根据权利要求1所述的一种半导体CVD设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，所述坯体粉料静压模型的获取方式为：获取历史静压测试数据集，包括坯体密度合格值MH下的静压效率时间值TY、历史粉料湿度值SFs和历史静压压力值PJs；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，判断粉料湿度值sf是否处于静压湿度值域[smin，smax]内；
3.根据权利要求2所述的一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，所述湿度值异常信号包括粉料干燥信号和粉料加湿信号；
4.根据权利要求1所述的一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，所述静压压力值的计算方式包括：
5.根据权利要求1所述的一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，将坯体密度表现值mpb与坯体密度合格值mh进行比较；
6.根据权利要求5所述的一种半导体cvd设备用锅形陶瓷件加工方法，其特征在于，基于静压初次调整信号，以单位调整增加量txp对调整静压压力值pj进行增加调整，每次调整完成之...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘洪奇，
申请(专利权)人：南通安翌顺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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