【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，尤其涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
1、在太阳能电池行业降本增效的主题驱动下，太阳能电池技术得到了更新迭代。其中，背接触太阳能电池（tbc）是在衬底和掺杂层之间沉积一层隧穿氧化层，且电池的正负电极以叉指状的形式分布在背面。
2、目前，tbc电池的制备工艺路线为：碱抛光衬底、背面沉积第一隧穿氧化层和第一非晶硅层、硼扩散掺杂形成掩膜硼硅玻璃（bsg层）、第一次开槽并清洗、背面沉积第二隧穿氧化层和第二非晶硅层、磷扩散掺杂形成掩膜磷硅玻璃层（psg层）、第二次开槽、清洗并同时双面制绒后过酸、背面沉积al0x层、背面和正面分别沉积sinx减反射膜、丝网印刷、烧结和测试分选。
3、其中，硼掺杂硅层的制备工艺较为重要，这是在于其获得的硼掺杂硅层的质量对电池的开压以及金属电极的接触十分重要。然而，目前制备硼掺杂多晶硅层仍具有诸多缺点，如很难在兼顾工艺稳定性的同时提升硼掺杂层的钝化效果，进而导致制备背接触太阳能电池的良率也较低。
4、需要说明的是，上述内容并不必然是现有技术，也不用于限制本申请的专利保护范围。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，以解决或缓解上面提出的一项或更多项技术问题。
2、本申请实施例的第一方面，提供一种背接触太阳能电池的制备方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括依次层叠设置的硅片、第一隧穿氧化层和第一本征非晶硅层；对所述衬底上的所述第
3、本申请实施例的方法，通过对第一本征非晶硅层进行晶化处理形成第一多晶硅层后，对第一多晶硅层进行硼扩散，以提升获得的硼掺杂层的钝化接触效果，进而提升背接触太阳能电池的良率。此外，先使非晶硅转化为多晶硅，再硼扩的工艺还可缩短硼掺杂层的形成总时间，以及提升该工艺的稳定性，特别适合大规模生产背接触太阳能电池。
4、具体地，通过在第一隧穿氧化层上进行第一本征非晶硅的沉积，并通过晶化处理，使得非晶硅转化为多晶硅后再进行硼扩散。硼扩散过程中，多晶硅比非晶硅对硼原子的扩散具有较好的阻挡作用，一方面，可采用较薄的非晶硅层就可完成硼原子的扩散，从而可提高非晶硅的沉积速率，缩短形成硼掺杂层的总时间，进而有利于获得硼掺杂层的工艺稳定性；另一方面，多晶硅对硼原子的阻挡作用较强，有利于对提升多晶硅掺杂硼时硼掺杂剂的浓度，从而可提升场钝化，减少了载流子在硅片表面复合的概率，进而较好地实现硼掺杂层的钝化效果。
5、根据本申请的实施例，所述衬底的制备方法包括：在所述硅片的背面通过激光热氧的方式形成第一隧穿氧化层；在第一隧穿氧化层远离所述硅片的一侧面沉积第一本征非晶硅层。
6、根据本申请的实施例，所述激光热氧过程中氧气的流量为500~5000sccm。
7、根据本申请的实施例，所述激光热氧过程中激光的波长为300~500nm。
8、根据本申请的实施例，所述激光热氧过程中激光的扫描速度为300~500mm/s。
9、根据本申请的实施例，所述沉积的方式包括：采用低压气相化学进行沉积。
10、根据本申请的实施例，晶化处理的方式包括采用脉冲激光照射所述第一本征非晶硅层，以使非晶硅转变成多晶硅。
11、根据本申请的实施例，所述脉冲激光中激光的波长为260~380nm。
12、根据本申请的实施例，所述脉冲激光中激光的频率为1~100hz。
13、根据本申请的实施例，所述脉冲激光中激光的能量密度为100~480mj/cm2。
14、根据本申请的实施例，所述脉冲激光中激光的扫描速度为2~10mm/s。
15、根据本申请的实施例，所述硼扩散过程中硼源包括bh3或bcl3。
16、根据本申请的实施例，所述硼扩散过程中扩散温度为500~1200℃。
17、根据本申请的实施例，所述硼扩散过程中扩散时间为30~200min。
18、根据本申请的实施例，所述硼扩散过程中环境气源包括n2和o2中的至少之一。
19、根据本申请的实施例，所述第一隧穿氧化层的厚度为1~3nm;
20、根据本申请的实施例，所述第一本征非晶硅层的厚度为50~150nm。
21、本申请实施例的第二方面，提供一种背接触太阳能电池。包括：衬底，所述衬底包括依次层叠设置的硅片和第一隧穿氧化层；硼掺杂层，所述硼掺杂层设置在所述第一隧穿氧化层远离所述硅片的一侧面，所述硼掺杂层通过对位于所述第一隧穿氧化层远离所述硅片的一侧面的第一本征非晶硅层进行晶化并硼扩散后得到。该太阳能电池具有较好的光电转换效率。这是在于，晶化处理后可得到均匀结晶的多晶硅层，这样不仅可以提升硼掺杂层的钝化接触效果，还可提升背接触太阳能电池的光电转换效率、良率和工艺稳定性。
22、本申请实施例的第三方面，还可以提供一种光伏组件，所述光伏组件包括采用第一方面的方法制备得到的背接触太阳能电池或第二方面所述的背接触太阳能电池。
23、在一些实施例中，所述光伏组件包括多个串联和/或并联连接的太阳能电池；其中，至少一个太阳能电池如上所述的背接触太阳能电池。串联状态下的多个太阳能电池形成电池串，相邻的背接触太阳能电池之间可以通过串焊的方式连接在一起。
24、本申请实施例可以提供一种光伏系统，包括以上任一实施例中的光伏组件。上述光伏组件所具备的优势，该光伏系统同样具备，在此不再赘述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的制备方法包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述激光热氧满足以下条件中的至少之一：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方式包括：采用低压气相化学沉积。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶化处理的方式包括采用脉冲激光照射所述第一本征非晶硅层，以使所述第一本征非晶硅层中的非晶硅转变成多晶硅。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光满足以下条件中的至少之一：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硼扩散的条件包括：
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的厚度为1~3nm;
9.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括采用权利要求1-8所述的方法制备得到的背接触太阳能电池或权利要求9中所述的背接触
...【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的制备方法包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述激光热氧满足以下条件中的至少之一：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方式包括：采用低压气相化学沉积。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶化处理的方式包括采用脉冲激光照射所述第一本征非晶硅层，以使所述第一本征非晶硅层中的非晶硅转变成多晶硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵康，杨睿，柳伟，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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