【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铊脱除领域，具体涉及一种低价铊的微气泡氧化浸出方法，尤其涉及一种含低价铊的锂冶炼渣的微气泡氧化浸出方法。
技术介绍
1、目前，主要的提锂工业原料包括锂辉石、锂云母等锂矿石，但提锂中会产生大量的锂冶炼渣。据统计，锂辉石提锂的过程中冶炼渣的产生量为8-10吨/吨碳酸锂，锂云母提锂的过程中冶炼渣的产生量为30-60吨/吨碳酸锂，同时由于锂矿石中含有一定量的含铊矿物，极易在冶炼过程中进入锂冶炼渣，导致渣的铊浸出毒性远超国家标准规定浓度0.005mg/l，容易引发重大环境污染，成为制约锂电产业高质量绿色发展亟需解决的问题。
2、因此，亟需开发一种针对锂冶炼渣无害化处置的新技术，从而降低铊的浸出毒性，实现渣的大规模消纳与资源化利用。
3、如cn117626004a公开了一种铟铊物料中铊的去除方法，所述方法将铟铊物料加入酸性溶液中一次酸溶，调节ph值至1.0-3.0后加硫化盐溶液一次沉淀得到硫化铊沉淀，将硫化铊沉淀浸入酸性溶液中进行二次酸溶并将ph值调整至1.0-3.5后，加入酸性溶液、稳定剂、硫化盐溶液混合并投入水热反应釜内于150-400℃的温度条件下反应2-24h进行二次沉淀得到硫化铊沉淀。但是，所述方法反应温度高、周期长、流程长且复杂，使用酸性溶液设备腐蚀性较大，限制了含铊废渣的降本增效处置。
4、cn118289982a公开了一种光催化氧化深度除铊设备及除铊工艺，所述的除铊设备及除铊工艺是利用调节池、沉淀池和暂存池对废水依次进行ph值调节、光催化氧化和絮凝沉淀，所述工艺将废水调节至特
5、综上可知，现有的针对铊的处理方法仍存在处理效率低，铊的脱除率不高的缺陷，即当前针对低价铊的脱除治理亟需一种简易、高效、绿色、低成本的锂冶炼渣中低价态铊高效脱除的方法。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种低价铊的微气泡氧化浸出方法，利用微气泡发生过程中产生的强剪切力以及微气泡的快速传质特性，实现锂冶炼渣中铊的高效脱除与氧化，处理后锂冶炼渣铊浸出毒性完全满足国家标准，大幅降低锂冶炼渣对生态环境造成的污染。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种低价铊的微气泡氧化浸出方法，所述微气泡氧化浸出方法包括：
4、将含低价铊料浆采用微气泡进行浸出，之后经固液分离得到除铊净化固体和含铊液。
5、本专利技术提供的低价铊的微气泡氧化浸出方法，利用微气泡发生过程中产生的强剪切力以及微气泡破灭时压力瞬间释放会形成超高速的微射流和局部超高温，一方面可以将锂冶炼渣颗粒破碎成小颗粒，增大颗粒与水溶液介质的接触面积，提高铊组分的高效溶出释放速率；另一方面，在氧化性气泡作用下，低价态的铊元素可被氧化为高价态的铊组分，促使铊组分可高效脱除，从而有利于强化锂冶炼渣中铊的氧化浸出。
6、作为本专利技术优选的技术方案，所述含低价铊料浆的温度为25-100℃。
7、优选地，所述含低价铊料浆的ph值为6-9。
8、作为本专利技术优选的技术方案，所述含低价铊料浆通过将含低价铊物料进行湿法球磨得到；
9、优选地，所述湿法球磨添加有溶出助剂。
10、优选地，所述溶出助剂包括柠檬酸、醋酸、草酸或双氧水中的一种或至少两种的组合。
11、优选地，所述溶出助剂的添加量为含低价铊物料质量的1-5％。
12、作为本专利技术优选的技术方案，所述含低价铊物料包括锂冶炼渣。
13、作为本专利技术优选的技术方案，所述湿法球磨中磨球介质与含低价铊物料的质量比为(1-10):1。
14、作为本专利技术优选的技术方案，所述湿法球磨中水和含低价铊物料的质量比为(0.5-5):1。
15、作为本专利技术优选的技术方案，所述湿法球磨的时间为5-360min。
16、作为本专利技术优选的技术方案，所述浸出中形成微气泡所用气源包括空气、氧气、臭氧、氟气或氯气中的任意一种或至少两种的组合。
17、优选地，所述浸出中含低价铊料浆与形成微气泡的气源的体积比为(10-50):1。
18、作为本专利技术优选的技术方案，所述浸出中形成的微气泡的直径为1-900μm。
19、优选地，所述浸出中形成微气泡所用气体的流量为50-1000ml/min。
20、作为本专利技术优选的技术方案，所述浸出的时间为30-360min。
21、与现有技术方案相比，本专利技术具有以下有益效果：
22、本专利技术提供的微气泡氧化浸出方法，利用微气泡发生过程中产生的强剪切力以及微气泡的快速传质特性，实现锂冶炼渣中低价态铊的高效脱除与氧化，处理所得渣的铊浸出毒性降低至1.79ppb，完全满足危险废弃物浸出毒性国家标准限值，大幅降低锂冶炼渣对生态环境造成的污染，具有良好的经济与环境效益，应用前景广阔。
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1.一种低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述微气泡氧化浸出方法包括：
2.根据权利要求1所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述含低价铊料浆的温度为25-100℃；
3.根据权利要求1所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述含低价铊料浆通过将含低价铊物料进行湿法球磨得到；
4.根据权利要求3所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述含低价铊物料包括锂冶炼渣。
5.根据权利要求3所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述湿法球磨中磨球介质与含低价铊物料的质量比为(1-10):1。
6.根据权利要求3所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述湿法球磨中水和含低价铊物料的质量比为(0.5-5):1。
7.根据权利要求3所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述湿法球磨的时间为5-360min。
8.根据权利要求1所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述浸出中形成微气泡所用气源包括空气、氧气、臭氧、氟气或氯气中的任意一种或至少两种的组合
9.根据权利要求1所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述浸出中形成的微气泡的直径为1-900μm；
10.根据权利要求1所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述浸出的时间为30-360min。
...【技术特征摘要】
1.一种低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述微气泡氧化浸出方法包括：
2.根据权利要求1所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述含低价铊料浆的温度为25-100℃；
3.根据权利要求1所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述含低价铊料浆通过将含低价铊物料进行湿法球磨得到；
4.根据权利要求3所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述含低价铊物料包括锂冶炼渣。
5.根据权利要求3所述的低价铊的微气泡氧化浸出方法，其特征在于，所述湿法球磨中磨球介质与含低价铊物料的质量比为(1-10):1。
6.根据权利要求3所述的低价铊...
【专利技术属性】
技术研发人员：李会泉，齐放，朱干宇，孟子衡，张文娟，张建波，李少鹏，
申请(专利权)人：中国科学院过程工程研究所，
类型：发明
国别省市：
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