【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蒸镀材料，尤其涉及ipcc04b35领域，更具体的，涉及一种硅铝混合物的预处理方法。
技术介绍
1、二氧化硅是光学镀膜领域应用广泛的最基础蒸镀材料，目前塑胶基底的镀膜材料多采用二氧化硅蒸镀，但由于二氧化硅薄膜和塑胶基底的结合力不好，膜层容易脱落，并且容易龟裂。而在氧化硅蒸镀材料中加入适当的氧化铝可以明显改善上述问题，目前市场使用的氧化硅氧化铝蒸镀材料均为颗粒料，颗粒不均一且存在棱角，在蒸镀过程中直接由固态升华为气态，易在使用过程中产生喷溅。
2、cn107285753a公开了一种低折射率蒸镀材料的制备方法，包括准备配料、配料混合、浆料烘干、压片成型、烧结体制备和清洗包装。该方法直接将原料进行湿法球磨工艺，获得成分均匀一致的桨料，但并未对硅铝混合物的棱角进行有效去除，一定程度会在使用过程中产生喷溅。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种硅铝混合物的预处理方法，包括以下步骤：
2、s1，将氧化铝和氧化硅分别干燥处理，并混合均匀，得到混合物；
3、s2，将混合物进行烧制，研磨过筛，再进行热处理，冷却，得到莫来石；
4、s3，另取氧化铝添加到莫来石中，混合均匀，加入溶剂，湿法球磨后喷雾干燥，得到粉体原料；
5、s4，通过液压机将粉体原料压制成块，经粉碎、筛分后得到颗粒物；
6、s5，将颗粒物放在滚筒搅拌罐中搅拌，依次经过烧结退火、除尘、检验包装以及入库，即得。
7、本申请人研究发现，先将硅铝
8、所述步骤s2中氧化铝占混合物质量的74-78％。
9、优选的，所述步骤s2中氧化铝占混合物质量的75-76％。
10、进一步优选的，所述步骤s2中氧化铝占混合物质量的75％。
11、所述烧制的温度为1600-1680℃，烧制的时间为4-6h。
12、优选的，所述烧制的温度为1650-1680℃，烧制的时间为4-6h。
13、进一步优选的，所述烧制的温度为1650℃，烧制的时间为5h。
14、所述热处理的温度为1100-1300℃，时间为10-15h。
15、优选的，所述热处理的温度为1200℃，时间为12h。
16、所述冷却的具体工艺为：按照25-35℃/min降温，在750-820℃保温1.5-3h，再按照15-25℃/min降温到280-320℃，最后冷却降温至20-40℃。
17、优选的，所述冷却的具体工艺为：按照28-35℃/min降温，在750-820℃保温1.5-3h，再按照15-23℃/min降温到280-320℃，最后冷却降温至20-40℃。
18、进一步优选的，所述冷却的具体工艺为：按照30℃/min降温，在800℃保温2h，再按照20℃/min降温到300℃，最后冷却降温至25℃。
19、所述氧化硅与莫来石的重量比为1：(2-40)。
20、优选的，所述氧化硅与莫来石的重量比为1：(4-16)。
21、进一步优选的，所述氧化硅与莫来石的重量比为1：8。
22、所述湿法球磨的料球比为(1-3)：1，湿法球磨的时间为10-14h。
23、优选的，所述湿法球磨的料球比为1：1，湿法球磨的时间为12h。
24、所述颗粒物的平均粒径为1-4mm。
25、优选的，所述颗粒物的平均粒径为1-3mm、2-4mm和1-2mm中的一种。
26、所述s5中搅拌的转速为20-45rpm，搅拌的时间为20-45min。
27、优选的，所述s5中搅拌的转速为30-45rpm，搅拌的时间为20-45min。
28、进一步优选的，所述s5中搅拌的转速为30rpm，搅拌的时间为30min。
29、所述喷雾干燥具体步骤为：将球磨后的物料放入喷雾造粒机，制备出球形粉。
30、所述球形粉的直径为40～60μm。
31、优选的，所述球形粉的直径为40～50μm。
32、所述烧结退火的步骤为：将颗粒物放在烧结炉中在有氧环境下，升温至1300-1550℃，保温5-7小时，然后自然冷却至20-40℃。
33、优选的，所述烧结退火的步骤为：将颗粒物放在烧结炉中在有氧环境下，升温至1500℃，保温6小时，然后自然冷却至25℃。
34、有益效果：
35、1.先将硅铝混合物烧制并进行热处理，再进行湿法球磨，可有效降低制备得到颗粒的棱角，提高颗粒的圆形度，从而解决制备得到的蒸镀材料易喷溅的问题，进而提高蒸镀稳定性。
36、2.所述氧化硅与莫来石的重量比为1：(2-40)，并配合料球比为(1-3)：1，球磨时间为10-14h的球磨工艺，可进一步提高颗粒的光滑度同时避免打坑现象的出现。
37、3.所述冷却的具体工艺为：按照25-35℃/min降温，在750-820℃保温1.5-3h，再按照15-25℃/min降温到280-320℃，最后冷却降温至20-40℃，在保持蒸镀稳定性的同时，具有良好的膜层擦试性能。
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1.一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述S2中氧化铝占混合物质量的74-78％。
3.根据权利要求2所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述烧制的温度为1600-1680℃，烧制的时间为4-6h。
4.根据权利要求3所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述热处理的温度为1100-1300℃，时间为10-15h。
5.根据权利要求4所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述冷却的具体工艺为：按照25-35℃/min降温，在750-820℃保温1.5-3h，再按照15-25℃/min降温到280-320℃，最后冷却降温至20-40℃。
6.根据权利要求1或5所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述S3中氧化硅与莫来石的重量比为1：(2-40)。
7.根据权利要求6所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述氧化硅与莫来石的重量比为1：(4-16)。
8.根据权利要求1所述
9.根据权利要求8所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述颗粒物的平均粒径为1-4mm。
10.根据权利要求1或9所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述S5中搅拌的转速为20-45rpm，搅拌的时间为20-45min。
...【技术特征摘要】
1.一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述s2中氧化铝占混合物质量的74-78％。
3.根据权利要求2所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述烧制的温度为1600-1680℃，烧制的时间为4-6h。
4.根据权利要求3所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述热处理的温度为1100-1300℃，时间为10-15h。
5.根据权利要求4所述的一种硅铝混合物的预处理方法，其特征在于，所述冷却的具体工艺为：按照25-35℃/min降温，在750-820℃保温1.5-3h，再按照15-25℃/min降温到280-320℃，最后冷却降温至...
【专利技术属性】
技术研发人员：李新华，靳光玉，曹先民，
申请(专利权)人：常州瞻驰光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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