【技术实现步骤摘要】
本公开的各个实施方式总体上涉及一种电子装置，并且更具体地涉及一种半导体存储器装置。
技术介绍
1、众所周知，半导体存储器装置已经变得普遍存在。因此，对半导体存储器装置的需求持续增加。
2、半导体存储器装置可以包括用于存储数据的存储器单元。为了获得具有大容量的半导体存储器装置，已经开发了用于包括三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置的技术。
技术实现思路
1、根据实施方式，一种半导体存储器装置可以包括：栅极层叠物，所述栅极层叠物包括第一子层叠物、第二子层叠物和第三子层叠物，所述第一子层叠物至所述第三子层叠物在第一方向上堆叠在彼此的顶部上；以及单元插塞，所述单元插塞在所述第一方向上延伸并贯穿所述第一子层叠物、所述第二子层叠物和所述第三子层叠物，其中，所述单元插塞包括贯穿所述第一子层叠物的第一区域、贯穿所述第二子层叠物的第二区域、以及贯穿所述第三子层叠物的第三区域，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的每一者具有顶端和底端，所述顶端和所述底端中的每一者具有相应的面积，其中，所述单元插塞的所述第一区域的所述顶端的面积大于所述单元插塞的所述第二区域的所述底端的面积，并且其中，所述单元插塞的所述第二区域的所述顶端具有比所述第三区域的所述底端的面积大的面积。
2、根据实施方式，一种半导体存储器装置可以包括：栅极层叠物，所述栅极层叠物包括在第一方向上间隔开并彼此堆叠的多个导电层；孔，所述孔在所述第一方向上延伸并贯穿所述多个导电层；沟道结构，所述沟道结构包括在所述第
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1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元插塞的所述第二区域在所述第一方向上的长度小于所述单元插塞的所述第一区域和所述第三区域中的每一者在所述第一方向上的长度。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元插塞的所述第二区域的侧壁斜度比所述单元插塞的所述第一区域和所述第三区域中的每一者的侧壁斜度更陡。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一子层叠物包括在所述第一方向上彼此交替地堆叠的多个第一导电层和多个第一层间绝缘层，
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二子层叠物的所述第二层间绝缘层和所述多个第一导电层中的最上第一导电层在所述第一方向上彼此相邻，并且
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二子层叠物的所述第二导电层和所述多个第一层间绝缘层中的最上第一层间绝缘层在所述第一方向上彼此相邻，并且
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一子层叠物和所述第三子层叠物中的每
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二子层叠物在所述第一方向上的高度小于所述第一子层叠物和所述第三子层叠物中的每一者在所述第一方向上的高度。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元插塞的所述第一区域比所述单元插塞的所述第二区域朝向侧部分突出20nm或更小。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元插塞的所述第二区域比所述第三区域朝向侧部分突出20nm或更小。
11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元插塞具有在第二方向上的第一宽度和在第三方向上的第二宽度，所述第二方向和所述第三方向正交，并且
12.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元插塞包括：
13.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述底切区域的所述第二部分具有20nm或更小的宽度。
15.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述孔在所述第二方向上延伸至第一宽度并且在所述第三方向上延伸至第二宽度，并且
16.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，在所述平面中，所述孔具有椭圆形水平截面，所述椭圆形水平截面具有与所述第二方向对齐的主轴。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元插塞的所述第二区域在所述第一方向上的长度小于所述单元插塞的所述第一区域和所述第三区域中的每一者在所述第一方向上的长度。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元插塞的所述第二区域的侧壁斜度比所述单元插塞的所述第一区域和所述第三区域中的每一者的侧壁斜度更陡。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一子层叠物包括在所述第一方向上彼此交替地堆叠的多个第一导电层和多个第一层间绝缘层，
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二子层叠物的所述第二层间绝缘层和所述多个第一导电层中的最上第一导电层在所述第一方向上彼此相邻，并且
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二子层叠物的所述第二导电层和所述多个第一层间绝缘层中的最上第一层间绝缘层在所述第一方向上彼此相邻，并且
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一子层叠物和所述第三子层叠物中的每一者包括在所述第一方向上彼此交替地堆叠的多个导电层和多个层间绝缘层，并且
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔元根，朴寅洙，张晶植，崔正达，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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