【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及传感器，尤其涉及一种用于超声换能器的芯片、超声换能器、设备。
技术介绍
1、超声换能器包括声学层和芯片，声学层包括压电层、压电层上电极以及保护层等。在发射模式下，芯片驱动压电层产生振动，向被探测目标发射超声波。在接收模式下，芯片利用从声学路径反射回来的声波信号识别被探测物体的表面结构。
2、在超声换能器的实际应用中，由于芯片的电路模块设置在声学层下方的基板内，超声换能器的声学层极化需要用到较高的电压，因此较高的电压会使电路模块内的小间距金属块与悬浮金属块容易被击穿，影响芯片的良率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种用于超声换能器的芯片、超声换能器、设备，至少部分地解决上述技术问题。
2、根据本申请第一方面实施例提供了用于超声换能器的芯片，所述芯片设置于声学层的下方，所述芯片包括：基板；电路模块，所述电路模块设置于所述基板内；导电屏蔽层，所述导电屏蔽层设置于所述电路模块与所述声学层之间，且所述导电屏蔽层在所述基板的投影至少覆盖所述电路模块在所述基板上的投影，所述导电屏蔽层接地。
3、根据本申请第二方面实施例提供了一种超声换能器，包括：上述芯片以及声学层。
4、根据本申请第三方面实施例提供了一种电子设备，包括：屏幕以及上述的超声换能器，所述超声换能器通过所述超声换能器的基板贴附至所述屏幕。
5、本申请实施例提供一种用于超声换能器的芯片、超声换能器、设备、制备方法，在基板内的电路模块与声学层之间设
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1.一种用于超声换能器的芯片，所述芯片设置于声学层的下方，其特征在于，所述芯片包括：
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，至少部分所述电路模块位于所述声学层下方。
3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括：芯片地模块，所述芯片地模块与所述电路模块并列设置于所述基板内；
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电屏蔽层包括形状适配的导电层和介电层，所述导电层设置于所述电路模块与所述介电层之间，所述介电层设置于所述导电层与所述声学层之间。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电屏蔽层为所述电路模块上方的顶层金属层的至少一部分，所述导电屏蔽层通过所述基板的层内走线接地。
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电屏蔽层为所述电路模块上方的多层金属层至少的一部分，所述多层金属层通过其中的至少一金属层的一部分接地，所述多层金属层处于多个彼此平行的平面，所述导电屏蔽层与其上方的钝化层之间设置基板内介电层。
7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述多层金属层在所述基板
8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括：
9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述电路模块包括：
10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述声学层包括压电层、压电层上电极以及保护层，所述芯片设置于所述压电层的下方，激励电极驱动所述压电层上电极产生上电压，所述像素电极产生下电压，所述上电压减去所述下电压得到差分电压，所述差分电压驱动所述压电层产生振动，对外发射超声波。
11.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电屏蔽层的方块电阻在0.1Ω/□至MΩ/□之间。
12.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电屏蔽层的厚度小于1微米。
13.一种超声换能器，其特征在于，包括：
14.一种设备，其特征在于，包括：屏幕以及权利要求13所述的超声换能器，所述超声换能器通过所述超声换能器的基板贴附至所述屏幕。
...【技术特征摘要】
1.一种用于超声换能器的芯片，所述芯片设置于声学层的下方，其特征在于，所述芯片包括：
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，至少部分所述电路模块位于所述声学层下方。
3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括：芯片地模块，所述芯片地模块与所述电路模块并列设置于所述基板内；
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电屏蔽层包括形状适配的导电层和介电层，所述导电层设置于所述电路模块与所述介电层之间，所述介电层设置于所述导电层与所述声学层之间。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电屏蔽层为所述电路模块上方的顶层金属层的至少一部分，所述导电屏蔽层通过所述基板的层内走线接地。
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述导电屏蔽层为所述电路模块上方的多层金属层至少的一部分，所述多层金属层通过其中的至少一金属层的一部分接地，所述多层金属层处于多个彼此平行的平面，所述导电屏蔽层与其上方的钝化层之间设置基板内介电层。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：许钰旺，韦亚，曾利忠，杜灿鸿，
申请(专利权)人：汇科新加坡控股私人有限公司，
类型：新型
国别省市：
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