【技术实现步骤摘要】
本技术涉及除尘，具体涉及一种大尺寸散热及双槽防水的mos场效应管芯片封装结构。
技术介绍
1、功率器件及第三代半导体是当前的半导体产业技术追逐的热点，是世界半导体先进技术的领域之一。伴随着功率半导体时代到来，clip bond（全铜片键合方式）封装工艺可以说是应用广泛。相对数字集成电路而言，功率半导体并不是单纯追求线宽的缩小，且生命周期长，市场空间大，可应用于几乎所有的电子制造业，包括工业控制、通信、消费电子、新能源、汽车、轨道交通、智能电网等。为了提高分立器件的成品率和可靠性，分立器件封装与测试企业正在为新产品研发更先进的封装工艺及封装技术。在整个电子电路领域中，基本上每个电路中都会有mos场效应管的应用，范围之广，用量之大。
2、现有的采用传统工艺（clip bond）进行封装的mos场效应管芯片封装结构可参考图13所示，该mos场效应管芯片封装结构包括引线框架91，该引线框架91的单个封装区域中具有基岛92和位于基岛92周侧的引脚，基岛92上开设单槽93，基岛92上黏结晶粒94，晶粒94上具有gate pad（闸极95）和source pad（源极96），闸极95和源极96与引脚的连接方式为采用全铜片97键合方式，在实现本技术的过程中，申请人发现了现有mos场效应管芯片的封装结构及工艺至少存在有以下问题：
3、1、mos场效应管芯片中的gate pad（闸极95）和source pad（源极96）的连接方式均使用clip的方式，此键合方法成本较高，工艺复杂。
4、2、由于各家芯片设计差异
5、3、所采用的基岛92占用面积一般都不会过大，其中一点是过大的基岛92在应用过程中会出现塑封体与引线框架91的粘合效果变差（单槽93的锁胶能力不足），因此会出现分层的情况，从而导致芯片失效。
6、有鉴于此，如何解决现有技术中存在的上述问题，便成为本技术所要研究解决的课题。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种大尺寸散热及双槽防水的mos场效应管芯片封装结构，用于解决现有mos场效应管芯片的封装结构及工艺所存在的问题。
2、为达到上述目的，本技术的提出了一种大尺寸散热及双槽防水的mos场效应管芯片封装结构，所述mos场效应管芯片封装结构包括基板及设于所述基板上的多个封装单元，各封装单元上具有引线框架、基岛、连接引脚、塑封部；
3、所述引线框架上具有塑封区域，所述基岛设于所述塑封区域内，所述引线框架上具有塑封线，所述基岛的正面在靠近所述塑封线的位置设置有两道胶槽；所述基岛的背面设置朝下的台阶部；
4、所述基岛所占的面积占比与所述塑封区域的面积占比为0.6：1到０.７：１之间；所述基岛上放置晶粒，所述晶粒上具有闸极和源极；
5、多个所述连接引脚布置在所述基岛的周侧，所述闸极和源极通过引线键合的方式连接至各自对应的所述连接引脚，所述连接引脚各设置一道胶槽；
6、所述塑封部覆盖所述塑封区域，并且塑封部进入各胶槽及位于基岛背面的台阶部。
7、本技术的有关内容解释如下：
8、1.本技术的上述技术方案中，所设计的大尺寸散热及双槽防水的mos场效应管芯片封装结构，在可以使得基岛所占面积比较大的情况下通过对基岛正面的两道胶槽、基岛背面的台阶部的设计，来使得塑封部得以进入各胶槽及位于基岛背面的台阶部，达成了提高基岛尺寸占比以具有更好的散热功能的同时，避免了基岛过大而出现分层的情况，而且具有更好的防水和锁胶功能，同时采用引线键合的方式连接闸极和源极至各连接引脚，使其封装成本便宜，克服了由于各家芯片设计差异性/gate 面积极小的问题，在工艺上较全铜片工艺简单。
9、2.在上述技术方案中，所述胶槽的槽形为ｖ形、半圆形或矩形，以使塑封层可以良好进入胶槽中发挥锁胶作用。
10、3.在上述技术方案中，所述胶槽的槽形为ｖ形，且两ｖ形面相交的角度为60°。
11、4.在上述技术方案中，所述胶槽的深度为0.03mm～0.06mm。
12、5.在上述技术方案中，所述基岛的底面为粗糙面，以此提高黏胶附着力，进一步避免分层。
13、6.在上述技术方案中，所述塑封线沿横向和竖向布置在所述塑封区域的周侧。
14、7.在上述技术方案中，在与所述闸极和源极通过引线键合而连接，所述连接引脚所在的区域设有局部镀银区域，以此提高连接稳定性、可靠性。
15、8.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
16、9.在本技术中，术语“上”、“下”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置装配关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
17、10.另外，在本技术的描述中，需要说明的是，如果本文中使用了“第一”、“第二”等词语来限定零部件的话，本领域技术人员应该知晓：“第一”、“第二”等词语的使用仅仅是为了便于描述本技术和简化描述，如没有另外声明，上述词语并没有特殊的含义。
18、由于上述方案的运用，本技术与现有技术相比具有以下优点和效果：
19、1、本技术中，使用引线键合的方式取代了原有的全铜片键合方式，封装成本便宜，克服了由于各家芯片设计差异性/gate 面积极小的问题，在工艺上较全铜片工艺简单。
20、2、本技术中，在基岛上设计为两道胶槽的双槽防水设计，具有更好防水和锁胶功能。
21、3、本技术中，所设计的基岛所占的面积占比与所述塑封区域的面积占比为0.6：1到０.７：１之间，尺寸占比大，在上述具有良好锁胶功能的前提下达成具有更好的散热功能的目的。
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1.一种大尺寸散热及双槽防水的MOS场效应管芯片封装结构，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的大尺寸散热及双槽防水的MOS场效应管芯片封装结构，其特征在于：所述胶槽(7)的槽形为Ｖ形、半圆形或矩形。
3.根据权利要求1所述的大尺寸散热及双槽防水的MOS场效应管芯片封装结构，其特征在于：所述胶槽(7)的槽形为Ｖ形，且两Ｖ形面相交的角度为60°。
4.根据权利要求3所述的大尺寸散热及双槽防水的MOS场效应管芯片封装结构，其特征在于：所述胶槽(7)的深度为0.03mm～0.06mm。
5.根据权利要求1所述的大尺寸散热及双槽防水的MOS场效应管芯片封装结构，其特征在于：所述基岛(2)的底面为粗糙面。
6.根据权利要求1所述的大尺寸散热及双槽防水的MOS场效应管芯片封装结构，其特征在于：所述塑封线(12)沿横向和竖向布置在所述塑封区域(11)的周侧。
7.根据权利要求1所述的大尺寸散热及双槽防水的MOS场效应管芯片封装结构，其特征在于：在与所述闸极(31)和源极(32)通过引线键合而连接，所述连接引脚(4)所在的区
...【技术特征摘要】
1.一种大尺寸散热及双槽防水的mos场效应管芯片封装结构，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的大尺寸散热及双槽防水的mos场效应管芯片封装结构，其特征在于：所述胶槽(7)的槽形为ｖ形、半圆形或矩形。
3.根据权利要求1所述的大尺寸散热及双槽防水的mos场效应管芯片封装结构，其特征在于：所述胶槽(7)的槽形为ｖ形，且两ｖ形面相交的角度为60°。
4.根据权利要求3所述的大尺寸散热及双槽防水的mos场效应管芯片封装结构，其特征在于：所述胶槽(7)的深度为0.03mm～0....
【专利技术属性】
技术研发人员：朱磊，王丽丹，郝艳霞，朱建平，
申请(专利权)人：苏州固锝电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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