【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池，具体涉及一种掩膜装置。
技术介绍
1、目前市面上的晶体硅太阳能电池的能量转化效率已经达到了26.8%，接近29.5%的理论极限效率。为了突破这一极限效率，需要结合多种互补的光敏材料，其中金属卤化物钙钛矿材料凭借其优异的光伏性能以及低廉的成本，引起人们的广泛研究，将金属卤化物钙钛矿材料沉积在基片电池上形成的钙钛矿/硅叠层太阳电池，可以实现高能量转换效率。
2、将钙钛矿材料沉积在基片电池上的方法可分为溶液法与气相法两种。使用溶液法制备的钙钛矿/硅太阳电池表现出更多的反射损失，并且不利于制备大面积的电池，而采用气相法进行真空沉积则可以明显改善钙钛矿层薄膜的质量，更有利于商业化应用，气相法例如包括蒸镀、溅射等等。
3、在传统的气相法真空沉积工艺中，需要依靠具有可靠精度的掩膜装置以实现不同膜层的精确面积和图形化制备。掩膜装置通常由掩膜板和盖板组合而成，掩膜板设置有若干带有卡槽的镂空区域，每个镂空区域可以放置一个基片在卡槽内，对于传统的玻璃基片，其厚度较大，使用时将盖板扣在掩模板上之后，盖板可以直接抵住基片的背面，加热时，材料蒸发成蒸汽，盖板可以有效防止基片被蒸汽冲开。但是在制备钙钛矿/硅叠层太阳电池的工艺中，通常需要以硅片作为基片，硅片的厚度较薄，使用传统的盖板盖合后，盖板无法直接抵住硅片的背面，因此无法有效压住硅片，硅片在加工过程中容易受到蒸汽冲击造成移位，从而造成沉积不均匀。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种能够有利于防止基片受到蒸汽
2、本申请提供一种掩膜装置，包括掩膜板，以及能够盖合于所述掩膜板之上的盖板；
3、所述掩膜板设置有至少一个镂空区域，每个所述镂空区域用于放置一个基片；
4、所述盖板在靠近所述镂空区域一侧，对应于每个所述镂空区域的位置处，分别设置有凸出于所述盖板的第一凸出结构，所述盖板和所述掩膜板盖合后，所述第一凸出结构抵压所述基片。
5、在其中一些实施例中，所述第一凸出结构包括弹性组件和碰触组件，所述弹性组件沿垂直于所述盖板的方向可伸缩设置，且所述弹性组件的一端与所述盖板连接，另一端与所述碰触组件连接，所述碰触组件用于与所述基片直接接触。
6、在其中一些实施例中，所述弹性组件的长度为0.8cm~1.2cm。
7、在其中一些实施例中，所述碰触组件的厚度为0.8mm~1.2mm。
8、在其中一些实施例中，每个所述基片和每个所述镂空区域均呈方形，所述盖板在对应每个方形的四个角各设置一个所述第一凸出结构。
9、在其中一些实施例中，所述基片的厚度为0.1mm~3mm。
10、在其中一些实施例中，对应于每个所述镂空区域的位置处，所述盖板靠近所述镂空区域一侧与每个所述第一凸出机构之间，还分别设置有加热机构，所述加热机构用于对所述基片进行加热。
11、在其中一些实施例中，所述加热机构为电磁辐射加热装置，所述电磁辐射加热装置通过电源线与外电路连通。
12、在其中一些实施例中，所述掩膜板对应每个镂空区域的边缘位置分别设置有第一卡槽，所述第一卡槽用于承托所述基片。
13、在其中一些实施例中，所述掩膜板在所述镂空区域以外的边缘位置还设置有至少一个第二卡槽；
14、所述盖板在靠近所述镂空区域一侧，对应于每个所述第二卡槽的位置处，分别设置有凸出于所述盖板的第二凸出结构，所述盖板和所述掩膜板盖合后，每个所述第二凸出结构与对应的所述第二卡槽卡接。
15、本申请提供的掩膜装置，包括掩膜板以及能够盖合于掩膜板之上的盖板，盖板在靠近掩膜板上的镂空区域一侧，对应于每个镂空区域的位置处，分别设置有凸出于盖板的第一凸出结构，盖板和掩膜板盖合后，第一凸出结构能够抵压住基片，上述第一凸出结构对基片具有稳定的抵住压力，在气相沉积工艺中，能够有效防止基片被蒸汽冲击后导致移位的不良现象，有利于提高气相沉积效果。
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1.一种掩膜装置，其特征在于，包括掩膜板，以及能够盖合于所述掩膜板之上的盖板；
2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述第一凸出结构包括弹性组件和碰触组件，所述弹性组件沿垂直于所述盖板的方向可伸缩设置，且所述弹性组件的一端与所述盖板连接，另一端与所述碰触组件连接，所述碰触组件用于与所述基片直接接触。
3.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述弹性组件的长度为0.8cm~1.2cm。
4.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述碰触组件的厚度为0.8mm~1.2mm。
5.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，每个所述基片和每个所述镂空区域均呈方形，所述盖板在对应每个方形的四个角各设置一个所述第一凸出结构。
6.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述基片的厚度为0.1mm~3mm。
7.根据权利要求1~6任一项所述的掩膜装置，其特征在于，对应于每个所述镂空区域的位置处，所述盖板靠近所述镂空区域一侧与每个所述第一凸出结构之间，还分别设置有加热机构，所述加热机构用于对所述基片进行
8.根据权利要求7所述的掩膜装置，其特征在于，所述加热机构为电磁辐射加热装置，所述电磁辐射加热装置通过电源线与外电路连通。
9.根据权利要求1~6、8任一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜板对应每个镂空区域的边缘位置分别设置有第一卡槽，所述第一卡槽用于承托所述基片。
10.根据权利要求1~6、8任一项所述的掩膜装置，其特征在于，所述掩膜板在所述镂空区域以外的边缘位置还设置有至少一个第二卡槽；
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜装置，其特征在于，包括掩膜板，以及能够盖合于所述掩膜板之上的盖板；
2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，所述第一凸出结构包括弹性组件和碰触组件，所述弹性组件沿垂直于所述盖板的方向可伸缩设置，且所述弹性组件的一端与所述盖板连接，另一端与所述碰触组件连接，所述碰触组件用于与所述基片直接接触。
3.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述弹性组件的长度为0.8cm~1.2cm。
4.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述碰触组件的厚度为0.8mm~1.2mm。
5.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，每个所述基片和每个所述镂空区域均呈方形，所述盖板在对应每个方形的四个角各设置一个所述第一凸出结构。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：时宇，王殿曦，徐晨鑫，贺锐，张学玲，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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