【技术实现步骤摘要】
本申请涉及微电子，尤其涉及一种电子器件的制备方法及电子器件。
技术介绍
1、目前，在微机电芯片以及集成电路传感器制造中，涉及多种金属等多种膜层沉积及其图形化工艺，多种制造流程包括膜层沉积、光刻和刻蚀工艺，微机电芯片比如滤波器是在晶圆衬底上形成压电结构，该压电结构包括金属层以及牺牲层；一般采用干法刻蚀工艺在衬底的正面形成刻蚀孔，刻蚀孔连通至牺牲层，通过控制等离子体接触牺牲层，然后采用湿法腐蚀工艺通过刻蚀孔去除牺牲层。
2、然而，现有的刻蚀金属工艺中，金属腐蚀速率较低，容易导致腐蚀孔不能完全打开，影响器件的电学性能。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种电子器件的制备方法及电子器件，能够提高电子器件的电学性能。
2、本申请实施例的第一方面，提供一种电子器件的制备方法，包括：
3、在硅片的一侧依次设置介质层和第一金属层，其中，所述介质层包括第一镂空，所述第一镂空内设置有牺牲层；
4、在所述第一金属层远离所述硅片的一侧设置光刻胶，并利用光刻工艺对所述光刻胶进行图形化处理，以在所述光刻胶上形成第一过孔；
5、对所述第一过孔进行电镀处理，以在所述第一过孔内形成第二金属层；
6、去除所述光刻胶；
7、依次对所述第二金属层和所述第一金属层进行湿法刻蚀，以在所述第二金属层形成第二过孔，以及在所述第一金属层形成第三过孔，所述第二过孔与所述第三过孔连通，得到过渡基片，其中，所述第二过孔和所述第三过孔在所述硅片上的正投影
8、对所述过渡基片进行至少一次去离子水清洗；
9、通过所述第二过孔和所述第三过孔去除所述牺牲层，以得到空腔结构，所述空腔结构与所述第三过孔连通。
10、在一些实施方式中，对所述过渡基片进行至少一次去离子水清洗，包括：
11、将所述过渡基片固定在吸盘上，并将所述过渡基片连接地线；
12、利用去离子水冲洗所述过渡基片的表面，以去除所述过渡基片表面以及所述第三过孔内的电荷；
13、控制所述吸盘旋转，以带动所述过渡基板进行旋转，其中，所述过渡基板的旋转适于蒸发所述过渡基片背离所述硅片一侧表面以及所述第三过孔内的水份。
14、在一些实施方式中，对所述过渡基片进行至少一次去离子水清洗，包括：
15、将所述过渡基片浸泡在去离子水中；
16、控制所述吸盘带动所述过渡基板进行旋转，以去除所述过渡基片表面的杂质。
17、在一些实施方式中，将所述过渡基片浸泡在去离子水中，包括：
18、将所述过渡基片浸泡在流动状态的去离子水中。
19、在一些实施方式中，所述去离子水清洗的水流量为10至80ml/min；和/或，
20、所述过渡基片的转速为300至500r/min；和/或，
21、所述去离子水的水温为50至70℃。
22、在一些实施方式中，对所述过渡基片进行至少一次去离子水清洗，包括：
23、对所述过渡基片进行至少两次去离子水清洗，其中，相邻两次的所述去离子水清洗的水流量相同，和/或，相邻两次所述去离子水清洗的水温相同，和/或相邻两次所述去离子水清洗中的所述过渡基片的转速相同。
24、在一些实施方式中，所述第二过孔的数量为多个，和/或，所述第三过孔的数量为多个；
25、多个所述第二过孔在所述硅片上的正投影落入所述牺牲层在所述硅片上的正投影内；和/或，
26、多个所述第三过孔在所述硅片上的正投影落入所述牺牲层在所述硅片上的正投影内。
27、在一些实施方式中，所述空腔结构在所述硅片上的正投影落在所述第一金属层在所述硅片上的正投影内；和/或，
28、所述空腔结构的侧壁与所述第一金属层夹角的角度范围为30°至60°；和/或，
29、所述空腔结构的侧壁与所述硅片夹角的角度范围为100°至120°；和/或，
30、所述第三过孔的侧壁与所述第一金属层夹角为90°；和/或，
31、所述第三过孔的深度等于所述空腔结构的深度；和/或，
32、所述硅片在垂直于所述空腔结构方向上的厚度小于或等于所述空腔结构的深度。
33、在一些实施方式中，所述空腔结构远离所述硅片一侧的口径小于所述空腔结构靠近所述硅片一侧的口径。
34、本申请实施例的第一二方面，提供一种电子器件，是根据第一方面所述的电子器件的制备方法制备得到的。
35、本申请实施例提供的电子器件的制备方法，通过在硅片的一侧设置介质层和金属层，并依次对金属层和介质层进行湿法腐蚀。通过在金属层湿法腐蚀工艺之后，在去除牺牲层工艺之前，对过渡基片进行至少一次去离子水清洗，一方面避免电子器件通电后发生击穿，提高电子器件的导电性，另一方面提高牺牲层的腐蚀速率，使得牺牲层的释放孔完全打开，提高电子器件的可靠性和良率。
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1.一种电子器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
4.据权利要求3所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求2或3所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电子器件的制备方法，其特征在于，对所述过渡基片进行至少一次去离子水清洗，包括：
7.根据权利要求1所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
10.一种电子器件，其特征在于，是根据权利要求1至9中任一项所述的电子器件的制备方法制备得到的。
【技术特征摘要】
1.一种电子器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
4.据权利要求3所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求2或3所述的电子器件的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电子器件的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭大飞，卜德冲，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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