【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶金刚石制备，特别是涉及一种用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台。
技术介绍
1、金刚石因其卓越的物理化学性能而在各个领域广受关注和应用。化学气相沉积技术是制备高质量单晶金刚石膜的主要方法之一。其中，微波等离子体化学气相沉积法(mpcvd)由于其无极放电、高能量转换效率和纯净的等离子体等优点，被视为制备高质量金刚石膜的首选方法。为了生长单晶金刚石，需要使用基片台作为单晶金刚石生长载体。
2、现有一种基片台，基片台为圆形钼片，基片台表面上设计有凹槽，凹槽形状为正方形，凹槽深度为2mm，使用时，将初次生长有一定厚度的单晶金刚石籽晶放入基片台生长区，进行二次生长即可。
3、但是，由于在单晶金刚石生长过程中，高功率等离子体会在圆形钼片上边缘和方形凹槽边缘产生放电的现象，导致等离子体能量的利用率降低，不仅会对单晶金刚石的生长环境造成影响，导致基片台的边缘和方形凹槽的边缘容易生成多晶，还会对生长完成后续处理造成不好的影响，降低成品品质的同时间接提高了单晶金刚石多次生长的成本，存在最初生长环境下沉积至一定厚度后生长减缓的问题，难以控制生长出厚度较高的单晶金刚石。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，以解决上述现有技术存在的问题，提升等离子体能量的利用率。
2、为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
3、本技术提供一种用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，包括第一钼片以及第一钼环，所述第一钼
4、优选的，还包括第二钼片，所述第二钼片的横截面与所述第一钼片的横截面相同，所述第二钼片用于置于所述第一钼片与所述第一钼环之间，且置于所述第一钼片的上方。
5、优选的，还包括第二钼环，所述第二钼环用于置于所述第一钼环的上方，所述第二钼环的底面上开设有第二凹槽，所述第二凹槽的内侧壁能够与所述第一钼环的外侧壁紧密贴合，所述第二凹槽的内顶面上开设有第二通孔。
6、优选的，还包括第三钼环，所述第三钼环用于置于所述第二钼环的上方，所述第三钼环的底面上开设有第三凹槽，所述第三凹槽的内侧壁能够与所述第二钼环的外侧壁紧密贴合，所述第三凹槽的内顶面上开设有第三通孔。
7、优选的，所述第一钼片的横截面为圆形，所述第一钼环、所述第二钼环以及所述第三钼环的横截面均为圆环形。
8、优选的，所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔的直径相等。
9、优选的，所述第三通孔的直径为74mm。
10、优选的，所述第一钼片的厚度为10.0mm，所述第二钼片的厚度为3.0mm，所述第一钼环、所述第二钼环以及所述第三钼环的厚度均为2.0mm。
11、本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
12、本技术提供的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，第一钼片用于承载籽晶，第一钼环用于置于第一钼片的上方，第一钼环的底面上开设有第一凹槽，第一凹槽的内侧壁能够与第一钼片的外侧壁紧密贴合，第一凹槽的内顶面上开设有第一通孔，通过第一钼片与第一钼环配合围成籽晶生长空间，避免了等离子体环境中基片台边缘放电，减少基片台边缘的多晶生成，提升等离子体能量的利用率。
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1.一种用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：包括第一钼片以及第一钼环，所述第一钼片用于承载籽晶，所述第一钼环用于置于所述第一钼片的上方，所述第一钼环的底面上开设有第一凹槽，所述第一凹槽的内侧壁能够与所述第一钼片的外侧壁紧密贴合，所述第一凹槽的内顶面上开设有第一通孔。
2.根据权利要求1所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：还包括第二钼片，所述第二钼片的横截面与所述第一钼片的横截面相同，所述第二钼片用于置于所述第一钼片与所述第一钼环之间，且置于所述第一钼片的上方。
3.根据权利要求2所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：还包括第二钼环，所述第二钼环用于置于所述第一钼环的上方，所述第二钼环的底面上开设有第二凹槽，所述第二凹槽的内侧壁能够与所述第一钼环的外侧壁紧密贴合，所述第二凹槽的内顶面上开设有第二通孔。
4.根据权利要求3所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：还包括第三钼环，所述第三钼环用于置于所述第二钼环的上方，所述第三钼环的底面上开设有第三凹槽，所述第三凹槽的内侧壁能
5.根据权利要求4所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：所述第一钼片的横截面为圆形，所述第一钼环、所述第二钼环以及所述第三钼环的横截面均为圆环形。
6.根据权利要求5所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第三通孔的直径相等。
7.根据权利要求6所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：所述第三通孔的直径为74mm。
8.根据权利要求5所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：所述第一钼片的厚度为10.0mm，所述第二钼片的厚度为3.0mm，所述第一钼环、所述第二钼环以及所述第三钼环的厚度均为2.0mm。
...【技术特征摘要】
1.一种用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：包括第一钼片以及第一钼环，所述第一钼片用于承载籽晶，所述第一钼环用于置于所述第一钼片的上方，所述第一钼环的底面上开设有第一凹槽，所述第一凹槽的内侧壁能够与所述第一钼片的外侧壁紧密贴合，所述第一凹槽的内顶面上开设有第一通孔。
2.根据权利要求1所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：还包括第二钼片，所述第二钼片的横截面与所述第一钼片的横截面相同，所述第二钼片用于置于所述第一钼片与所述第一钼环之间，且置于所述第一钼片的上方。
3.根据权利要求2所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台，其特征在于：还包括第二钼环，所述第二钼环用于置于所述第一钼环的上方，所述第二钼环的底面上开设有第二凹槽，所述第二凹槽的内侧壁能够与所述第一钼环的外侧壁紧密贴合，所述第二凹槽的内顶面上开设有第二通孔。
4.根据权利要求3所述的用于微波等离子体制备单晶金刚石的基片台...
【专利技术属性】
技术研发人员：程军胜，王建波，
申请(专利权)人：中科磁控北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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