System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种BOOST升压电路、功率管的驱动电路制造技术_技高网

一种BOOST升压电路、功率管的驱动电路制造技术

技术编号:43674621 阅读:2 留言:0更新日期:2024-12-18 20:58
本申请提供了一种BOOST升压电路、功率管的驱动电路,该驱动电路中的驱动控制信号产生单元用于根据输入信号和电源信号生成第一驱动控制信号和第二驱动控制信号,第一驱动控制信号的上升沿与第二驱动控制信号的上升沿相同,第一驱动控制信号的下降沿迟于第二驱动控制信号的下降沿,第二驱动控制信号为输入信号的反相信号;缓充驱动单元用于根据第一驱动控制信号、第二驱动控制信号和电源信号生成缓充驱动信号输出至功率管的栅极;快充驱动单元用于根据第一驱动控制信号、第二驱动控制信号和电源信号生成快充驱动信号输出至功率管的栅极,解决了现有驱动电路地上毛刺电压过高对BOOST升压电路的性能造成不良影响的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路,具体涉及一种boost升压电路、功率管的驱动电路。


技术介绍

1、boost升压电路是一种开关直流升压电路,可以将输入电压转换为更高的输出电压。因其具有高输出效率、良好的稳定性以及可升压等特点,boost升压电路被视作汽车电子设备中电源系统的首选,用于将电池电压转换成更高的电压,以满足汽车电子设备对高电压的需求。

2、驱动电路是boost升压电路中必不可少的部分。然而,现有常用的驱动电路技术也会带来一个负面影响,那就是地上毛刺电压过高。较大的地上毛刺电压不仅会对boost升压电路的性能造成影响,严重时还会引起闩锁效应,对芯片造成永久性损坏。


技术实现思路

1、对此,本申请提供一种boost升压电路、功率管的驱动电路,以解决现有驱动电路地上毛刺电压过高对boost升压电路的性能造成不良影响的问题。

2、为实现上述目的,本专利技术实施例提供如下技术方案:

3、本申请第一方面公开了一种功率管的驱动电路,包括:驱动控制信号产生单元、缓充驱动单元和快充驱动单元;

4、所述驱动控制信号产生单元用于根据输入信号和电源信号生成第一驱动控制信号和第二驱动控制信号,所述第一驱动控制信号的上升沿与所述第二驱动控制信号的上升沿相同,所述第一驱动控制信号的下降沿迟于所述第二驱动控制信号的下降沿,所述第二驱动控制信号为所述输入信号的反相信号;

5、所述缓充驱动单元用于根据所述第一驱动控制信号、所述第二驱动控制信号和所述电源信号生成缓充驱动信号输出至所述功率管的栅极;

6、所述快充驱动单元用于根据所述第一驱动控制信号、所述第二驱动控制信号和所述电源信号生成快充驱动信号输出至所述功率管的栅极。

7、可选地,上述的功率管的驱动电路中,所述驱动控制信号产生单元包括:反相单元和信号延迟产生单元,所述信号延迟产生单元包括第一信号延迟产生单元、第二信号延迟产生单元、第三信号延迟产生单元和第四信号延迟产生单元中的至少一个,所述第一信号延迟产生单元、所述第二信号延迟产生单元、所述第三信号延迟产生单元和所述第四信号延迟产生单元依次级联;

8、所述反相单元用于生成所述输入信号的反相信号;

9、所述信号延迟产生单元用于根据所述输入信号的反相信号和所述电源信号生成所述第一驱动控制信号。

10、可选地,上述的功率管的驱动电路中,所述反相单元包括:第一反相器,所述第一反相器的输入端接收所述输入信号,所述第一反相器的输出端输出所述输入信号的反相信号。

11、可选地,上述的功率管的驱动电路中,所述第一信号延迟产生单元包括:第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第一nmos管、第二nmos管;

12、所述第一nmos管的栅极作为所述第一信号延迟产生单元的输入端;所述第一nmos管的源极分别与所述第二nmos管的源极和所述第二nmos管的漏极相连,连接点接地;所述第一nmos管的漏极分别与所述第二nmos管的栅极、所述第一pmos管的栅极、所述第二pmos管的栅极、所述第三pmos管的栅极、所述第四pmos管的栅极、所述第五pmos管的栅极和所述第五pmos管的漏极相连,连接点作为所述第一信号延迟产生单元的输出端;

13、所述第一pmos管的源极接收所述电源信号;所述第一pmos管的漏极与所述第二pmos管的源极相连;所述第二pmos管的漏极与所述第三pmos管的源极相连;所述第三pmos管的漏极与所述第四pmos管的源极相连;所述第四pmos管的漏极与所述第五pmos管的源极相连。

14、可选地,上述的功率管的驱动电路中,所述第二信号延迟产生单元包括:第六pmos管、第七pmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管和第七nmos管;

15、所述第六pmos管的栅极分别与所述第三nmos管的栅极、所述第四nmos管的栅极、所述第五nmos管的栅极、所述第六nmos管的栅极和所述第七nmos管的栅极相连,连接点作为所述第二信号延迟产生单元的输入端;

16、所述第六pmos管的源极分别与所述第七pmos管的源极和所述第七pmos管的漏极相连,连接点接收所述电源信号;

17、所述第六pmos管的漏极分别与所述第七pmos管的栅极和所述第三nmos管的漏极相连,连接点作为所述第二信号延迟产生单元的输出端;

18、所述第三nmos管的源极与所述第四nmos管的漏极相连;所述第四nmos管的源极与所述第五nmos管的漏极相连;所述第五nmos管的源极与所述第六nmos管的漏极相连;所述第六nmos管的源极与所述第七nmos管的漏极相连;所述第七nmos管的源极接地。

19、可选地,上述的功率管的驱动电路中,所述第三信号延迟产生单元包括:第八pmos管、第九pmos管、第十pmos管、第十一pmos管、第十二pmos管和第八nmos管;

20、所述第八pmos管的栅极分别与所述第九pmos管的栅极、所述第十pmos管的栅极、所述第十一pmos管的栅极、所述第十二pmos管的栅极和所述第八nmos管的栅极相连,连接点作为所述第三信号延迟产生单元的输入端;

21、所述第八pmos管的源极接收所述电源信号;所述第八pmos管的漏极与所述第九pmos管的源极相连;所述第九pmos管的漏极与所述第十pmos管的源极相连;所述第十pmos管的漏极与所述第十一pmos管的源极相连;所述第十一pmos管的漏极与所述第十二pmos管的源极相连;所述第十二pmos管的漏极与所述第八nmos管的漏极相连,连接点作为所述第三信号延迟产生单元的输出端;所述第八nmos管的源极接地。

22、可选地,上述的功率管的驱动电路中,所述第四信号延迟产生单元包括:第十三pmos管、第十四pmos管、第九nmos管和第十nmos管;

23、所述第十三pmos管的栅极分别与所述第十四pmos管的栅极、所述第九nmos管的栅极和所述第十nmos管的栅极相连,连接点作为所述第四信号延迟产生单元的输入端;

24、所述第十三pmos管的源极接收所述电源信号;

25、所述第十三pmos管的漏极与所述第十四pmos管的源极相连;所述第十四pmos管的漏极与所述第九nmos管的漏极相连,连接点作为所述第四信号延迟产生单元的输出端;

26、所述第九nmos管的源极与所述第十nmos管的漏极相连;所述第十nmos管的源极接地。

27、可选地,上述的功率管的驱动电路中,所述缓充驱动单元包括:第二反相器、第十一nmos管、第十二nmos管、第十三nmos管、第十四nmos管、第十五nmos管和第十六nmos管;

28、所述第二反相器的输入端作为所述缓充驱动单元的第一输入端,接收所述第二驱动控制信号;所述第二反相器的输出端分别与所述第十本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率管的驱动电路,其特征在于,包括:驱动控制信号产生单元、缓充驱动单元和快充驱动单元;

2.根据权利要求1所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述驱动控制信号产生单元包括:反相单元和信号延迟产生单元,所述信号延迟产生单元包括第一信号延迟产生单元、第二信号延迟产生单元、第三信号延迟产生单元和第四信号延迟产生单元中的至少一个,所述第一信号延迟产生单元、所述第二信号延迟产生单元、所述第三信号延迟产生单元和所述第四信号延迟产生单元依次级联;

3.根据权利要求2所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述反相单元包括:第一反相器,所述第一反相器的输入端接收所述输入信号,所述第一反相器的输出端输出所述输入信号的反相信号。

4.根据权利要求2所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述第一信号延迟产生单元包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管;

5.根据权利要求2所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述第二信号延迟产生单元包括:第六PMOS管、第七PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管;

6.根据权利要求2所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述第三信号延迟产生单元包括:第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管和第八NMOS管;

7.根据权利要求2所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述第四信号延迟产生单元包括:第十三PMOS管、第十四PMOS管、第九NMOS管和第十NMOS管;

8.根据权利要求1所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述缓充驱动单元包括:第二反相器、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管和第十六NMOS管;

9.根据权利要求1所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述快充驱动单元包括:第十五PMOS管、第十六PMOS管和第十七NMOS管;

10.一种BOOST升压电路,其特征在于,包括:电感、电容、电阻、二极管和功率管;

...

【技术特征摘要】

1.一种功率管的驱动电路,其特征在于,包括:驱动控制信号产生单元、缓充驱动单元和快充驱动单元;

2.根据权利要求1所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述驱动控制信号产生单元包括:反相单元和信号延迟产生单元,所述信号延迟产生单元包括第一信号延迟产生单元、第二信号延迟产生单元、第三信号延迟产生单元和第四信号延迟产生单元中的至少一个,所述第一信号延迟产生单元、所述第二信号延迟产生单元、所述第三信号延迟产生单元和所述第四信号延迟产生单元依次级联;

3.根据权利要求2所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述反相单元包括:第一反相器,所述第一反相器的输入端接收所述输入信号,所述第一反相器的输出端输出所述输入信号的反相信号。

4.根据权利要求2所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述第一信号延迟产生单元包括:第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第一nmos管、第二nmos管;

5.根据权利要求2所述的功率管的驱动电路,其特征在于,所述第二信号延迟产...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖佐楠尹超凡竹越华徐秀强郑茳匡启和
申请(专利权)人:苏州国芯科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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