【技术实现步骤摘要】
本技术涉及金刚石生长，具体为一种mpcvd金刚石有效掺杂硅的制备装置。
技术介绍
1、金刚石优良的物理化学性能使其受到众多领域的关注，在众多生长金刚石的技术方法当中，微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition，mpcvd)技术被认为是生长高质量金刚石的首选方法。
2、掺杂金刚石是金刚石作为半导体材料和量子器件材料应用的关键。掺杂金刚石材料在制作高功率半导体器件，在量子通信和量子传感中作为单光子发射器件以及在高灵敏温度、磁场传感器中作为探测材料具有广泛应用前景。
3、公告号为cn116463609a提出了一种有效实现金刚石中硅掺杂的设备与方法，其通过本专利技术在mpcvd系统中通过采用特制的具有0-90°不同倾斜角度倾斜面的金属钼样品托调节衬底的沉积角度，改变了等离子浓度、温度在衬底表面的分布，改变了掺杂物的掺杂面积，从而改变了掺杂效率。
4、但其样品托为固定结构，在掺杂不同浓度的硅时需要制作不同倾斜角度的样品托，导致生产成本较高。
5、所以我们提出了一种mpcvd金刚石有效掺杂硅的制备装置，以便于解决上述中提出的问题。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对上述
技术介绍
中现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种mpcvd金刚石有效掺杂硅的制备装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
3、(二)技术方案
4、为实现以上目的，本
5、一种mpcvd金刚石有效掺杂硅的制备装置，包括mpcvd设备和位于mpcvd设备中的基台，所述基台顶部设置有样品板，所述样品板包括连接板和相对铰接在连接板两侧的载板，所述连接板上设置有进气管，所述基台上设置有调节机构；
6、所述调节机构包括固定在连接板底部的调节杆，所述基台上开设有与调节杆滑动连接的滑槽，所述基台顶部开设有与滑槽连通的斜槽，所述调节杆上开设有第一卡槽，所述第一卡槽内卡接有卡板，所述滑槽上沿其上下方向开设有多个第二卡槽，所述卡板与第二卡槽卡接。
7、进一步的，所述斜槽横截面呈三角状结构，所述斜槽和滑槽形成y型槽。
8、进一步的，所述载板顶部开设有多个用于放置籽晶的生长槽。
9、进一步的，所述进气管为伸缩管。
10、进一步的，所述第一卡槽和多个第二卡槽均为盲槽。
11、(三)有益效果
12、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
13、用于承载金刚石籽晶的样品板由连接板和与其铰接的两个载板组成，配合调节机构，在需要制备不同浓度硅掺杂的金刚石时可通过调节机构改变两个载板的倾斜角度，相比传统的制备多个倾斜角度的样品托，可大大节约生产成本。
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1.一种MPCVD金刚石有效掺杂硅的制备装置，包括MPCVD设备(6)和位于MPCVD设备中的基台(1)，其特征在于：所述基台(1)顶部设置有样品板(2)，所述样品板(2)包括连接板(21)和相对铰接在连接板(21)两侧的载板(22)，所述连接板(21)上设置有进气管(3)，所述基台(1)上设置有调节机构(4)；
2.根据权利要求1所述的一种MPCVD金刚石有效掺杂硅的制备装置，其特征在于：所述斜槽(43)横截面呈三角状结构，所述斜槽(43)和滑槽(42)形成Y型槽。
3.根据权利要求2所述的一种MPCVD金刚石有效掺杂硅的制备装置，其特征在于：所述载板(22)顶部开设有多个用于放置籽晶的生长槽(5)。
4.根据权利要求1所述的一种MPCVD金刚石有效掺杂硅的制备装置，其特征在于：所述进气管(3)为伸缩管。
5.根据权利要求1所述的一种MPCVD金刚石有效掺杂硅的制备装置，其特征在于：所述第一卡槽(44)和多个第二卡槽(46)均为盲槽。
【技术特征摘要】
1.一种mpcvd金刚石有效掺杂硅的制备装置，包括mpcvd设备(6)和位于mpcvd设备中的基台(1)，其特征在于：所述基台(1)顶部设置有样品板(2)，所述样品板(2)包括连接板(21)和相对铰接在连接板(21)两侧的载板(22)，所述连接板(21)上设置有进气管(3)，所述基台(1)上设置有调节机构(4)；
2.根据权利要求1所述的一种mpcvd金刚石有效掺杂硅的制备装置，其特征在于：所述斜槽(43)横截面呈三角状结构，所述斜...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭森森，许成志，吴鹏辉，陈聪聪，樊会鹏，刘勐琦，曾献伟，
申请(专利权)人：郑州势垒科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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