System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种HfC@SiC@C核壳型纳米粉末及其制备方法技术_技高网

一种HfC@SiC@C核壳型纳米粉末及其制备方法技术

技术编号:43672469 阅读:16 留言:0更新日期:2024-12-18 20:57
本发明专利技术涉及一种HfC@SiC@C核壳型纳米粉末及其制备方法,属于超高温陶瓷粉体表面改性技术领域,解决超高温改性碳化硅陶瓷颗粒表面包覆碳工艺周期长、成本高、包覆均匀性难以保证的技术问题,其制备方法包括HfC改性;制备改性HfC偶联溶液;改性HfC偶联溶液加入间苯二酚,搅拌得到中间溶液;依次加入甲醛、氨水,搅拌至形成酚醛,得到交联混合溶液;将交联混合溶液离心干燥,将离心干燥粉末置入乙醇、去离子水中清洗,将清洗的粉末烘干固化,得到HfC@RF粉末;将HfC@RF粉末裂解,得到HfC@SiC@C核壳型纳米粉末的步骤。该制备方法用于核壳型纳米粉末制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于超高温陶瓷粉体表面改性,具体涉及一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末及其制备方法。


技术介绍

1、连续碳纤维增强的超高温改性碳化硅陶瓷基复合材料(简称:cf/sic-uhtcs),克服了陶瓷低损伤容限,又兼具超高温陶瓷极高的熔点和sic陶瓷良好的抗氧化性,广泛应用于先进飞行器的头罩、翼前缘、控制舵等。目前,针对组合工艺制备cf/sic-uhtcs复合材料国内外已经开展了大量的工艺研究工作,如:si/rmi、cvi/rmi、sol-gel/rmi、cvi/si/rmi、cvi/pip/rmi等。通常浸渍uhtcs颗粒后,采用cvi-c或者pip-c实现uhtcs颗粒表面碳包覆,结合rmi工艺可以实现复合材料高致密度、低成本、残余孔隙率低等诸多优点。但是上述两种包覆碳工艺方法周期长、成本高、包覆均匀性难以保证。


技术实现思路

1、为了克服超高温改性碳化硅陶瓷颗粒表面包覆碳工艺周期长、成本高、包覆均匀性难以保证的不足,本专利技术提出了一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末及其制备方法。

2、本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是:

3、一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末的制备方法,包括以下步骤:

4、步骤s1,hfc改性

5、四甲基氢氧化铵水溶液与hfc粉末混合搅拌,在水浴中加热,离心洗涤至中性,干燥,得到改性hfc粉末;

6、步骤s2,制备改性hfc偶联溶液

7、将改性hfc粉末、kh-560硅烷偶联剂加入到去离子水和乙醇的混合溶液中,搅拌至均匀,得到改性hfc偶联溶液。

8、步骤s3,加入间苯二酚

9、在改性hfc偶联溶液中,加入间苯二酚,搅拌至均匀,得到中间溶液。

10、步骤s4,交联

11、在中间溶液中,依次加入甲醛、氨水,搅拌至苯二酚-甲醛缩聚反应形成酚醛,得到交联混合溶液。

12、步骤s5,离心干燥与固化

13、采用离心机,将交联混合溶液离心干燥,得到离心干燥粉末;

14、将离心干燥粉末置入乙醇、去离子水中,清洗1~3次;

15、采用烘箱,将清洗的粉末烘干固化,得到hfc@rf粉末。

16、步骤s6,裂解

17、将hfc@rf粉末置入高纯n2氛围管式炉中裂解,裂解完成,管式炉温度降至室温,得到hfc@sic@c核壳型纳米粉末。

18、上述的制备方法,所述步骤s1,hfc改性中,四甲基氢氧化铵水溶液与hfc粉末混合搅拌的温度为30℃~100℃,搅拌时间为30min~120min;干燥温度t2为150~200℃。

19、上述的制备方法,所述步骤s2,制备改性hfc偶联溶液中,改性hfc粉末的重量为5g~20g、kh-560硅烷偶联剂的重量为0.1g~0.3g。去离子水和乙醇的混合溶液中,去离子水的量为300ml~400ml、乙醇的量为100ml~200ml。搅拌温度为20℃~30℃,搅拌时间为10min~60min。

20、上述的制备方法,所述步骤s3,加入间苯二酚中,间苯二酚的重量为1g~20g。搅拌温度为20℃~30℃,搅拌时间为30min~60min。

21、上述的制备方法,所述步骤s4,交联中,甲醛的重量为1g~20g、氨水的重量为1g~20g。搅拌温度为20℃~30℃,搅拌时间为12h~24h。

22、上述的制备方法,所述步骤s5,离心干燥与固化中,固化温度为150℃~200℃,固化时间为1h~2h。

23、上述的制备方法,所述步骤s6,裂解中,裂解温度为800℃~1000℃,裂解时间为10min~120min。管式炉温度降至室温的降温速率小于5℃/min。

24、上述的制备方法,所述步骤s1,hfc改性中,还可以用hfb2取代hfc粉末,或者用zrc取代hfc粉末,或者用zrb2取代hfc粉末,或者用tac取代hfc粉末。得到相应的uhtcs颗粒表面碳包覆的核壳型纳米粉末。

25、一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末,采用上述的制备方法制备。

26、本专利技术的有益效果是:

27、一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末的制备方法,通过间苯二酚-甲醛的体型缩聚反应实现hfc@sic@c核壳型纳米粉末的制备,在超高温陶瓷颗粒表面得到厚度均匀的包覆碳层。通过对间苯二酚-甲醛浓度的调控,实现不同厚度的包覆碳层,改善了颗粒表面的润湿行为,提高了润湿动力,使得uhtcs颗粒在集体中弥散分布。

28、一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末的制备方法,通过对hfc粉体和间苯二酚质量比进行调控,控制间苯二酚-甲醛的缩聚反应形成的酚醛含量,实现hfc@sic@c粉体中碳层厚度的可控。

29、一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末的制备方法,通过间苯二酚-甲醛缩聚反应次数,实现hfc@sic@c粉体中碳层厚度的可控。

30、一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末的制备方法,具有操作简单,重复性高,制备周期短,适于工业化生产。

31、一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末的制备方法,制备的hfc@sic@c粉末具有核壳结构,能够抑制uhtc晶粒在高温下的生长,避免uhtcs的力学性能随晶粒的长大而下降;外层碳相可以提高材料基体的断裂韧性和热导率;制备的hfc@sic@c粉体中外层碳相可以有效降低hfc颗粒的弹性模量,降低基体开裂裂纹产生。

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【技术保护点】

1.一种HfC@SiC@C核壳型纳米粉末的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述步骤S1,HfC改性中,四甲基氢氧化铵水溶液与HfC粉末混合搅拌的温度为30℃~100℃,搅拌时间为30min~120min;干燥温度为150℃~200℃。

3.根据权利要求2所述制备方法,其特征在于,所述步骤S2,制备改性HfC偶联溶液中,改性HfC粉末的重量为5g~20g、KH-560硅烷偶联剂的重量为0.1g~0.3g;去离子水和乙醇的混合溶液中,去离子水的量为300mL~400mL、乙醇的量为100mL~200mL;搅拌温度为20℃~30℃,搅拌时间为10min~60min。

4.根据权利要求3所述制备方法,其特征在于,所述步骤S3,加入间苯二酚中,间苯二酚的重量为1g~20g;搅拌温度为20℃~30℃,搅拌时间为30min~60min。

5.根据权利要求4所述制备方法,其特征在于,所述步骤S4,交联中,甲醛的重量为1g~20g、氨水的重量为1g~20g;搅拌温度为20℃~30℃,搅拌时间为12h~24h。

6.根据权利要求5所述制备方法,其特征在于,所述步骤S5,离心干燥与固化中,固化温度为150℃~200℃,固化时间为1h~2h。

7.根据权利要求6所述制备方法,其特征在于,所述步骤S6,裂解中,裂解温度为800℃~1000℃,裂解时间为10min~120min;管式炉温度降至室温的降温速率小于5℃/min。

8.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述步骤S1,HfC改性中,还可以用HfB2取代HfC粉末,或者用ZrC取代HfC粉末,或者用ZrB2取代HfC粉末,或者用TaC取代HfC粉末;得到相应的UHTCs颗粒表面碳包覆的核壳型纳米粉末。

9.一种HfC@SiC@C核壳型纳米粉末,其特征在于,采用权利要求1至8任一制备方法制备。

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【技术特征摘要】

1.一种hfc@sic@c核壳型纳米粉末的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述步骤s1,hfc改性中,四甲基氢氧化铵水溶液与hfc粉末混合搅拌的温度为30℃~100℃,搅拌时间为30min~120min;干燥温度为150℃~200℃。

3.根据权利要求2所述制备方法,其特征在于,所述步骤s2,制备改性hfc偶联溶液中,改性hfc粉末的重量为5g~20g、kh-560硅烷偶联剂的重量为0.1g~0.3g;去离子水和乙醇的混合溶液中,去离子水的量为300ml~400ml、乙醇的量为100ml~200ml;搅拌温度为20℃~30℃,搅拌时间为10min~60min。

4.根据权利要求3所述制备方法,其特征在于,所述步骤s3,加入间苯二酚中,间苯二酚的重量为1g~20g;搅拌温度为20℃~30℃,搅拌时间为30min~60min。

5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员:成溯符佳伟邓莹莹陆彤薛正伟刘光海陈旭许建锋
申请(专利权)人:国投陶瓷基复合材料研究院西安有限公司
类型:发明
国别省市:

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