【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件及制造方法。
技术介绍
1、半导体器件被用于各种电子应用，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上顺序沉积材料的绝缘或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
2、半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应该解决的其他问题。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底之上由多个半导体材料形成鳍；在所述鳍之上沉积虚设栅极；沉积与所述虚设栅极相邻的多个间隔件；去除所述虚设栅极以形成与所述多个间隔件相邻的开口；在去除所述虚设栅极之后，加宽与所述多个间隔件的顶表面相邻的所述开口，其中，加宽所述开口包括：氧化所述多个间隔件的侧壁的第一部分；以及去除所述第一部分；在所述加宽之后，去除所述多个半导体材料之一以形成纳米线；以及在所述纳米线周围沉积栅极电极。
2、根据本公开的另一实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：从半导体鳍之上的第一间隔件和第二间隔件之间去除虚设栅极电极，所述半导体鳍包括第一半导体材料以及不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料；利用等离子体前体氧化所述第一间隔件的侧壁的一部分；去除所述侧壁的该部分以形成第一开口，所述第一开口
3、根据本公开的又一实施例，提供了一种半导体器件，包括：多个纳米线；栅极堆叠，上覆于所述多个纳米线；以及第一间隔件，位于所述栅极堆叠的侧壁上，其中，所述侧壁以约84°和约88°之间的第一角度延伸远离所述第一间隔件的顶表面，其中，所述第一间隔件在所述第一间隔件的顶部具有高于所述第一间隔件的底部的氧浓度。
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1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述加宽之后，所述多个间隔件之一在第一部分中具有大于第二部分的氧浓度，所述第一部分比所述第二部分更远离所述衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化所述第一部分利用处理前体来执行，所述处理前体包括：
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：将所述处理前体点燃成等离子体。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述处理前体的氧百分比为20％。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述处理前体的氧百分比为40％。
7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：从处理前体生成所述等离子体前体，其中，所述处理前体包括惰性气体。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述处理前体包括氧化气体。
10.一种半导体器件，包括：
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述加宽之后，所述多个间隔件之一在第一部分中具有大于第二部分的氧浓度，所述第一部分比所述第二部分更远离所述衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化所述第一部分利用处理前体来执行，所述处理前体包括：
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：将所述处理前体点燃成等离子体。
5.根据权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏正禹，唐浩明，林政颐，陈书涵，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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