【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，具体涉及一种细线路结构。
技术介绍
1、在重布线层(redistribution layer，rdl)的细线路生产流程中，需要精确控制各种参数和条件。首先，在载体上形成一层种子层；然后，使用经过图案化的光刻胶作为模板，通过电镀构建出细线路的结构；最后，在完成细线路的结构构建后，采用湿蚀刻法去除光刻胶以完成生产流程。
2、然而，在湿蚀刻过程中，由于蚀刻液对细线路材料表面的侵蚀作用，其顶部会产生明显的蚀刻现象。由于细线路顶部表面的外观变化，在自动光学检测(automated opticalinspection，aoi)过程中，本来并无断开的细线路结构可能会被误判为断线，进而可能导致生产线上的不必要停顿和调整，降低生产效率。此时，如果针对误判重新调整aoi参数，防止断线误判，又可能导致断线缺陷被遗漏，影响产品的良率。
技术实现思路
1、本申请提出了一种细线路结构。
2、第一方面，本申请提供细线路结构，所述细线路结构设置于载体上方，包括：
3、种子层，所述种子层形成于所述载体的上表面；
4、线路结构本体，所述线路结构本体形成于所述种子层的上表面；
5、辨识结构，所述辨识结构形成于所述线路结构本体的上半部分，用于辨识所述线路结构本体的分布范围和分布状态。
6、作为一种可能的实施方式，所述辨识结构的抗蚀刻度大于所述线路结构本体。
7、作为一种可能的实施方式，所述辨识结构覆盖所述线路结构本体
8、作为一种可能的实施方式，所述辨识结构覆盖所述线路结构本体的上表面。
9、作为一种可能的实施方式，所述细线路结构还包括：
10、第一强化层，所述第一强化层包覆所述线路结构本体的部分侧表面。
11、作为一种可能的实施方式，所述第一强化层覆盖所述线路结构本体至少1/2的侧表面。
12、作为一种可能的实施方式，所述第一强化层至多覆盖所述线路结构本体3/4的侧表面。
13、作为一种可能的实施方式，所述第一强化层的杨氏系数大于所述线路结构本体。
14、作为一种可能的实施方式，所述第一强化层的电迁移效应小于所述线路结构本体。
15、作为一种可能的实施方式，所述第一强化层与所述辨识结构材质相同。
16、作为一种可能的实施方式，所述第一强化层包覆的线路结构本体的宽度大于未被所述第一强化层包覆的线路结构本体。
17、作为一种可能的实施方式，所述细线路结构还包括：
18、第二强化层，所述第二强化层包覆未被所述第一强化层包覆的线路结构本体的侧表面。
19、作为一种可能的实施方式，所述细线路结构还包括：
20、第二强化层，所述第二强化层包覆未被所述第一强化层包覆的线路结构本体的侧表面、所述第一强化层和所述辨识结构。
21、作为一种可能的实施方式，所述第二强化层与所述第一强化层的材质相同。
22、作为一种可能的实施方式，所述第二强化层和所述第一强化层的材质不同。
23、作为一种可能的实施方式，所述第一强化层的厚度自上而下逐渐减小。
24、作为一种可能的实施方式，所述辨识结构的表面粗糙度低于未被所述辨识结构覆盖的线路结构本体。
25、作为一种可能的实施方式，所述第二强化层的杨氏系数大于所述线路结构本体。
26、作为一种可能的实施方式，所述第二强化层的电迁移效应小于所述线路结构本体。
27、为了解决目前由于细线路顶部表面的外观变化而导致的断线误判问题，本申请提出一种细线路结构，通过在细线路结构的线路结构本体上形成辨识结构，由于辨识结构不易因蚀刻改变表面性状，后续可通过辨识结构来辨识所述线路结构本体的分布范围和分布状态，从而，有利于自动光学检测辨识出细线路结构的分布范围和分布状态，减少自动光学检测断线误判的几率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种细线路结构，其特征在于，所述细线路结构设置于载体上方，包括：
2.根据权利要求1所述的细线路结构，其特征在于，所述辨识结构的抗蚀刻度大于所述线路结构本体。
3.根据权利要求1所述的细线路结构，其特征在于，所述辨识结构覆盖所述线路结构本体的上表面和部分侧表面。
4.根据权利要求1所述的细线路结构，其特征在于，所述细线路结构还包括：
5.根据权利要求4所述的细线路结构，其特征在于，所述第一强化层覆盖所述线路结构本体至少1/2的侧表面。
6.根据权利要求4所述的细线路结构，其特征在于，所述第一强化层的杨氏系数大于所述线路结构本体。
7.根据权利要求4所述的细线路结构，其特征在于，所述第一强化层的电迁移效应小于所述线路结构本体。
8.根据权利要求4所述的细线路结构，其特征在于，所述第一强化层包覆的线路结构本体的宽度大于未被所述第一强化层包覆的线路结构本体。
9.根据权利要求4所述的细线路结构，其特征在于，所述细线路结构还包括：
10.根据权利要求4所述的细线路结构，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种细线路结构，其特征在于，所述细线路结构设置于载体上方，包括：
2.根据权利要求1所述的细线路结构，其特征在于，所述辨识结构的抗蚀刻度大于所述线路结构本体。
3.根据权利要求1所述的细线路结构，其特征在于，所述辨识结构覆盖所述线路结构本体的上表面和部分侧表面。
4.根据权利要求1所述的细线路结构，其特征在于，所述细线路结构还包括：
5.根据权利要求4所述的细线路结构，其特征在于，所述第一强化层覆盖所述线路结构本体至少1/2的侧表面。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭丞，张皇贤，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。