System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种检测电容阻抗异常的电路和方法技术_技高网

一种检测电容阻抗异常的电路和方法技术

技术编号:43664452 阅读:3 留言:0更新日期:2024-12-13 12:54
本发明专利技术提供一种检测电容阻抗异常的电路和方法,涉及集成电路领域。监测模块用于监测电容与低压差线性稳压器之间目标电压值,并根据目标电压值与预设阈值之间的大小关系,向控制模块发送控制信号或者信号值;控制模块根据控制信号或者信号值控制开关模块处于闭合或者断开状态。本发明专利技术筛选出潜在损伤的电容,提高PCB板硬件电路稳定性,防止存在潜在质量问题的产品发货。针对发现的问题设计人员做相应设计改进,提高产品稳定性和质量,降低产品返回率。通过这样的方式在发货前能把此类潜在电容失效整机拦截下来并进行相应的设计,可以减少后期出售后的退换货数量,提升用户使用和体验感,保持并提升品牌形象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路,特别是一种检测电容阻抗异常的电路和方法


技术介绍

1、随着市场小型化商品的发展趋势,电路pcb板(printed circuit board,印刷电路板)的尺寸也越来越小个性化丰富,随之对散热要求较高,导致散热片螺钉孔的数量随之增多。而器件布局难免在pcb板子边缘或螺钉孔附近,因此器件受机械应力影响较大。

2、整机出厂前器件例如电容,其已受机械力损伤导致电容阻抗下降,但是损伤程度没到影响ldo(low dropout regulator,低压差线性稳压器)掉电的发生,多数是用户使用一段时间后才表现出整机工作异常或者掉电后不能恢复开机等问题,导致整机不能正常工作,严重影响客户使用和体验感。


技术实现思路

1、鉴于上述问题,本专利技术提出了一种检测电容阻抗异常的电路和方法。

2、本专利技术实施例提供了一种检测电容阻抗异常的电路,所述电路包括:监测模块、控制模块以及开关模块;

3、所述监测模块用于监测电容与低压差线性稳压器之间的目标电压值,并根据所述目标电压值与预设阈值之间的大小关系,向所述控制模块发送控制信号或者信号值;

4、所述控制模块根据所述控制信号或者所述信号值控制所述开关模块处于闭合或者断开状态;

5、其中,所述开关模块处于所述闭合时表征所述电容阻抗异常,所述开关模块处于所述断开状态时表征所述电容阻抗正常。

6、可选地,所述监测模块包括:基板管理控制器或者电压监测电路;

>7、所述基板管理控制器或者所述电压监测电路的第一端与所述电容的第一端、电阻的第二端、所述低压差线性稳压器的第二输入端分别电连接;

8、所述基板管理控制器或者所述电压监测电路的第二端与所述控制模块的第一端电连接;

9、所述电阻的第一端与电源的第一端电连接;

10、所述电容的第二端、所述电源的第二端均接地;

11、所述低压差线性稳压器的第一输入端接收输入电压。

12、可选地,所述控制模块包括:可编程逻辑器件或者现场可编程逻辑门阵列;

13、所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列的第一端与所述监测模块的第二端电连接;

14、所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列的第二端与所述开关模块的控制端电连接。

15、可选地,所述开关模块包括:场效应晶体管;

16、所述场效应晶体管的控制端与所述控制模块的第二端电连接;

17、所述场效应晶体管的第一端与所述低压差线性稳压器的输出端电连接;

18、所述场效应晶体管的第二端接地。

19、可选地,所述场效应晶体管为nmos管;

20、所述nmos管的栅极作为所述控制端与所述控制模块的第二端电连接;

21、所述nmos管的漏极作为第一端与所述低压差线性稳压器的输出端电连接;

22、所述nmos管的源极作为第二端接地。

23、可选地,当所述监测模块为基板管理控制器、所述控制模块为可编程逻辑器件或者现场可编程逻辑门阵列时,所述基板管理控制器与所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列之间通过定制总线电连接,所述定制总线仅用于传输所述控制信号或者所述信号值,以及读取所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列内部的两个状态寄存器的状态;

24、当所述基板管理控制器通过所述定制总线读取两个所述状态寄存器的状态不一致时,所述基板管理控制器实时记录并存入到自身的错误日志信息中;

25、当所述基板管理控制器通过所述定制总线读取两个所述状态寄存器的状态不一致,且所述基板管理控制器中预置有预设错误信息时,所述基板管理控制器解析出错误发生的时间点和位置信息并上报上位机;

26、当所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列可用于记录主板时序状态时,所述基板管理控制器通过所述定制总线实时监控和记录所述主板时序状态;

27、当所述基板管理控制器监测到所述目标电压值异常时,则通过预设协议上报给所述上位机。

28、可选地,所述基板管理控制器自身寄存器中内置有所述预设阈值;

29、所述基板管理控制器监测得到所述目标电压值后,对所述目标电压值与所述预设阈值的大小进行比较,并根据比较结果产生并输出所述控制信号;

30、其中,所述控制信号包括:第一信号或者第二信号;

31、所述第一信号通过所述定制总线传输至所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列,以使得所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列输出所述第一信号至所述开关模块,进而控制所述开关模块处于闭合或者断开状态;

32、所述第二信号通过所述定制总线传输至所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列,以使得所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列改变自身内部寄存器的值,从而改变所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列输出至所述开关模块的信号电平值,进而控制所述开关模块处于闭合或者断开状态。

33、可选地,所述基板管理控制器自身寄存器中内置有所述预设阈值;

34、所述基板管理控制器监测得到所述目标电压值后,对所述目标电压值与所述预设阈值的大小进行比较,并根据比较结果产生并输出所述信号值;

35、所述信号值通过所述定制总线传输至所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列,以使得所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列改变自身内部寄存器的值,从而改变所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列输出至所述开关模块的信号电平值,进而控制所述开关模块处于闭合或者断开状态。

36、可选地,所述预设阈值大于所述低压差线性稳压器的开启电压值,且小于所述低压差线性稳压器的第一输入端接收的输入电压值;

37、其中,若所述目标电压值小于所述开启电压值,则所述低压差线性稳压器不工作,所述低压差线性稳压器无输出电压,并重新修改优化电路的布局布线;

38、若所述目标电压值大于所述预设阈值,则所述低压差线性稳压器正常工作,所述开关模块处于所述断开状态,所述低压差线性稳压器正常输出电压,并在量产后移除所述开关模块;

39、若所述目标电压值大于所述开启电压值且小于所述预设阈值,则所述低压差线性稳压器正常工作,所述开关模块处于所述闭合状态,所述低压差线性稳压器的输出电压直接接地,并重新修改优化电路的布局布线。

40、本专利技术实施例提供了一种检测电容阻抗异常的方法,所述方法应用于上述任一所述的检测电容阻抗异常的电路,所述方法包括:

41、利用所述监测模块所述目标电压值,并比较所述目标电压值与预设阈值之间的大小关系;

42、若所述目标电压值大于所述预设阈值,则利用所述监测模块向所述控制模块发送所述控制信号或者所述信号值,以使得所述开关模块处于所述断开状态,所述低压差线性稳压本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检测电容阻抗异常的电路,其特征在于,所述电路包括:监测模块、控制模块以及开关模块;

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述监测模块包括:基板管理控制器或者电压监测电路;

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制模块包括:可编程逻辑器件或者现场可编程逻辑门阵列;

4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述开关模块包括:场效应晶体管;

5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述场效应晶体管为NMOS管;

6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,当所述监测模块为基板管理控制器、所述控制模块为可编程逻辑器件或者现场可编程逻辑门阵列时,所述基板管理控制器与所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列之间通过定制总线电连接,所述定制总线仅用于传输所述控制信号或者所述信号值,以及读取所述可编程逻辑器件或者所述现场可编程逻辑门阵列内部的两个状态寄存器的状态;

7.根据权利要求6所述的电路,其特征在于,所述基板管理控制器自身寄存器中内置有所述预设阈值;

8.根据权利要求6所述的电路,其特征在于,所述基板管理控制器自身寄存器中内置有所述预设阈值;

9.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述预设阈值大于所述低压差线性稳压器的开启电压值,且小于所述低压差线性稳压器的第一输入端接收的输入电压值;

10.一种检测电容阻抗异常的方法,其特征在于,所述方法应用于权利要求1-9任一所述的检测电容阻抗异常的电路,所述方法包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种检测电容阻抗异常的电路,其特征在于,所述电路包括:监测模块、控制模块以及开关模块;

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述监测模块包括:基板管理控制器或者电压监测电路;

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制模块包括:可编程逻辑器件或者现场可编程逻辑门阵列;

4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述开关模块包括:场效应晶体管;

5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述场效应晶体管为nmos管;

6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,当所述监测模块为基板管理控制器、所述控制模块为可编程逻辑器件或者现场可编程逻辑门阵列时,所述基板管理控制器与所述可编程逻辑器件或者所述现场可...

【专利技术属性】
技术研发人员:马灿李文方张弛李岩
申请(专利权)人:浪潮计算机科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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