不对称平行耦合宽带腔体电桥制造技术

本实用新型专利技术公开了一种不对称平行耦合宽带腔体电桥，包括腔体和盖体，腔体内置有一对耦合杆，两耦合杆的四个电极均绝缘穿透腔体并与腔体外侧的四个端子相连接，这对耦合杆包括第一耦合杆和第二耦合杆，两耦合杆相同且均由三级组成，耦合杆上的电极在杆的两侧；第一耦合杆和第二耦合杆不在腔体内的同一水平面上，但两耦合杆相互平行且两耦合杆的第一级上下完全重合，第二级和第三级上下不重合。通过采用不对称结构，导体上下宽边耦合的宽带高性能电桥。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种微波通讯装置中的无源器件，更确切的说是一种不对称平行耦合宽带腔体电桥。
技术介绍
随着高度信息化社会的发展，人们对无线通信的需求日益迫切。微波电路系统是 无线通信系统的重要组成部分。3dB电桥在无线分布系统中用来合成载波，或者把一个信号 分成RF通道和RF+DC通道，其中两个载波之间没有相互干扰。 本申请人已授权专利200820086486. 5公开了一种宽频3dB电桥，它包括壳体、壳 体上的四个端口和四个端口之间耦合结构，所述耦合结构包括两节入/4弱耦合段和两节 入/4弱耦合段之间的强耦合段，所述A /4弱耦合段通过两根相互平行的耦合杆A实现耦 合，所述A/4强耦合段通过在两根耦合杆A外包覆套管B以实现强耦合。其基本解决了现 有技术结构复杂、不连续性效应强和无缘互调指标差的问题，但是波动等个别指标上还存 在着欠缺。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种宽频带、高隔离度、低驻波 比、耦合带内波动小和互调低的不对称平行耦合宽带腔体电桥。 为了达到以上目的，本技术是通过以下技术方案实现一种不对称平行耦合 宽带腔体电桥，包括腔体和盖体，腔体内置有一对耦合杆，两耦合杆的四个电极均绝缘穿透 腔体并与腔体外侧的四个端子相连接，其特征在于，所述的这对耦合杆包括第一耦合杆和 第二耦合杆，两耦合杆相同且均由三级组成，耦合杆上的电极在杆的两侧；第一耦合杆和第 二耦合杆不在腔体内的同一水平面上，但两耦合杆相互平行且两耦合杆的第一级上下完全 重合，第二级和第三级上下不重合。这种耦合结构的输入、输出端口位于器件同侧，更加方 便工程中的应用，且整体不对称，用以实现更加平坦的耦合波动。 作为优选，所述第一耦合杆和第二耦合杆的第三级的杆边设置为锯齿状。耦合杆 采用锯齿结构，补偿耦合杆之间的不连续效应。 作为优选，所述第一耦合杆和第二耦合杆通过介质固定。在腔体的侧壁对称的开 限制孔，限制孔与介质相适应，介质阻挡耦合杆与侧壁接触以及耦合杆之间的接触。此外 上下耦合杆宽边耦合，通过介质固定，使得最强耦合处两根耦合杆重叠，更容易控制耦合间 距，从而更容易调整两根耦合杆之间的耦合度。 作为优选，所述腔体内部采用多种阶梯腔组合结构。即大小不一的阶梯式腔和深 度不一的阶梯式腔。多种阶梯腔的组合的引入，减小耦合杆级间的尺寸变化，降低不连续效应。 作为优选，所述腔体两侧中心均设有调节螺杆，调节螺杆穿透腔体两侧壁；第一耦 合杆和第二耦合杆以调节螺杆为中心左右两侧间距对称。调节螺杆的引入，有效修正了材料加工误差引起的性能误差，也修正了装配引起的误差，使得产品性能在某种程度上达到 最佳。有益效果1.这种耦合结构的输入、输出端口位于器件同侧，更加方便工程中的应用，且整体不对称，用以实现更加平坦的耦合波动。2.耦合杆采用锯齿结构，补偿耦合杆之间的不连续效应。 3.上下耦合杆宽边耦合，通过介质固定，使得最强耦合处两根耦合杆重叠，更容易 控制耦合间距，从而更容易调整两根耦合杆之间的耦合度。 4.多种阶梯腔的组合的引入，减小耦合杆级间的尺寸变化，降低不连续效应。 5.调节螺杆的引入，有效修正了材料加工误差引起的性能误差，也修正了装配引 起的误差，使得产品性能在某种程度上达到最佳。附图说明图1为本技术的结构示意图； 图2为图1开盖后的结构示意图； 图3为本技术耦合杆的结构示意图； 图4为本技术调节螺杆的结构示意图； 图5为本技术盖体的结构示意图； 图6为本技术腔体的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体的实施例对本技术作进一步的说明。 实施例如图1、图2和图3所示，一种不对称平行耦合宽带腔体电桥，包括腔体1 和盖体2，腔体1内置有一对耦合杆，两耦合杆的四个电极均绝缘穿透腔体并与腔体外侧的 四个端子9相连接，这对耦合杆包括第一耦合杆3-1和第二耦合杆3-2，两耦合杆相同且均 由三级组成，耦合杆上的电极在杆的两侧。第一耦合杆3-1和第二耦合杆3-2不在腔体1 内的同一水平面上，但两耦合杆相互平行且两耦合杆的第一级A上下完全重合，第二级B和 第三级C上下不重合。 如图3所示，第一耦合杆3-1和第二耦合杆3-2的第三级C的杆边设置为锯齿状 6。 如图2所示，第一耦合杆3-1和第二耦合杆3-2通过介质5固定。在腔体1的侧 壁对称的开限制孔8，限制孔8与介质5相适应，介质5阻挡耦合杆与侧壁接触以及耦合杆 之间的接触。 如图5和图6所示，腔体1内部采用多种阶梯腔组合结构。即大小不一的阶梯式 腔和深度不一的阶梯式腔。把不同级耦合杆用不同大小的腔体包容。此外还采用二级深度 不一的阶梯式腔，即在最强耦合两根耦合杆重叠(第一级A)处设置凹坑7-l和凹坑7-2，凹 坑7-1设于腔体1上，凹坑7-2设于盖体2上。 如图2所示，腔体1两侧中心均设有调节螺杆4，调节螺杆4穿透腔体1两侧壁。 第一耦合杆3-1和第二耦合杆3-2以调节螺杆4为中心左右两侧间距对称。权利要求一种不对称平行耦合宽带腔体电桥，包括腔体和盖体，腔体内置有一对耦合杆，两耦合杆的四个电极均绝缘穿透腔体并与腔体外侧的四个端子相连接，其特征在于，所述的这对耦合杆包括第一耦合杆(3-1)和第二耦合杆(3-2)，两耦合杆相同且均由三级组成，耦合杆上的电极在杆的两侧；第一耦合杆(3-1)和第二耦合杆(3-2)不在腔体(1)内的同一水平面上，但两耦合杆相互平行且两耦合杆的第一级(A)上下完全重合，第二级(B)和第三级(C)上下不重合。2. 根据权利要求1所述的不对称平行耦合宽带腔体电桥，其特征在于，所述第一耦合 杆(3-1)和第二耦合杆(3-2)的第三级(C)的杆边设置为锯齿状(6)。3. 根据权利要求1或2所述的不对称平行耦合宽带腔体电桥，其特征在于，所述第一耦 合杆(3-1)和第二耦合杆(3-2)通过介质(5)固定。4. 根据权利要求l所述的不对称平行耦合宽带腔体电桥，其特征在于，所述腔体(l)内 部采用多种阶梯腔组合结构。5. 根据权利要求1或2或4所述的不对称平行耦合宽带腔体电桥，其特征在于，所述腔 体(1)两侧中心均设有调节螺杆(4)，调节螺杆(4)穿透腔体(1)两侧壁；第一耦合杆(3-1) 和第二耦合杆(3-2)以调节螺杆(4)为中心左右两侧间距对称。6. 根据权利要求3所述的不对称平行耦合宽带腔体电桥，其特征在于，所述腔体(1)两 侧中心均设有调节螺杆(4)，调节螺杆(4)穿透腔体(1)两侧壁；第一耦合杆(3-1)和第二 耦合杆(3-2)以调节螺杆(4)为中心左右两侧间距对称。专利摘要本技术公开了一种不对称平行耦合宽带腔体电桥，包括腔体和盖体，腔体内置有一对耦合杆，两耦合杆的四个电极均绝缘穿透腔体并与腔体外侧的四个端子相连接，这对耦合杆包括第一耦合杆和第二耦合杆，两耦合杆相同且均由三级组成，耦合杆上的电极在杆的两侧；第一耦合杆和第二耦合杆不在腔体内的同一水平面上，但两耦合杆相互平行且两耦合杆的第一级上下完全重合，第二级和第三级上下不重合。通过采用不对称结构，导体上下宽边耦合的宽带高性能电桥。文档编号H01P5/12GK201503907SQ20092031041公开日2010年6月9日 申请日期2009年9月15日 优先权日2009本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不对称平行耦合宽带腔体电桥，包括腔体和盖体，腔体内置有一对耦合杆，两耦合杆的四个电极均绝缘穿透腔体并与腔体外侧的四个端子相连接，其特征在于，所述的这对耦合杆包括第一耦合杆（３－１）和第二耦合杆（３－２），两耦合杆相同且均由三级组成，耦合杆上的电极在杆的两侧；第一耦合杆（３－１）和第二耦合杆（３－２）不在腔体（１）内的同一水平面上，但两耦合杆相互平行且两耦合杆的第一级（Ａ）上下完全重合，第二级（Ｂ）和第三级（Ｃ）上下不重合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉兵，王双喜，马欢，章勇，
申请(专利权)人：杭州紫光网络技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]