【技术实现步骤摘要】
本申请属于原子层沉积的，尤其涉及一种原子层沉积装置。
技术介绍
1、原子层沉积技术(atomic layer deposition,ald)是一种特殊的化学气相沉积薄膜技术，是通过将气相前驱体交替地通入反应室并在基底表面发生气-固化学反应形成薄膜的一种薄膜方法。
2、常规的原子层沉积技术大多应用在平面样品上，例如晶圆。随着技术的进步，原子层沉积技术也可以应用在粉末样品上，例如如锂电电极材料、负载型催化剂、药物制剂，金属粉末等。
3、随着原子层沉积技术的不断发展，从原子层沉积设备的角度出发，有越来越多的原子层沉积装置要求同时满足平面样品沉积与粉末样品沉积。然而，相关技术中的原子层沉积装置仅能单独沉积粉末样品或单独沉积平面样品，无法同时兼顾粉末材料和平面材料的沉积。
技术实现思路
1、本申请旨在至少能够在一定程度上解决相关技术中的原子层沉积装置仅能单独沉积粉末样品或单独沉积平面样品的技术问题。为此，本申请提供了一种原子层沉积装置。
2、第一方面，本申请实施例提供的一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：
3、平面样品沉积器，包括壳体、壳盖和隔板，所述壳体和所述壳盖可拆卸密闭连接，所述隔板位于所述壳体内并与所述壳体连接；所述隔板、所述壳体和所述壳盖合围形成平面样品沉积腔，所述隔板和所述壳体合围形成用于安装加热装置的加热腔；所述壳体或所述壳盖上开设有连通于所述平面样品沉积腔的第一进料口和第一抽气口；
4、粉末样品沉积器，位于所述平面
5、所述壳体或所述壳盖上还设置有连通所述平面样品沉积腔或所述加热腔的第三进料口和第三抽气口；所述第三进料口和所述第二进料口通过第一连接管路连通，所述第三抽气口和所述第二抽气口通过第二连接管路连通。
6、在一些实施例中，所述隔板上设置有安装槽，所述粉末样品沉积器位于所述安装槽内。
7、在一些实施例中，所述隔板上还设置有用于对平面样品限位的限位结构，所述原子层沉积装置设置有多个粉末样品沉积器，所述安装槽的数量和所述粉末样品沉积器的数量一致，多个所述安装槽绕所述限位结构环设。
8、在一些实施例中，所述隔板为加热隔板，所述壳盖上还设置有加热装置。
9、在一些实施例中，所述粉末样品沉积器包括外壳、第一滤网和第二滤网，所述第二进料口和所述第二抽气口均设置在所述外壳上，所述粉末样品沉积腔设置在所述外壳上，所述第一滤网和所述第二滤网位于所述粉末样品沉积腔内且分别设置在所述第二进料口和所述第二抽气口。
10、在一些实施例中，所述第二进料口、所述第一滤网、所述第二滤网和所述第二抽气口在高度方向从下至上依次设置。
11、在一些实施例中，所述原子层沉积装置还包括第一进料管路和第二进料管路，所述第一进料管路的一端和所述第二进料管路的一端均连通于所述第一进料口和所述第三进料口；所述第一进料管路的另一端和所述第二进料管路的另一端分别用于与前驱体源和前驱体源连通；所述第一进料管路连通所述第一进料口侧设置有第一控制阀、连通所述第三进料口侧设置有第二控制阀；所述第二进料管路连通所述第一进料口侧设置有第三控制阀、连通所述第三进料口侧设置有第四控制阀。
12、在一些实施例中，设置有两个第一进料口，两个所述第一进料口均设置在所述壳体上且相对设置，所述第一进料管路和所述第二进料管路分别与两个所述第一进料口连通。
13、在一些实施例中，在所述第一进料管路和所述第二进料管路上均设置有流量计。
14、在一些实施例中，所述原子层沉积装置还包括抽气管路，所述抽气管路一端分别连通于所述第一抽气口和所述第三抽气口，所述抽气管路另一端用于与真空泵连通，所述抽气管路靠近所述第一抽气口侧设置有第五控制阀，所述抽气管路靠近所述第三抽气口侧设置有第六控制阀。
15、本技术至少具有以下有益效果：
16、本申请所提供的原子沉积装置包括平面样品沉积器和粉末样品沉积器，平面样品沉积器具有平面样品沉积腔，用于对平面样品进行薄膜沉积，粉末样品沉积器具有粉末样品沉积腔，用于对粉末样品进行薄膜沉积，本申请既可以对粉末样品进行沉积又可以对平面材料进行沉积，兼顾了粉末样品和平面样品的沉积；同时，本申请中，粉末样品沉积器位于平面样品沉积腔内且和隔板导热接触，加热腔内的加热装置既可对平面样品沉积腔加热又可对粉末样品沉积腔加热，简化了本申请的结构，本申请原子沉积装置还具有结构简单的优点。
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1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述隔板(13)上设置有安装槽(131)，所述粉末样品沉积器(20)位于所述安装槽(131)内。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述隔板(13)上还设置有用于对平面样品限位的限位结构(132)，所述原子层沉积装置设置有多个粉末样品沉积器(20)，所述安装槽(131)的数量和所述粉末样品沉积器(20)的数量一致，多个所述安装槽(131)绕所述限位结构(132)环设。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述隔板(13)为加热隔板，所述壳盖(12)上还设置有加热装置。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述粉末样品沉积器(20)包括外壳(21)、第一滤网(22)和第二滤网(23)，所述第二进料口(20b)和所述第二抽气口(20c)均设置在所述外壳(21)上，所述粉末样品沉积腔(20a)设置在所述外壳(21)上，所述第一滤网(22)和所述第二滤网(23)位于所述粉末样品沉积腔(
6.根据权利要求5所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述第二进料口(20b)、所述第一滤网(22)、所述第二滤网(23)和所述第二抽气口(20c)在高度方向从下至上依次设置。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述原子层沉积装置还包括第一进料管路(50)和第二进料管路(60)，所述第一进料管路(50)的一端和所述第二进料管路(60)的一端均连通于所述第一进料口(10c)和所述第三进料口(10e)；所述第一进料管路(50)的另一端和所述第二进料管路(60)的另一端分别用于与前驱体源A和前驱体源B连通；所述第一进料管路(50)连通所述第一进料口(10c)侧设置有第一控制阀(70)、连通所述第三进料口(10e)侧设置有第二控制阀(80)；所述第二进料管路(60)连通所述第一进料口(10c)侧设置有第三控制阀(90)、连通所述第三进料口(10e)侧设置有第四控制阀(100)。
8.根据权利要求7所述的原子层沉积装置，其特征在于，设置有两个第一进料口(10c)，两个所述第一进料口(10c)均设置在所述壳体(11)上且相对设置，所述第一进料管路(50)和所述第二进料管路(60)分别与两个所述第一进料口(10c)连通。
9.根据权利要求7所述的原子层沉积装置，其特征在于，在所述第一进料管路(50)和所述第二进料管路(60)上均设置有流量计(110)。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述原子层沉积装置还包括抽气管路(120)，所述抽气管路(120)一端分别连通于所述第一抽气口(10d)和所述第三抽气口(10f)，所述抽气管路(120)另一端用于与真空泵连通，所述抽气管路(120)靠近所述第一抽气口(10d)侧设置有第五控制阀(130)，所述抽气管路(120)靠近所述第三抽气口(10f)侧设置有第六控制阀(140)。
...【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述隔板(13)上设置有安装槽(131)，所述粉末样品沉积器(20)位于所述安装槽(131)内。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述隔板(13)上还设置有用于对平面样品限位的限位结构(132)，所述原子层沉积装置设置有多个粉末样品沉积器(20)，所述安装槽(131)的数量和所述粉末样品沉积器(20)的数量一致，多个所述安装槽(131)绕所述限位结构(132)环设。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述隔板(13)为加热隔板，所述壳盖(12)上还设置有加热装置。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述粉末样品沉积器(20)包括外壳(21)、第一滤网(22)和第二滤网(23)，所述第二进料口(20b)和所述第二抽气口(20c)均设置在所述外壳(21)上，所述粉末样品沉积腔(20a)设置在所述外壳(21)上，所述第一滤网(22)和所述第二滤网(23)位于所述粉末样品沉积腔(20a)内且分别设置在所述第二进料口(20b)和所述第二抽气口(20c)。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述第二进料口(20b)、所述第一滤网(22)、所述第二滤网(23)和所述第二抽气口(20c)在高度方向从下至上依次设置。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述原子层沉积装置还包括第...
【专利技术属性】
技术研发人员：张亦哲，明帅强，李明，王浙加，戴昕童，李国庆，闻梦瑶，车睿远，
申请(专利权)人：嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心，
类型：新型
国别省市：
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