【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件封装，尤其涉及一种预防功率器件封装后分层的方法及半导体功率器件。
技术介绍
1、随着半导体器件的替代进程的加快，以及功率半导体器件逐步大量应用到车载领域，也对器件的可靠性提出了更高的要求。
2、但由于塑封功率器件封装过程中会使用热膨胀系数差异较大的裸铜或者镀银引线框架、焊料和塑封料，这几种材料在塑封过程中容易出现应力不匹配或者粘接力差导致在这两种材料的结合面出现分层或微小间隙，此分层会导致器件断路、散热不良或者可靠性异常，也会直接影响器件的使用，甚至会导致安全问题。因此，亟需一种用于预防功率器件封装后分层的方法。
技术实现思路
1、本申请提供了一种预防功率器件封装后分层的方法及半导体功率器件，能够防止功率器件封装后分层的问题。
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、本申请实施例第一方面，提供了一种预防功率器件封装后分层的方法，所述方法包括：
4、针对压焊完成的第一功率器件；
5、根据所述第一功率器件压焊过程采用的引线框架，对所述第一功率器件进行清洗隔离处理，得到第二功率器件，所述清洗隔离处理包括等离子清洗处理和/或喷胶处理，所述喷胶处理为利用喷涂剂喷涂功率器件的正面区域，所述正面区域包括功率器件的载体、芯片、焊线以及引脚部位；
6、对所述第二功率器件依次进行塑封处理、固化处理和切筋处理，得到目标功率器件。
7、在一个实施例中，所述根据所述第一功率器件压焊过程采用的引线
8、若所述第一功率器件在压焊过程中采用裸铜引线框架，对所述第一功率器件进行所述等离子清洗处理，并对等离子清洗后的第一功率器件进行喷胶处理后，得到所述第二功率器件；
9、若所述第一功率器件在压焊过程中采用裸银引线框架，对所述第一功率器件进行所述等离子清洗处理，得到所述第二功率器件。
10、在一个实施例中，所述对所述第一功率器件进行所述等离子清洗处理，包括：
11、将多个所述功率器件放置在镂空料盒中进行所述等离子清洗处理，所述镂空料盒包括多个开放的置物区，各所述置物区用于放置所述第一功率器件。
12、在一个实施例中，对所述第二功率器件进行塑封处理，包括：
13、利用塑封上料架将多个所述第二功率器件放置于塑封模具中进行塑封处理后，利用塑封冲废模具对塑封后的第二功率器件的废料进行切除后，得到第三功率器件。
14、在一个实施例中，所述塑封冲废模具的模具深度为：l+(0.4～0.6)mm，其中l为塑封后的第二功率器件的厚度。
15、在一个实施例中，所述方法还包括：
16、将所述第三功率器件置于全自动充氮主动排风式装置中进行固化处理，得到第四功率器件。
17、在一个实施例中，所述固化处理的升温速率为2.0～2.3℃/min，保温时间为5.5～6.5h，降温速率为1.7～2.0℃/min。
18、在一个实施例中，所述方法还包括：
19、利用切筋模具对所述第四功率器件进行切筋处理，得到所述目标功率器件。
20、在一个实施例中，所述切筋模具的切割面于所述第四功率器件的管脚根部之间存在0.25～0.4mm的距离。
21、本申请实施例第二方面，提供了一种半导体功率器件，采用本申请实施例第一方面中的一种预防功率器件封装后分层的方法封装得到。
22、本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
23、本申请实施例提供的预防功率器件封装后分层的方法，通过针对压焊完成的第一功率器件；根据所述第一功率器件压焊过程采用的引线框架，对所述第一功率器件进行清洗隔离处理，得到第二功率器件，所述清洗隔离处理包括等离子清洗处理和/或喷胶处理，所述喷胶处理为利用喷涂剂喷涂功率器件的正面区域，所述正面区域包括功率器件的载体、芯片、焊线以及引脚部位；对所述第二功率器件依次进行塑封处理、固化处理和切筋处理，得到目标功率器件。针对压焊完成的功率器件，在塑封前先进行等离子清洗，可以清除引线框架表面的外来有机物，提高引线框架的清洁度，可以避免有机物沾污导致的框架表面异常从而引起的分层问题，此外，通过喷胶处理可以在不同材料的表面形成了一层粘接过渡层，该过渡层可以增加和塑封料的粘接强度，进一步可以提高提高了塑封料与引线框架的结合力。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种预防功率器件封装后分层的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一功率器件压焊过程采用的引线框架，对所述第一功率器件进行清洗隔离处理，得到第二功率器件，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第一功率器件进行所述等离子清洗处理，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二功率器件进行塑封处理，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述塑封冲废模具的模具深度为：L+(0.4～0.6)mm，其中L为塑封后的第二功率器件的厚度。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述固化处理的升温速率为2.0～2.3℃/min，保温时间为5.5～6.5h，降温速率为1.7～2.0℃/min。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述切筋模具的切割面于所述第四功率器件的管脚
10.一种半导体功率器件，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的一种预防功率器件封装后分层的方法封装得到。
...【技术特征摘要】
1.一种预防功率器件封装后分层的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一功率器件压焊过程采用的引线框架，对所述第一功率器件进行清洗隔离处理，得到第二功率器件，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第一功率器件进行所述等离子清洗处理，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二功率器件进行塑封处理，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述塑封冲废模具的模具深度为：l+(0.4～0.6)mm，其中l为塑封后的第二功率器件的厚度。...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭昌，裴红亮，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。