【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及半导体器件，并且更具体地说，涉及使用强脉冲光照射制造电磁干扰(emi)屏蔽层的半导体器件和方法。
技术介绍
1、在现代电子产品中通常都有半导体器件。半导体器件执行广泛的功能，例如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子设备、功率转换、光电设备以及为电视显示器创建视觉图像。半导体器件存在于通信、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域。半导体器件还存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公装备中。
2、半导体器件通常容易受到以下各项的影响：电磁干扰(emi)、射频干扰(rfi)、谐波失真或其他器件间干扰(例如电容性、电感性或传导性耦合，也称为串扰)，这些干扰可能会干扰它们的操作。诸如射频(rf)滤波器的高速模拟电路或数字电路也会生成干扰。
3、可以在半导体封装上形成导电屏蔽层以减少干扰。然而，在封装上使用喷涂金属层的典型屏蔽层工艺有几个明显的缺点。一个主要问题是需要耗时的热处理来烧结金属颗粒。因此，需要一种改进的屏蔽层及其制造方法。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，还包括选择性地形成屏蔽层。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括在衬底上设置第二电气组件，其中沉积密封剂的步骤将第二电气组件留在密封剂外部。
5.根据权利要求1所述的方法，其中多个石墨烯涂覆的金属球包括由铜或银形成的多个核心，并且多个核心中的每一个包括石墨烯涂层。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过喷墨印刷形成屏蔽层。
7.一种制造半导体器件的方法，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权利要求7所述的方法，其中屏蔽层包括石墨烯。
10.根据权利要求7所述的方法，还包括通过喷墨印刷形成屏蔽层。
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括设置在衬底上的导电柱，其中导电柱从衬底延伸至屏蔽层。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中导电柱以连续路径或作为多个分立柱完全或部分包
14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中密封剂的一部分从屏蔽层暴露。
15.根据权利要求11所述的半导体器件，其中多个石墨烯涂覆的金属球包括由铜或银形成的多个核心，并且多个核心中的每一个包括石墨烯涂层。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，还包括选择性地形成屏蔽层。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括在衬底上设置第二电气组件，其中沉积密封剂的步骤将第二电气组件留在密封剂外部。
5.根据权利要求1所述的方法，其中多个石墨烯涂覆的金属球包括由铜或银形成的多个核心，并且多个核心中的每一个包括石墨烯涂层。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过喷墨印刷形成屏蔽层。
7.一种制造半导体器件的方法，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：申容武，李喜秀，权智恩，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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