【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆刻蚀，尤其是一种旋转式自清洁刻蚀装置。
技术介绍
1、等离子体刻蚀是晶圆表面处理的一种方式。射频电感耦合气体放电是产生等离子体的重要途径之一。在电感耦合系统中，电源直接施加于真空室外的线圈，由其产生的电磁场能量聚集在真空室内、激发气体放电、从而形成等离子体，使得带正电的离子轰击晶圆表面，即可去除晶圆表面的天然氧化物、或者碳氟化合物残留物等，最终在晶圆表面刻出所需形状。
2、晶圆刻蚀过程中，会产生氧化物、氮化物等污染物，它们会在刻蚀作用下附着到工作室的腔壁上；随着刻蚀不断进行，积累在腔壁上的污染物会脱落。若污染物落到晶圆表面，会影响晶圆的表面工艺。
技术实现思路
1、本申请的目的是在于克服现有技术中存在的不足，提供一种旋转式自清洁刻蚀装置。
2、为实现以上技术目的，本申请提供了一种旋转式自清洁刻蚀装置，包括：工作室和介质罩，介质罩设于工作室上，并连通工作室，介质罩和工作室之间形成晶圆刻蚀腔；载台，设于晶圆刻蚀腔内，用于承接晶圆；线圈，绕设于介质罩外；内罩，设于介质罩内，并悬于载台上方，内罩设置呈圆筒状，内罩的筒壁上设有多个间隔分布的穿孔，内罩靠近载台的底部设有向内延伸的遮边；旋转驱动件，用于驱使载台旋转；升降驱动件，用于驱使载台升降；工作室上设有晶圆进出口，载台处于低位时正对晶圆进出口，以便于接取晶圆，载台处于高位时接近或者接触遮边，遮边能够阻碍污染物进入工作室；旋转式自清洁刻蚀装置还包括顶升组件，顶升组件设于载台上，用于顶起内罩；其中，内罩的表
3、进一步地，介质罩包括罩体和盖板，罩体设置呈圆筒状，盖板密封设置在罩体远离工作室的一端；线圈绕设于罩体外；盖板上设有进气口，进气口连通供气设备；工作室上设有出气口，出气口连通抽气设备；刻蚀过程中，供气设备通过进气口向晶圆刻蚀腔输送刻蚀气体，抽气设备通过出气口抽出未反应的刻蚀气体，从而维持腔内气压；完成刻蚀后，供气设备通过进气口向晶圆刻蚀腔输送清洁气体，抽气设备通过出气口抽出被吹下的污染物。
4、进一步地，工作室的顶部开设有连通孔，介质罩罩设于连通孔外，并与工作室的顶壁密封连接；介质罩的底部开放，介质罩通过连通孔与工作室连通；内罩设置呈圆筒状，遮边设置呈圆环状；遮边构成的圆的内径小于连通孔的孔径，内罩筒体的筒径大于连通孔的孔径；非顶升状态下，工作室支撑内罩；顶升状态下，顶升组件能够穿过连通孔，接触遮边，顶起内罩。
5、进一步地，载台上设有活动孔；顶升组件包括：顶持件，能够穿过活动孔，接触遮边；顶升驱动件，顶升驱动件的固定端与载台相连，并设于载台下方，活动端与顶持件相连；顶升驱动件能够驱使顶持件从活动孔中伸出，以便于顶持件顶起内罩。
6、进一步地，遮边上设有限位孔，顶持件能够插入限位孔中。
7、进一步地，非顶升状态下，内罩处于工作室顶部，工作室的顶壁与遮边之间设有朝向腔内下倾斜的排杂通道，污染物能够通过排杂通道排出。
8、进一步地，穿孔竖向延伸，多个穿孔沿圆周方向等间隔分布；和/或，穿孔的宽度沿径向渐缩，愈靠近介质罩，穿孔的宽度愈大，能够避免污染物在穿孔中粘结；和/或，内罩的表面经过喷砂处理，以便于软质金属膜的附着；和/或，软质金属膜为铝膜。
9、进一步地，旋转式自清洁刻蚀装置还包括温控机构，温控机构用于维持介质罩和内罩的温度，以便于减小介质罩和内罩在工作状态和静置状态下的温差。
10、进一步地，内罩包括相对设置的第一罩部和第二罩部，第一罩部和第二罩部均设置呈圆弧状；旋转式自清洁刻蚀装置包括两组顶升组件，其中一组顶升组件设于第一罩部下方，用于顶起第一罩部，其中另一组顶升组件设于第二罩部下方，用于顶起第二罩部；第一罩部和第二罩部的外壁均设有清洁件；第一罩部相对第二罩部旋转时，第一罩部外壁的清洁件能够对第二罩部的内壁进行清洁；第二罩部相对第一罩部旋转时，第二罩部外壁的清洁件能够对第一罩部的内壁进行清洁。
11、进一步地，第一罩部的一端设有第一内切斜面，另一端设有第一外切斜面；第二罩部的一端设有第二外切斜面，另一端设有第二内切斜面；其中，第一内切斜面与第二外切斜面相邻，第一外切斜面与第二内切斜面相邻；第一罩部旋转时，第一外切斜面能够沿着第二内切斜面运动，以便于第一罩部切入第二罩部；第二罩部旋转时，第二外切斜面能够沿着第一内切斜面运动，以便于第二罩部切入第一罩部。
12、本申请提供了一种旋转式自清洁刻蚀装置，包括工作室、介质罩、载台、载台、线圈、内罩、旋转驱动件、升降驱动件和顶升组件，介质罩和工作室之间形成晶圆刻蚀腔，内罩设于介质罩内、并悬于载台正上方；内罩的底部设有遮边，遮边能够阻碍污染物进入工作室；内罩的表面附着有软质金属膜，能够可靠、高效地捕捉刻蚀过程中产生的污染物，从而保证刻蚀环境的清洁、保证晶圆表面处理的效果；通过旋转驱动件驱使载台旋转，能够提高覆膜均匀性和刻蚀均匀性；通过顶升组件使得内罩能够随载台旋转，既能够避免内罩与介质罩粘结、穿孔被堵塞，又能够甩落粘黏效果差的污染物，进一步保证腔内的环境清洁；内罩的外壁设有清洁件，通过清洁件旋转清扫介质罩，还能够实现腔壁自清洁，降低停机开箱的需求，从而更好地延长刻蚀腔体的维护保养周期、提高设备的运行效率。
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1.一种旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述介质罩（120）包括罩体（121）和盖板（122），所述罩体（121）设置呈圆筒状，所述盖板（122）密封设置在所述罩体（121）远离所述工作室（110）的一端；
3.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述工作室（110）的顶部开设有连通孔，所述介质罩（120）罩设于所述连通孔外，并与所述工作室（110）的顶壁密封连接；
4.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述载台（130）上设有活动孔；
5.根据权利要求4所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述遮边（201）上设有限位孔，所述顶持件（410）能够插入所述限位孔中。
6.根据权利要求4所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，非顶升状态下，所述内罩（200）处于所述工作室（110）顶部，所述工作室（110）的顶壁与所述遮边（201）之间设有朝向腔内下倾斜的排杂通道（203），污染物能够通过所述排杂通道（203）排出。
7.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述穿孔（202）竖向延伸，多个所述穿孔（202）沿圆周方向等间隔分布；
8.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，还包括温控机构，所述温控机构用于维持所述介质罩（120）和所述内罩（200）的温度，以便于减小所述介质罩（120）和所述内罩（200）在工作状态和静置状态下的温差。
9.根据权利要求1-8任一项所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述内罩（200）包括相对设置的第一罩部（210）和第二罩部（220），所述第一罩部（210）和所述第二罩部（220）均设置呈圆弧状；
10.根据权利要求9所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述第一罩部（210）的一端设有第一内切斜面（211），另一端设有第一外切斜面（212）；
...【技术特征摘要】
1.一种旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述介质罩（120）包括罩体（121）和盖板（122），所述罩体（121）设置呈圆筒状，所述盖板（122）密封设置在所述罩体（121）远离所述工作室（110）的一端；
3.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述工作室（110）的顶部开设有连通孔，所述介质罩（120）罩设于所述连通孔外，并与所述工作室（110）的顶壁密封连接；
4.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述载台（130）上设有活动孔；
5.根据权利要求4所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述遮边（201）上设有限位孔，所述顶持件（410）能够插入所述限位孔中。
6.根据权利要求4所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，非顶升状态下，所述内罩（200）处于所述工作室（110）顶部，所述工作室（11...
【专利技术属性】
技术研发人员：张陈斌，张超，宋永辉，王世宽，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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